Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten über die Bewilligungspflicht der Ausfuhr sowie die Überlassung oder die Vermittlung von Waren im Zollausland

```

mit einer Echtzeit-Bandbreite

von mehr als 25,6 kHz,

ausgenommen solche, die nur

Relativfilter (auch bekannt

als Oktav- oder

Teiloktavfilter) verwenden;

```

```

Frequenzsynthese, die

Ausgangsfrequenzen erzeugen,

deren Genauigkeit und Kurz- und

Langzeit-Stabilität geregelt

sind, von der internen

geräteeigenen Normalfrequenz

abstammen oder von dieser

kontrolliert werden, und mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

synthetisierten Frequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

einer gewählten Frequenz auf

eine andere von weniger als

1 ms; oder

```

```

Einseitenband besser als

(126 + 20 logF - 20logf) in

dBc/Hz, wobei F die Abweichung

von der Betriebsfrequenz in Hz

und f die Betriebsfrequenz in

MHz ist;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.d erfaßt keine

Geräte, bei denen die

Ausgangsfrequenz entweder durch die

Addition oder Subtraktion von zwei

oder mehreren

Kristalloszillatorfrequenzen, oder

durch die Addition oder

Subtraktion, gefolgt von einer

Multiplikation des Ergebnisses,

erzeugt wird.

```

```

```

```

maximalen Betriebsfrequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.e erfaßt keine

Wobbelfrequenz-Netzanalysatoren mit

einer maximalen Betriebsfrequenz

von nicht mehr als 40 GHz und die

nicht fernsteuerbar sind (dh.

keinen Datenbus für Verbindung

enthalten).

```

```

```

```

beiden folgenden Merkmalen:

```

```

Betriebsfrequenz von mehr als

31 GHz; und

```

```

gleichzeitig meßbar;

```

```

der folgenden Merkmale:

```

```

weniger (besser) als 1 x 10

hoch -11/Monat; oder

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.g.1 erfaßt keine

nicht-raumfahrtqualifizierten

Rubidium-Standards.

```

```

h. Emulatoren für Mikroschaltungen,

die von Nummer 3A01.a.3 oder

3A01.a.9 erfaßt sind.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.h erfaßt keine

Emulatoren, die für eine Baureihe

konstruiert sind, welche mindestens

einen nicht von Nummer 3A01.a.3

oder 3A01.a.9 erfaßten Baustein

enthalten.

```

```

3N02 Oszilloskope und

Transientenrekorder wie folgt

sowie besonders konstruierte

Bestandteile hierfür:

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3N02 erfaßt nur folgende

besonders konstruierte

Bestandteile:

```

```

```

```

```

```

```

```

```

```

analoge Oszilloskope.

```

```

```

```

Oszilloskope mit einer

Bandbreite größer/gleich

1 GHz;

```

```

Oszilloskopsysteme mit einer

der folgenden Eigenschaften:

```

```

einer Bandbreite

größer/gleich 4 GHz oder

```

```

Einzelbandbreite

größer/gleich 4 GHz;

```

```

Sampling-Oszilloskope für

die Analyse von periodischen

Ereignissen mit einer

effektiven Bandbreite größer

als 4 GHz;

```

```

Transientenrekorder mit A/D-

Wandler-Verfahren, die

geeignet sind zur

Speicherung transienter

Vorgänge durch sequentielle

Abtastung einmaliger

Eingangssignale in

aufeinanderfolgenden

Intervallen von weniger als

1 ns (mehr als 10 hoch 9

Abtastwerte (samples) pro

Sekunde), mit einer

digitalen Auflösung von

8 bit oder mehr und einer

Speichermöglichkeit von 256

oder mehr Abtastwerten.

```

```

TECHNISCHE ANMERKUNG:

Bandbreite im Sinne von

Nummer 3N02 ist der

Frequenzbereich, in dem die

Auslenkung in der

Kathodenstrahlröhre bei konstanter

Eingangsspannung nicht unter 70,7%

des Wertes abfällt, der bei

maximaler Auslenkung gemessen

wird.

```

```

3N03 Frequenzumwandler (Konverter

oder Inverter) oder Generatoren

mit allen folgenden Merkmalen:

```

```

Leistung größer/gleich 40 W,

```

```

bis 2 000 Hz,

```

```

und

```

```

besser als 0,1%.

3N04 Hochenergie-

Gleichstromversorgungsgeräte für

die Erzeugung von 100 V oder mehr

im Dauerbetrieb über einen

Zeitraum von 8 h mit einem

Ausgangsstrom größer/gleich 500 A

und einer Strom- oder

Spannungsregelung kleiner (besser)

als 0,1%.

3N05 Hochspannungs-

Gleichstromversorgungsgeräte für

die Erzeugung von 20 kV oder mehr

im Dauerbetrieb über einen

Zeitraum von 8 h mit einem

Ausgangsstrom größer/gleich 1 A

und mit einer Strom- oder

Spannungregelung kleiner (besser)

als 0,1%.

3N06 Schaltelemente wie folgt:

```

```

ohne Gasfüllung

(einschließlich gasgefüllter

Krytrons und Vakuum-

Sprytrons), die wie

Schaltfunkenstrecken

funktionieren, mit drei oder

mehr Elektroden und allen

folgenden Eigenschaften:

```

```

Anodenspitzenspannung

größer/gleich 2,5 kV,

```

```

Anodenspitzenstrom

größer/gleich 100 A,

```

```

kleiner/gleich 10 mys;

```

```

Schaltfunkenstrecken mit

einer Zündverzögerungszeit

kleiner/gleich 15 mys und

spezifiziert für

Spitzenströme größer/gleich

500 A;

```

```

schnellen Schalten mit allen

folgenden Eigenschaften:

```

```

Anodenspitzenspannung

größer als 2 kV,

```

```

Anodenspitzenstrom

größer/gleich 500 A,

```

```

kleiner/gleich 1 mys.

3N07 Vorrichtungen für gesteuerte

Detonatoren wie folgt:

```

```

Explosivstoffdetonatoren,

entwickelt zur

gleichzeitigen Zündung

mehrerer Detonatoren gemäß

Nummer 3N10;

```

```

Impulsgeneratoren

(einschließlich

Xenon-Blitzlampentreibern),

konstruiert für beweglichen

oder besonders robusten

(ruggedised) Einsatz, mit

allen folgenden

Eigenschaften:

```

```

als 15 mys,

```

```

100 A,

```

```

10 mys bei Lasten

kleiner als 40 Ohm,

```

```

TECHNISCHE ANMERKUNG:

Die Anstiegszeit ist definiert

als das Zeitintervall von 10% bis

90% der Stromaplitude beim Treiben

einer ohmschen Last.

```

```

```

```

```

```

als 25,4 cm,

```

```

25 kg,

```

```

Temperaturbereich

zwischen -50 Grad C und

100 Grad C oder

luftfahrttauglich.

3N08 Hochgeschwindigkeits-

Impulsgeneratoren mit einer

Ausgangsspannung größer als 6 V an

einer ohmschen Last kleiner als 55

Ohm und mit einer

Impulsanstiegszeit kleiner als 500

ps.

```

```

TECHNISCHE ANMERKUNG:

Impulsanstiegszeit im Sinne von

Nummer 3N08 ist das Zeitintervall,

in dem die Spannungsamplitude

zwischen 10% und 90% des

Maximalwertes beträgt.

```

```

3N09 Neutronengeneratorsysteme

einschließlich

Neutronengeneratorröhren,

konstruiert für den Betrieb ohne

äußeres Vakuumsystem und unter

Verwendung elektrostatischer

Beschleunigung zur Auslösung einer

Tritium-Deuterium-Kernreaktion.

3N10 Detonatoren und

Mehrfachzündersysteme wie folgt,

ausgenommen nur auf primären

Explosivstoffen basierende, zB

Bleiazid:

```

```

Detonatoren wie folgt:

```

```

```

```

(EBW),

```

```

```

```

```

```

oder mehreren Detonatoren

zum annähernd gleichzeitigen

Zünden großer explosiver

Oberflächen (größer als

5 000 mm2) mit nur einem

Zündsignal (maximale

zeitliche Abweichung vom

ursprünglichen Zündsignal

über der gesamten zu

zündenden Oberfläche kleiner

als 2,5 mys.

```

```

TECHNISCHE ANMERKUNG:

Die von Nummer 3N07 oder 3N10

erfaßten Detonatoren basieren auf

einem elektrischen Leiter (Brücke,

Drahtbrücke, Folien), der

explosionsartig verdampft, wenn

ein schneller Hochstromimpuls

angelegt wird. Außer bei den

Slapperzündern wird durch den

explodierenden Draht die chemische

Detonation in Gang gesetzt. Bei

den Slapperzündern wird durch den

explodierenden Draht ein

Zündhammer getrieben, der bei

Aufschlag auf eine Zündmasse die

chemische Detonation startet. Bei

einigen Ausführungen wird der

Zündhammer magnetisch angetrieben.

Der Begriff Folienzünder kann sich

sowohl auf Brückenzünder als auch

auf Slapperzünder beziehen. Der

Begriff Detonator wird auch

anstelle von Zünder verwendet.

```

```

3N11 Massenspektrometer für die

Messung von Ionen einer Masse

größer/gleich 230 (amu) mit einer

Auflösung besser als 2/230 und

Ionenquellen hierfür wie folgt:

```

```

Plasma-Massenspektrometer

(ICP/MS);

```

```

Massenspektrometer (GDMS);

```

```

Massenspektrometer (TIMS);

```

```

Massenspektrometer mit einer

Quellenkammer, hergestellt

aus UF tief 6-resistenten

Materialien, damit

ausgekleidet oder plattiert;

```

```

Massenspektrometer wie

folgt:

```

```

hergestellt aus

rostfreiem Stahl oder

Molybdän, damit

ausgekleidet oder

palttiert (Anm.: richtig:

plattiert) und mit einer

Kühlfalle, die auf 193 K

(-80 Grad C) oder

weniger kühlen kann,

oder

```

```

hergestellt aus UF tief

6-resistenten

Materialien, damit

ausgekleidet oder

plattiert;

```

```

ausgestattet mit einer

Mikrofluorierungs-

Ionenquelle, konstruiert zur

Verwendung mit Aktiniden

oder Aktinidenfluoriden.

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

3B01 Ausrüstungen zur Herstellung

oder Prüfung von

Halbleiter-Bausteinen oder

-Materialien wie folgt und

speziell hierfür konstruierte

Bauelemente und Zubehöre:

```

```

Ausrüstungen zum epitaktischen

Wachsen wie folgt:

```

```

einer Gleichmäßigkeit von

besser als +-2,5% entlang

einer Strecke von 75 mm oder

mehr zu erzeugen;

```

```

chemischen Beschichtung aus

der Gasphase (MOCVD), speziell

konstruiert zum Ziehen von

Verbindungshalbleiter-

Kristallen mittels chemischer

Reaktion zwischen Materialien,

die von Nummer 3C03 oder 3C04

erfaßt sind;

```

```

zum epitaktischen Wachsen mit

Zuführung;

```

```

Ausrüstungen zur

Ionenimplantation mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

von mehr als 200 keV;

```

```

optimiert für einen Betrieb

bei Beschleunigungsspannungen

von weniger als 10 keV;

```

```

```

```

Sauerstoffimplantation in ein

erwärmtes Halbleiter-Substrat;

```

```

Anisotrop-Plasma-Ätz-

Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Kassetten-Verfahren mit

Schleuse, sowie mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

plasmaverstärkte

CVD-Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Verfahren mit Schleuse, sowie

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

multifunktionelle Systeme mit

gebündeltem Ionenstrahl,

speziell konstruiert zur

Fertigung, Reparatur, physischen

Layoutanalyse und Prüfung von

Masken oder

Halbleiter-Bauelementen, mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

mittels Rückmeldung vom Objekt

mit einer Genauigkeit von 0,25

mym oder kleiner; oder

```

```

einer Auflösung vom mehr als

12 Bit;

```

```

Mehrkammer-Wafer-Manipulatoren

mit Anschlüssen zum Beschichten,

an die mehr als zwei Halbleiter-

Bearbeitungsausrüstungen

angeschlossen werden können,

damit ein in einer

Vakuumumgebung integriertes

System zur sequentiellen

Mehrfach-Wafer-Bearbeitung

entsteht;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.f erfaßt keine

robotergesteuerten

Wafer-Manipulatoren, die nicht für

einen Betrieb in einer

Vakuumumgebung konstruiert sind.

```

```

```

```

Lithographieausrüstungen wie

folgt:

```

```

Step-and-repeat-Ausrüstungen

zur Wafer-Bearbeitung mit

photo-optischen oder

Röntgenstrahl-Methoden mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

kürzer als 400 nm;

```

```

von mehr als 0,40; oder

```

```

+-0,20 mym (3 Sigma) oder

besser;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.g erfaßt keine

Justier- und Belichtungs-Step-and-

repeat-Ausrüstungen, die alle

folgenden Merkmale aufweisen:

```

```

436 nm oder mehr;

```

```

oder weniger, und

```

```

oder weniger;

```

```

```

```

Ausrüstungen, speziell

konstruiert zur

Maskenherstellung oder

Halbleiter-Baulelemente-

Bearbeitung unter Verwendung

von gelenkten gebündelten

Elektronenstrahlen,

Ionenstrahlen oder

Laserstrahlen, mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

0,2 mym;

```

```

einer Auflösung von weniger

als 1 mym; oder

```

```

mehr als +/-0,20 mym

(3 Sigma);

h. Masken oder Strichplatten wie

folgt:

```

```

erfaßt in Nummer 3A01;

```

```

Phasenkompensationsschicht;

i. Speicherprogrammierbare

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

Halbleiter-Bauelementen und

nicht-gekapselten Chips wie

folgt:

```

```

von Transistor-Bauelementen

bei Frequenzen von mehr als 31

GHz;

```

```

Funktions(Wahrheitstabelle)-

Prüfung integrierter

Schaltungen und Baugruppen

hiervon bei einer

Änderungsgeschwindigkeit des

Bit-Musters von mehr als

40 MHz durchzuführen;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.2. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert für das Prüfen von:

```

```

Baugruppenklasse für Haushalts-

und Unterhaltungselektronik;

```

```

Bauteilen, Baugruppen oder

integrierten Schaltungen.

```

```

```

```

Mikrowellenschaltungen auf

Frequenzen von mehr als 3 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.3. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

integrierten

Mikrowellenschaltungen, die

ausschließlich in Standard-Bändern

der Zivilen Telekommunikation auf

Frequenzen von nicht mehr als

31 GHz arbeiten.

```

```

```

```

konstruiert für einen Betrieb

auf oder unter 3 keV, oder

Laserstrahlsysteme zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen Halbleiter-

Bauelementen mit beiden

folgenden Merkmalen:

```

```

Strahlverdunkelung oder

Detektorstroben, und

```

```

Elektronen-Spektrometer zur

Spannungsmessung mit einer

Auflösung von weniger als

0,5 V.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.4. erfaßt keine

Raster-Elektronenmikroskope,

ausgenommen wenn diese zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen

Halbleiter-Bauelementen speziell

konstruiert und instrumentiert

sind.

```

```

C. MATERIALIEN

3C01 Heteroepitaxiale Materialien,

die aus einem Substrat mit

geschichteten epitaxial

gewachsenen Mehrfachschichten

bestehen:

```

```

```

```

```

```

oder Indium.

```

```

ANMERKUNG:

III/V-Verbindungen sind

polykristalline oder binäre bzw.

komplexmonokristalline Erzeugnisse,

bestehend aus Elementen der Gruppe

IIIA und VA des Periodensystems der

chemischen Elemente

(Gallium-Arsenid,

Gallium-Aluminium-Arsenid,

Indium-Phosphid, usw.).

```

```

3C02 Photoresists und Substrate,

die mit vom Embargo erfaßten

Photoresists beschichtet sind.

```

```

zur Verwendung unter 370 nm

optimierten

Spektralempfindlichkeit;

```

```

mit Elektronenstrahlen oder

Ionenstrahlen und mit einer

Empfindlichkeit von

0,01 mycoulomb/mm2 oder besser;

```

```

mit Röntgenstrahlen und mit

einer Empfindlichkeit von

2,5 mJ/mm2 oder besser;

```

```

Oberflächenabbildungstechnolo-

gien, einschließlich Silyat

Photoresists.

```

```

ANMERKUNG:

Silyationstechniken sind als

Verfahren definiert, die eine

Oxidation der Photoresistoberfläche

beinhalten, um die Leistung sowohl

für Naß- als auch

Trockenentwicklung zu verbessern.

```

```

3C03 Metallorganische Verbindungen

aus Aluminium, Gallium oder

Indium mit einer Reinheit

(Metallbasis) von mehr als

99,999%.

3C04 Hydride aus Phosphor, Arsen

oder Antimon mit einer Reinheit

von mehr als 99,999%, auch bei

Lösung in Neutralgasen.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3C04 erfaßt keine Hydride,

die weniger als 20% Molarität an

Edelgasen oder Wasserstoff

enthalten.

```

```

D. SOFTWARE

3D01 Software, speziell

konstruiert zur Entwicklung oder

Herstellung von in Nummern

3A01.b bis 3A01.f, 3A02 und 3B01

erfaßten Ausrüstungen.

3D02 Software, speziell

konstruiert zur Verwendung von

in Nummer 3B01 erfaßten

speicherprogrammierbaren

Ausrüstungen.

3D03 Computer-Aided-Design-(CAD-)

Software für

Halbleiter-Bauelemente oder

integrierte Schaltungen mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Schaltungsüberprüfungsvor-

schriften;

```

```

Layouts der Schaltungen; oder

```

```

Bearbeitungssimulatoren für den

Entwurf.

```

```

ANMERKUNG:

Ein lithographischer

Bearbeitungssimulator ist ein

Softwarepaket, das in der

Entwurfsphase zur Definierung der

Abfolge von Lithographie-, Ätzungs-

und Sedimentationsschritten zur

Übertragung von Maskenmustern in

spezifische topographische Muster

bei Leitern, Dielektrika oder

Halbleitermaterialien verwendet

wird.

ANMERKUNG:

Nummer 3D03 erfaßt keine

Software, speziell konstruiert zur

Schemaeintragung, logischen

Simulation, Plazierung und Routing,

Layout-Überprüfung oder

Prozeßgenerations-Bandaufnahme;

ANMERKUNG:

Bibliotheken, Entwurfshilfen oder

zugehörige Daten zum Entwurf von

Halbleiter-Bauelementen oder

integrierten Schaltungen werden als

Technologie angesehen.

```

```

E. TECHNOLOGIE

3E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur

Entwicklung oder Herstellung von

Geräten oder Materialien, die in

den Nummern 3A01, 3A02, 3B01,

3C01, 3C02, 3C03 oder 3C04

erfaßt sind.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3E01 erfaßt keine

Technologie zur Entwicklung oder

Herstellung von:

```

```

bei Frequenzen von unter 31 GHz

arbeiten;

```

```

Nummer 3A01.a.3 bis a.11, die

beide folgende Merkmale

aufweisen:

```

```

mehr verwenden, und

```

```

beinhalten.

ANMERKUNG:

Diese Anmerkung schließt den

Export von Mehrschicht-Technologie

für Bauelemente, die höchstens zwei

Metallschichten und zwei

Polysiliciumschichten beinhalten,

nicht aus.

```

```

3E02 Andere Technologie zur

Entwicklung oder Herstellung

von:

```

```

Bauelemente;

```

```

Halbleiter-Bauelemente wie zB

modulations-dotierte

Feldeffekttransistoren (HEMT),

hetero-bipolare Transistoren

(HBT), Potentialtopf- oder

Superkristallgitter-Bauelemente;

```

```

Supraleiter-Bauelemente;

4 - RECHNER

```

```

```

---

```

ANMERKUNGEN: ANMERKUNG:

```

```

Software für Telekommunikations- Einrichtungen, die entwickelt

oder Local Area sind für den Gebrauch in

Network-Funktionen sind auch Raketensystemen der Nummer 9R01.

nach den Leistungsmerkmalen der --------------------------------

Gruppe 5 - Telekommunikation -

zu bewerten.

ANMERKUNGEN:

```

```

Kanäle von Zentraleinheiten,

Hauptspeichern oder

Plattensteuerungen direkt

verbinden, sind nicht als

Telekommunikationsgeräte nach

den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

zu bewerten.

```

```

Switching von datagram-Paketen

oder von fast select-Paketen

ermöglicht (dh. Richtungswahl je

Paket), oder Software, besonders

entwickelt für die

Paketvermittlung, ist in der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

erfaßt.

```

```

Software mit kryptographischen

bzw. kryptoanalytischen

Funktionen, zur Gewährleistung

verfügter vielstufiger

Sicherheit oder verfügten

Teilnehmerausschlüssen oder

Funktionen zur Limitierung

elektromagnetischer

Verträglichkeit (EMV) sind auch

nach den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Informationssicherung

- zu bewerten.

```

```

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

4A01 Elektronenrechner und 4R01 Analogrechner,

verwandte Geräte wie folgt sowie Digitalrechner oder digitale

Baugruppen und besonders Differentialanalysatoren,

konstruierte Bauteile hierfür: konstruiert oder modifiziert

```

```

Betrieb unter einer der im Systemen laut Nummer 9R01, mit

folgenden aufgezählten einer der nachfolgenden

Bedingungen: Charakteristiken:

```

```

Umgebungstemperaturen unterhalb bei Temperaturen von unter

228 K (-45 Grad C) oder oberhalb -45 Grad C bis über 55 Grad C;

343 K (+70 Grad C) oder b) konstruiert als robustes Gerät

oder „strahlungsgehärtet''.

```

```

ANMERKUNG:

Die Ausrüstung kann als Teil

eines bemannten Fluggeräts oder

Satelliten exportiert werden oder

in entsprechenden Stückzahlen als

Ersatzteile für bemannte

Fluggeräte.

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4A01.a.1 gilt nicht für

Rechner, besonders konstruiert zur

Verwendung in zivilen

Kraftfahrzeugen oder in der

Eisenbahnbetriebs-Elektronik.

```

```

```

```

Überschreitung eines der

folgenden Grenzwerte:

```

```

rad (Si);

```

```

Strahlungsdosis 5 x 10 hoch

8 rad (Si); oder

```

```

-7 Bitfehler je Tag;

```

```

Funktionen, die die Grenzwerte

der Gruppe 5 -

Informationssicherung -

überschreiten.

4A02 Hybridrechner wie folgt sowie

Baugruppen und besonders

konstruierte Bauteile hierfür:

```

```

Digitalrechnern,

```

```

Digital/Analog-Wandlern, die

folgende Eigenschaften haben:

```

```

```

```

14 Bit (ohne Vorzeichen) bei

Umwandlungsfrequenzen von

größer oder gleich

200 000 Umwandlungen/s.

4A03 Digitalrechner, Baugruppen und

verwandte Geräte wie folgt und

besonders konstruierte Bauteile

hierfür:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Vektorrechner, Array-Rechner,

Logikrechner und Geräte für

Bildverarbeitung oder

Signaldatenverarbeitung ein.

```

```

Nummer 4A03 beschriebenen

Digitalrechnern oder verwandten

Geräten richtet sich nach dem

Erfassungsstatus anderer Geräte

oder Systeme, sofern

```

```

verwandten Geräte wesentlich

sind für den Betrieb der

anderen Geräte oder Systeme,

```

```

verwandten Geräte nicht einen

Hauptbestandteil der anderen

Geräte oder Systeme darstellen

und

ERGÄNZENDE ANMERKUNG:

```

```

Nummer 4A03.g beschriebenen Geräten

zur Signaldatenverarbeitung oder

Bildverarbeitung, besonders

konstruiert für (den Einbau in)

andere Einrichtungen unter

Einhaltung der Funktionsgrenzwerte

dieser anderen Einrichtungen, wird

durch den Erfassungsstatus der

anderen Einrichtungen auch dann

bestimmt, wenn das Kriterium des

Hauptbestandteils nicht mehr

erfüllt ist.

```

```

Digitalrechnern oder verwandten

Geräten für

Telekommunikationseinrichtungen

richtet sich nach Gruppe 5 -

Telekommunikation -

```

```

Digitalrechner und verwandten

Geräte in Nummer 4E geregelt

ist.

```

```

Geräte werden von Nummer 4A03 nicht

erfaßt, sofern

```

```

medizinische Anwendungen,

```

```

Konstruktion und Leistung

maßgeblich auf medizinische

Anwendungen beschränkt ist,

```

```

anwenderzugängliche

Programmierbarkeit hat als die

Möglichkeit, Originalprogramme

oder geänderte Programme, die

vom Originalhersteller

geliefert werden, einzufügen,

```

```

theoretische Verarbeitungsrate

CTP eines Digitalrechners, der

nicht für die medizinische

Anwendung konstruiert oder

abgewandelt wurde, für diese

jedoch wesentlich ist, 20 Mio

TOPS (Millionen theoretischer

Operationen je Sekunde) nicht

überschreitet und

```

```

Digitalrechner oder verwandten

Geräte in Nummer 4E geregelt

ist.

```

```

```

```

Erkennen, Verstehen und

Interpretieren von Bildern

oder zusammenhängender

Sprache,

```

```

für Systeme mit

Fehlertoleranz,

```

```

ANMERKUNG:

Digitalrechner und verwandte

Geräte gelten nicht als konstruiert

oder abgewandelt für Systeme mit

Fehlertoleranz im Sinne der

Nummer 4A03.b, wenn sie eine der

folgenden Funktionen verwenden:

```

```

Fehlerkorrekturalgorithmen im

Hauptspeicher,

```

```

zweier Digitalrechner in der

Weise, daß bei Ausfall der

aktiven Zentraleinheit eine

mitlaufende Zentraleinheit die

Aufgaben des Systems

fortführen kann,

```

```

zweier Zentraleinheiten über

Datenkanäle oder gemeinsame

Speicher in der Weise, daß

eine mitlaufende

Zentraleinheit bis zum Ausfall

der aktiven Zentraleinheit

andere Funktionen ausführen

kann und ab diesem Zeitpunkt

die Aufgaben des Systems

übernimmt, oder

```

```

Zentraleinheiten mittels

Software in der Weise, daß die

mitlaufende Zentraleinheit den

Ausfall der aktiven

Zentraleinheit erkennt, um

dann die Aufgaben der

ausfallenden Zentraleinheit zu

übernehmen.

```

```

```

```

zusammengesetzten

theoretischen

Verarbeitungsrate CTP von mehr

als 67 Mio TOPS (Millionen

theoretischer Operationen je

Sekunde),

```

```

konstruiert oder abgewandelt

zum Zwecke der

Laufzeitverbesserung durch

Zusammenschalten von

Rechenelementen wie folgt:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Baugruppen und programmierbare

Zusammenschaltungen von

Rechenelementen, die die Grenzwerte

der Nummer 4A03.c nicht

überschreiten, soweit sie in

nichtintegriertem Zustand (als

einzelne Baugruppen) geliefert

werden. Nummer 4A03.d gilt nicht

für Baugruppen, die (schon)

aufgrund ihrer Konstruktion auf

eine Verwendung als von

Nummer 4A03.e bis k erfaßte

verwandte Geräte beschränkt sind.

```

```

Baugruppen, besonders konstruiert

für Produkte oder Produktfamilien,

deren Maximalkonfiguration den

Grenzwert der Nummer 4A03.c nicht

überschreiten.

```

```

```

```

Zusammenschluß von 16 oder

mehr Rechenelementen zu

einer Konfiguration; oder

```

```

maximalen gesamten

Datenrate größer als

40 MBytes/s auf allen zur

Verfügung stehenden

Verbindungen eines

Rechenelements zu anderen

Rechenelementen;

```

```

Halbleiterspeicher wie folgt:

```

```

überschreibbare optische

oder magnetooptische

Speicher mit einer höchsten

Bit-Übertragungsrate größer

als 47 MBit/s;

```

```

als Hauptspeicher eingesetzt

(auch bekannt als „solid

state disks'' oder „RAM

disks''), mit einer höchsten

Bit-Übertragungsrate größer

als 80 MBit/s;

```

```

konstruiert zur Verwendung für

von Nummer 4A03.e erfaßte

Geräte,

```

```

Signaldatenverarbeitung oder

Bildverarbeitung mit einer

zusammengesetzten

theoretischen

Verarbeitungsrate von mehr als

40 Mio TOPS (Millionen

theoretischer Operationen je

Sekunde),

```

```

Grafik-Coprozessoren mit einer

3-D Vektorrate größer als 400

000 oder, falls nur 2-D

Vektoren unterstützt werden,

mit einer 2-D Vektorrate

größer als 600 000 Vektoren/s,

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4A03.h gilt nicht für

Arbeitsplätze, konstruiert für und

beschränkt auf

```

```

das Druckgewerbe oder

Verlagswesen, und

```

```

zweidimensionaler Vektoren.

```

```

```

```

mit einer Auflösung größer als

12 Bildpunkte/mm in Richtung

der größten Bildpunktdichte,

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Bildschirme oder Monitore, nicht

besonders konstruiert für

Elektronenrechner.

```

```

konstruiert für

Flugsicherungssysteme, werden als

besonders konstruierte Bestandteile

für Flugsicherungssysteme der

Gruppe 6 behandelt.

```

```

```

```

oder

Digital/Analog-Umwandlungen,

die die Grenzwerte der

Nummer 3A01.a.5 überschreiten,

```

```

Endgeräte-Schnittstellen, die

die Grenzwerte der

Nummer 5A02.c überschreiten,

```

```

ANMERKUNGEN:

Der Begriff

„Endgeräte-Schnittstellen'' der

Nummer 4A03.k schließt Local Area

Network-Schnittstellen, Modems und

sonstige

Kommunikations-Schnittstellen ein.

Local Area Network-Schnittstellen

sind als Netz-Zugangs-Steuerungen

zu behandeln.

```

```

```

```

für externes Zusammenschalten

von Digitalrechnern oder

verwandten Geräten, die eine

Kommunikation mit Datenraten

von größer als 80 MByte/s

erlauben.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4A03.l erfaßt nicht

interne Verbindungseinrichtungen

(zB Backplanes oder Busse) oder

passive Verbindungseinheiten.

4A04 Rechner wie folgt und

besonders konstruierte verwandte

Geräte, Baugruppen und Bauteile

hierfür:

```

```

```

```

```

```

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

4B01 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Aufbringung

von magnetischer Beschichtung

auf erfaßten starren (nicht

flexiblen) magnetischen oder

magnetooptischen Datenträgern,

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 4B01 erfaßt keine

Universal-Sputtereinrichtungen.

```

```

4B02 Speicherprogrammierbare

Einrichtungen, besonders

konstruiert zur Überwachung,

Auswahl, Anwendungen oder

Prüfung von erfaßten starren

magnetischen Datenträgern,

4B03 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Herstellung

oder Justierung von

Schreib-/Leseköpfen oder von

Baugruppen (head/disk

assemblies) für erfaßte starre

magnetische und magnetooptische

Speicher sowie

elektromagnetische oder optische

Bauteile hierfür.

C. WERKSTOFFE

Materialien, besonders geformt und

unverzichtbar für die Herstellung

von erfaßten Baugruppen für

magnetische und magnetooptische

Festplattenlaufwerke.

D. SOFTWARE

```

```

ANMERKUNG:

Der Erfassungsstatus von Software

für die Entwicklung, Herstellung

und Verwendung von in anderen

Gruppen beschriebenen Einrichtungen

wird in den betreffenden Gruppen

geregelt.

Der Erfassungsstatus von Software

für die in Gruppe 4 beschriebenen

Einrichtungen bestimmt sich nach

Nummer 4D.

```

```

4D01 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt für

die Entwicklung,

Herstellung oder Verwendung von

Einrichtungen, Werkstoffen oder

Software, die von Nummern 4A,

4B, 4C oder 4D erfaßt wird.

4D02 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt zur

Unterstützung der Technologie,

die von Nummer 4E erfaßt wird.

4D03 Spezielle Software wie folgt:

```

```

und analytischen Verfahren und

entwickelt oder abgewandelt

für Programme mit mehr als

500 000 Instruktionen im

Quellencode, zum Prüfen und

Testen von Programmen,

```

```

Erzeugung von Quellencodes aus

Daten, die on-line von

externen in dieser Liste

beschriebenen Sensoren kommen,

```

```

Betriebssystem-Software,

Software-

Entwicklungswerkzeugen und

Compilern, besonders

entwickelt für Geräte zur

Mehrfachdatenstromverarbei-

tung,

```

```

für Expertensysteme zur

Wissensauswertung (inference

engines) mit beiden folgenden

Eigenschaften:

```

```

```

```

(primitives) zur Behandlung

von Zeitcharakteristika in

Regeln und Tatsachen,

```

```

oder Funktionen, die die

Grenzwerte der Gruppe 5 -

Informationssicherung -

überschreiten,

```

```

konstruiert für Rechner zur

Echtzeitverarbeitung, die eine

Unterbrechungsintervallmög-

lichkeit (global interrupt

latency time) kleiner als

30 mys gewährleisten.

E. TECHNOLOGIE

4E01 Technologie gemäß der

allgemeinen

Technologie-Anmerkung für die

Entwicklung, Herstellung oder

Verwendung von Einrichtungen,

Werkstoffen oder Software, die

von Nummern 4A, 4B, 4C oder 4D

erfaßt werden.

4E02 Sonstige Technologie wie

folgt:

```

```

Entwicklung oder Herstellung

der von Nummer 4A03.h nicht

erfaßten Einrichtungen,

```

```

Entwicklung oder Herstellung

von Einrichtungen für

Mehrfachdatenstromverarbei-

tung,

```

```

die Entwicklung oder

Herstellung von magnetischen

Festplattenspeichern mit einer

höchsten Bit-Übertragungsrate

größer als 11 Mbit/s.

5 - TELEKOMMUNIKATION UND INFORMATIONSSICHERHEIT

```

```

TELEKOMMUNIKATION

---

ANMERKUNGEN:

Engineering oder Verrechnung.

---

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

5A01 Jede Art von

Telekommunikationseinrichtungen

mit einem der folgenden

Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.c gilt nur für

elektronische Einrichtungen.

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.b/c gilt nicht für

Einrichtungen an Bord von

Satelliten.

---

5A02 Telekommunikations-Übertragungseinrichtungen oder

-Anlagen und speziell

konstruierte Bauteile und Zubehöre hierfür, mit einem der

folgenden Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Telekommunikations-Übertragungseinrichtungen,

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.a erfaßt keine

Einrichtungen, speziell konstruiert

für Einbau und Betrieb in einem Satellitensystem für zivile Zwecke.

---

---

ANMERKUNG:

Enthält eine nicht-erfaßte

Einrichtung einen Netzwerk-Zugriffs-Kontroller, darf

sie keine

Telekommunikations-Schnittstelle

besitzen, außer solche, die in Nummer 5A02.c zwar beschrieben,

aber nicht erfaßt sind.

---

Anwendungen;

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.e.2 erfaßt keine

Einrichtungen für zivile Zwecke,

die mit einem von der ITU

zugewiesenen Band zwischen 26,5 und 31 GHz arbeiten.

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.f.3 erfaßt keine

Einrichtungen, speziell konstruiert

für Einbau und Betrieb in einem Satellitensystem für zivile Zwecke.

---

---

ANMERKUNG:

Statistische Multiplexer mit

digitalem Eingang und digitalem

Ausgang, zur Vermittlung, werden

als speicherprogrammierbare

Verteiler behandelt.

---

---

ANMERKUNG:

Signalisierungs-Einrichtungen,

bei denen der Zeichengabekanal in

32 Multiplex-Kanälen, die eine Gesamtleitung von nicht mehr als

2,1 Mbit/s bilden, getragen wird

bzw. sich auf eine solche Leitung

bezieht, und bei denen die Zeichengabe-Information in einem

festgelegten Zeitmultiplex-Kanal

ohne die Verwendung von explizit

adressierten Meldungen getragen

wird, gelten nicht als Systeme mit

Zeichengabe über einen zentralen

Kanal.

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.b schließt nicht aus:

---

Leitungsvermittlung;

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.c erfaßt keine

Ein-Ebene-Wahlvorbelegung.

---

Einzel-Paketen;

---

ANMERKUNG:

Die Beschränkungen der Nummer

5A03.e und 5A03.f gelten nicht für

Netzwerke, die nur

Netzwerk-Zugriffs-Kontroller

verwenden, oder für

Netzwerk-Zugriffs-Kontroller.

---

Medium.

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A03.h.1 nimmt die Multiplexbildung über eine

zusammengesetzte Verbindung von

Kommunikationskanälen, die nicht

von Nummer 5A02.a erfaßt sind,

nicht aus.

---

Port enthalten.

5A04 Zentrale Netzwerksteuerung

mit beiden folgenden Merkmalen:

Leitwegzuteilung durch.

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A04 nimmt die Verkehrssteuerung als eine Funktion

prognostizierbarer

Verkehrsbedingungen nicht aus.

---

5A05 Lichtwellenleiter-Kommunikationskabel,

Lichtleitfasern und speziell

konstruierte Bauteile und Zubehör hierfür wie folgt:

---

ANMERKUNG:

Zugversuch:

On-Line und Off-Line-Fertigungsprüfung, die

eine vorgeschriebene Zugspannung

dynamisch über eine Faserlänge von

0,5 bis 3 m bei einer Laufgeschwindigkeit von 2 bis 5 m/s

während ihres Durchlaufens zwischen

Tonrollen von ca. 15 cm Durchmesser

anlegt. Die Umgebungstemperatur

beträgt nominal 293 K und die

relative Luftfeuchtigkeit 40%.

ANMERKUNG:

Zur Durchführung des Zugversuches

können auch entsprechende nationale

Normen herangezogen werden.

---

Unterwassereinsatz.

---

ANMERKUNG:

Durchgangssteckverbinder für

Schatten und Rümpfe siehe

Nummer 8A02.c.

---

5A06 Phasengesteuerte Antennen,

betrieben bei Frequenzen über

10,5 GHz, die aktive Elemente

und verteilte Bauteile enthalten

und konstruiert sind, daß sie

eine elektronische Steuerung der Strahlformung und Strahlzuspitzung ermöglichen,

ausgenommen Landesysteme mit

Instrumenten gemäß ICAO-Normen

(Mikrowellen-Landesysteme MLS).

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

5B01 Einrichtungen, speziell

konstruiert für:

Prüfeinrichtungen;

5B02 Andere Einrichtungen wie

folgt:

C. MATERIALIEN

5C01 Vorformen aus Glas oder

anderen Materialien, optimiert

zur Herstellung von in Nummer

5A05 erfaßten Lichtwellenleiter.

D. SOFTWARE

5D01 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Geräten oder

Materialien, die in den Nummern

unter 5A, 5B und 5C des Abschnittes

„Telekommunikation'' dieser Gruppe erfaßt sind.

5D02 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Unterstützung von Technologie,

die in den Nummern unter 5E des Abschnittes

„Telekommunikation'' dieser Gruppe erfaßt ist.

5D03 Spezifische Software wie

folgt:

---

ANMERKUNG:

Bezüglich Software für

Signalverarbeitung siehe auch

Gruppe 4 und 6.

---

E. TECHNOLOGIE

5E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung (ausschließlich Betrieb) von Geräten, Systemen,

Materialien oder Software, die

in den Nummern unter 5A, 5B, 5C

oder 5D des Abschnittes

„Telekommunikation'' erfaßt

sind.

5E02 Spezifische Technologien wie

folgt:

---

ANMERKUNG:

Der Erfassungsstatus von

Einrichtungen, Software, Systemen,

anwendungsspezifischen Baugruppen,

Modulen, integrierten Schaltungen,

Bauelementen, Technologie oder

Funktionen der Informationssicherheit ist in den Positionen des Abschnittes

„Informationssicherheit'' dieser Gruppe definiert, auch wenn sie

Bauteile oder Baugruppen anderer

Geräte sind.

---

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

5A11 Systeme, Geräte,

anwendungsspezifische

Baugruppen, Module oder

integrierte Schaltungen zur Informationssicherheit, wie

folgt, und andere speziell

konstruierte Bauteile hierfür:

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A11.d erfaßt keine

Ausrüstungen, speziell konstruiert

zur Unterdrückung von Emanationen

aus Gesundheits- und Sicherheitsgründen.

---

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

5B11 Einrichtungen, speziell

konstruiert zur Entwicklung von

Einrichtungen oder Verfahren,

die von den Positionen des Abschnittes

„Informationssicherheit''

dieser Gruppe erfaßt sind,

einschließlich Meß- oder

Prüfeinrichtungen.

5B12 Einrichtungen, speziell

konstruiert zur Fertigung von

Einrichtungen oder Verfahren,

die von den Positionen des Abschnittes

Informationssicherheit dieser Gruppe erfaßt sind,

einschließlich Meß-, Prüf-,

Reparatur- oder

Fertigungseinrichtungen.

5B13 Meßeinrichtungen, speziell

konstruiert zum Prüfen und Freigeben von

Informationssicherheits-Verfahren, die von den Nummern unter 5A oder 5D des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

D. SOFTWARE

5D11 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Einrichtungen

oder Software, die in den Nummern unter 5A, 5B oder 5D

dieses Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

5D12 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur Unterstützung von Technologie,

die in den Nummern unter 5E des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

5D13 Spezifische Software wie

folgt:

E. TECHNOLOGIE

5E11 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von Ausrüstungen oder

Software, die in den Nummern

unter 5A, 5B oder 5D des Abschnittes

„Informationssicherheit''

erfaßt sind.

---

ANMERKUNGEN ZUR

INFORMATIONSSICHERHEIT:

---

Anlage

```

```

AUSFUHRLISTE

```

```

```

ABSCHNITT I

```

* Vormaterialien für Chemiewaffen:

(auch unter anderen Handelsnamen)

* Vormaterialien für biologische Waffen:

```

```

CW01 Vormaterialien für Chemiewaffen

C.A.S.-Nr. Bezeichnung:

111-48-8 Thiodiglykol, 2,2'-Thiodiethanol

10025-87-3 Phosphoroxychlorid

756-79-6 Methylphosphonsäuredimethylester

676-99-3 Methylphosphonsäuredifluorid

676-97-1 Methylphosphonsäuredichlorid

868-85-9 Dimethylphosphit

7719-12-2 Phosphortrichlorid

121-45-9 Trimethylphosphit

7719-09-7 Thionylchlorid

96-79-7 N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan

5842-07-9 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanthiol

7789-23-3 Kaliumfluorid

107-07-3 2-Chlorethanol, Ethylenchlorhydrin

124-40-3 Dimethylamin

506-59-2 Dimethylaminhydrochlorid

57856-11-8 Methylphosphonigsäure-

0-(2-diisopropylaminoethyl)ethylester

3554-74-3 3-Hydroxy-1-methylpiperidin

1619-34-7 3-Chinuclidinol

78-38-6 Ethylphosphonsäurediethylester

2404-03-7 N,N-Dimethylaminodiethylphosphat

762-04-9 Diethylphosphit

1498-40-4 Ethylphosphonigsäuredichlorid

1066-50-8 Ethylphosphonsäuredichlorid

753-98-0 Ethylphosphonsäuredifluorid

7664-39-3 Fluorwasserstoff

76-89-1 Methylbenzilat

676-83-5 Methylphosphonigsäuredichlorid

96-80-0 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanol

464-07-3 Pinakolylalkohol,

tert. Butylmethylcarbinol

122-52-1 Triethylphosphit

7784-34-1 Arsentrichlorid

76-93-7 Benzilsäure, Diphenylglykolsäure

15715-41-0 Methylphosphonigsäurediethylester

6163-75-3 Ethylphosphonsäuredimethylester

430-78-4 Ethylphosphonigsäuredifluorid

753-59-3 Methylphosphonigsäuredifluorid

3731-38-2 3-Chinuclidon

10026-13-8 Phosphorpentachlorid

75-97-8 Pinakolon, 3,3-Dimethyl-2-butanon

151-50-8 Kaliumcyanid

7789-29-9 Kaliumhydrogendifluorid

1341-49-7 Ammoniumhydrogendifluorid

7681-49-4 Natriumfluorid

1333-83-1 Natriumhydrogendifluorid

143-33-9 Natriumcyanid

102-71-6 Triethanolamin

1314-80-3 Phosphorpentasulfid

108-18-9 Diisopropylamin

100-37-8 2-Diethylaminoethanol

1313-82-2 Natriumsulfid

10025-67-9 Schwefelmonochlorid

10545-99-0 Schwefeldichlorid

637-39-8 Triethanolamin-Hydrochlorid

4261-68-1 N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan-

Hydrochlorid

BW01 Vormaterialien für biologische Waffen

```

```

V1 Chikungunya Virus

V2 Kongo-Krimfieber Virus

V3 Denguefieber Virus

V4 Östliches Pferde Enzephalitis Virus

V5 Ebola Virus

V6 Hantaan Virus

V7 Junin Virus

V8 Lassafieber Virus

V9 Lymphozyteres Choriomeningitis Virus

V10 Machupo Virus

V11 Marburg Virus

V12 Affenpocken Virus

V13 Rifttalfieber Virus

V14 Frühsommer Meningoenzephalitis Virus

V15 Pocken Virus

V16 Venezuelanisches Pferde Enzephalitis

Virus

V17 Westliches Pferde Enzephalitis Virus

V18 White Pox Virus

V19 Gelbfieber Virus

V20 Japanisches Enzephalitis Virus

```

```

R1 Coxiella burnetii

R2 Rickettsia quintana

R3 Rickettsia prowasecki

R4 Rickettsia rickettsii

```

```

B1 Bacillus anthracis

B2 Brucella abortus

B3 Brucella melitensis

B4 Brucella suis

B5 Chlamydia psittaci

B6 Clostridium botulinum

B7 Francisella tularensis

B8 Pseudomonas mallei

B9 Pseudomonas pseudomallei

B10 Salmonella typhi

B11 Shigella dysenteriae

B12 Vibrio cholerae

B13 Yersinia pestis

```

ABSCHNITT II

```

WAREN-GRUPPEN

1 MATERIALIEN

2 MATERIALBEARBEITUNG

3 ELEKTRONIK

4 COMPUTER

5 TELEKOMMUNIKATION

6 SENSOREN

7 AVIONIK

8 MARINETECHNOLOGIE

9 VORTRIEBSTECHNIK

0 ANDERE WAREN

```

```

Teil A Technologietransfer Teil B Nicht Weiterverbreitung

(ABC-Waffentechnologie)

```

```

A Geräte, Baugruppen und Bauteile N A-Waffen relevante Waren

B Prüf- und BW B-Waffen relevante Waren

Fertigungseinrichtungen CW C-Waffen relevante Waren

C Materialien R Trägertechnologie

D Software

E Technologie

```

```

Allgemeine Hinweise zur

Bewilligungspflicht

Eine Ausfuhrbewilligung ist auch

erforderlich:

```

```

erforderlich/wesentlich ist für

die Funktion des zu

exportierenden Endproduktes, bei

der Ausfuhr technisch durch eine

Position dieses Abschnittes

erfaßt wird (identifizierbar als

Listenware).

```

```

„Spezialteil'' einer durch

diesen Abschnitt erfaßten Ware

ist, ohne selbst namentlich

genannt zu sein. (Spezialteile

sind als Bestandteile von Waren

zu verstehen, die für diese

Waren besonders konstruiert und

nur für diese verwendbar sind).

```

```

Entwicklung, die Erzeugung, den

Betrieb, die Wartung usw. von

Waren, die durch diesen

Abschnitt erfaßt werden, wenn

diese auf Datenträgern jeder Art

ausgeführt wird.

```

```

die „Entwicklung'',

„Produktion'' oder

„Verwendung'' erfaßter Waren

gilt als „erfaßt'', auch dann,

wenn diese für nichterfaßte

Waren anwendbar ist.

1 - MATERIALIEN

```

```

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

```

```

ANMERKUNG:

Die Nummern 1R01 bis 1R10

erfassen Einrichtungen, die

entwickelt sind für den Gebrauch

in Raketensystemen der

Nummer 9R01.

```

```

1A01 Bauteile aus fluorierten

Verbindungen;

```

```

Dichtungsmassen und Heizbälge,

speziell konstruiert zur

Verwendung in Luft- und

Raumfahrt, die zu mehr als 50 %

aus von den Nummern 1C09.b oder

c erfaßten Materialien gefertigt

sind;

```

```

Copolymere aus Vinylidenfluorid,

gefertigt:

```

```

Filmen; und

```

```

200 mym;

```

```

Dichtungsmassen, Bälge oder

Diaphragmen aus

Fluorelastomeren, die mindestens

ein Vinylether-Monomer enthalten

und speziell konstruiert sind

zur Verwendung in der Luft- und

Raumfahrt sowie Raketentechnik.

1A02 Verbundwerkstoff-Strukturen 1N01 Verbundwerkstoffe in

oder Laminate: Rohrform mit einem

```

```

aus Materialien gefertigt, die und 400 mm, hergestellt aus den

unter den Nummern 1C10.c, d oder von Nummer 1N31 erfaßten

e erfaßt sind; oder Materialien.

```

```

Kohlenstoff und gefertigt aus:

```

```

Kohlenstoffmaterialien mit:

```

```

mehr als 10,15 x 10 hoch

6 m; und

```

```

Zugfestigkeit vom mehr als

17,7 x 10 hoch 4 m; oder

```

```

1C10.c erfaßt sind;

1A03 Erzeugnisse aus

nichtfluorierten polymeren

Substanzen, die von der Nummer

1C08.a erfaßt sind, in Form von

Filmen, Folien, Bändern und

Streifen:

```

```

0,254 mm; oder

```

```

Kohlenstoff, Graphit,

metallischen oder magnetischen

Substanzen.

1N02 Platinierte Katalysatoren,

besonders konstruiert oder

hergerichtet zur Förderung der

Wasserstoffaustauschreaktion

zwischen Wasserstoff und

Wasser, wie folgt:

```

```

Schwerem Wasser oder

```

```

1N03 Besonders hergerichtete

Füllstoffe aus

Phosphorbronze-Geflecht oder

Kupfer (chemisch behandelt zur

Verbesserung der

Benetzbarkeit), konstruiert zur

Verwendung in

Vakuum-Destillationskolonnen

zur Trennung von Schwerem

Wasser.

1N04 Strahlenschutzfenster hoher

Dichte (zB Bleiglas) mit einer

Seitenlänge größer als 0,3 m,

einer Dichte größer als 3 g/cm3

und einer Dicke größer/gleich

100 mm sowie besonders

konstruierte Rahmen hierfür.

1R01 Verbundstrukturen, Laminate

und Produkte daraus,

einschließlich

harzimprägnierter

Faser-Prepregs und

metallbeschichteter

Faser-Preforms dafür, speziell

konstruiert für die Verwendung

in den in Nummer 9R01 genannten

Systemen und den in Nummer 9R02

genannten Subsystemen,

hergestellt aus organischer

Matrix oder Metallmatrix unter

Verwendung einer Faser- und

Fadenverstärkung mit einer

spezifischen Zugfestigkeit von

mehr als 7,62 x 10 hoch 4 m

(3 x 10 hoch 6 Inches) und

einem spezifischen Modul von

mehr als 3,18 x 10 hoch 6 m

(1,25 x 10 hoch 8 Inches).

B. PRÜF- UND

FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

1B01 Ausrüstungen zur Herstellung

durch von den Nummern 1A02 oder

1C10 erfaßten Fasern, Prepregs,

Vorformen oder

Verbundwerkstoffen, wie folgt,

und speziell hierfür

konstruierte Bauteile und

Zubehör:

1R02

```

```

Bewegungen zur Positionierung, Bewegungen zur Positionierung

Umhüllung und Wicklung von und zum Wickeln der Fäden in

Fasern in drei oder mehr Achsen drei oder mehr Achsen

koordiniert und programmiert und koordiniert und programmiert

die speziell konstruiert sind sind und die für die Fertigung

zur Fertigung von von Verbundstrukturen oder

Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus Faden- oder

Laminaten aus faserigen oder Fasermaterial konstruiert sind,

fadenförmigen Materialien; sowie Koordinations- und

Programmiersteuerungen,

```

```

Spinnkabelplazierungsmaschinen, Bewegungen zur Positionierung

deren Bewegungen zum und zum Legen von Bändern und

Positionieren und Legen von Bögen in zwei oder mehr Achsen

Bändern, Spinnkabeln oder Folien koordiniert und programmiert

in zwei oder mehr Achsen sind und die für die

koordiniert und programmiert ist Herstellung von

und die speziell konstruiert Luftfahrzeugzellen und

sind zur Fertigung von Flugkörperstrukturen aus

Flugzeugzellen und Verbundwerkstoff konstruiert

Flugkörperstrukturen aus sind,

Verbundwerkstoffen;

```

```

multidimensionale Webautomaten Adapter und Modifikationskits,

oder Verkettungsmaschinen zum Weben oder Flechten von

einschließlich Adaptions- und Fasern, die für die Fertigung

Abänderungsbausätze zum Weben, von Verbundstrukturen

Verketten oder Flechten von konstruiert sind;

Fasern zur Fertigung von ausgenommen Textilmaschinen,

Verbundwerkstoff-Strukturen, die für die oben genannten

ausgenommen Maschinen für die Endverwendungszwecke nicht

Textilindustrie, die nicht für modifiziert wurden,

obige Zwecke abgeändert sind;

```

```

konstruiert oder adaptiert zur von Faden- oder Fasermaterial

Fertigung von Verstärkerfasern konstruiert oder modifiziert

wie folgt: wurden:

```

```

von Polymerfasern (wie zB

Polyacrylnitril, Rayon, Teer-

oder Polycarbosilan) in

Kohlenstoff-Fasern oder

Siliciumkarbidfasern

einschließlich besonderer

Geräte zum Strecken der Faser

unter Hitze;

```

```

Beschichtung aus der Gasphase

(CVD) von Elementen oder

Verbindungen auf erhitzte

Filamentsubstrate zur

Fertigung von

Siliciumkarbidfasern;

```

```

von hochschmelzender Keramik

(wie zB Aluminiumoxid);

```

```

von Aluminium, das

Faservorstufen enthält,

mittels Wärmebehandlung in

Aluminiumoxidfasern;

```

```

von Polymerfasern (zB

Polyacrylnitril, Rayon oder

Polycarbosilan), die

spezielle Vorrichtungen zur

Faserbelastung beim Erhitzen

aufweisen;

```

```

von Elementen oder

Verbindungen auf erhitzte

Fasersubstrate; und

```

```

von hitzefesten Keramiken

(zB Aluminiumoxid);

```

```

Prepregs, die in Nummer 1C10.e Faseroberflächenbehandlung oder

erfaßt sind, mittels Fertigung von Prepregs und

Heißschmelzmethode; Preforms konstruiert oder

modifiziert wurden.

Hinweis: Die in diesem Absatz

erfaßten Geräte beinhalten ua.

auch Rollmaschinen,

Ziehmaschinen,

Beschichtungsgeräte,