Vyhláška Ministerstva průmyslu a obchodu, kterou se provádí zákon č. 21/1997 Sb., o kontrole vývozu a dovozu zboží a technologií podléhajících mezinárodním kontrolním režimům

1. Proces nanášení(1)	2. Podkladový substrát	3. Výsledný povlak
A. Chemické nanášení v parní fázi(CVD)	„Vysoce legované slitiny“	Aluminidy pro vnitřní kanály
Keramika (19) a skla s nízkou roztažností(14)	Silicidy
Karbidy
Dielektrické vrstvy (15)
Diamant
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou matricí	Silicidy
Karbidy
Žáruvzdorné kovy
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Aluminidy
Legované aluminidy (2)
Nitrid boru
Cementovaný karbid wolframu (16), karbid křemíku (18)	Karbidy
Wolfram
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Molybden a molybdenové slitiny	Dielektrické vrstvy (15)
Berylium a slitiny berylia	Dielektrické vrstvy (15)
Diamant
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
Materiály okének čidel (9)	Dielektrické vrstvy (15)
Diamant
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
B. Fyzikální nanášení v parní fázi s tepelným odpařením (TE-PVD)
---	---	---
B.1. Fyzikální nanášení v parní fázi (PVD): Elektronový paprsek (EB-PVD)	„Vysoce legované slitiny“	Legované silicidy
Legované aluminidy (2)
(MCrAlX (5)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Silicidy
Aluminidy
Jejich směsi (4)
Keramika (19) a skla s nízkou roztažností (14)	Dielektrické vrstvy (15)
Korozivzdorná ocel (7)	MCrAlX (5)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Jejich směsi (4)
Kompozity s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Silicidy
Karbidy
Žáruvzdorné kovy
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Nitrid boru
Cementovaný karbid wolframu (16) Karbid křemíku (18)	Karbidy
Wolfram
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Molybden a slitiny molybdenu	Dielektrické vrstvy (15)
Berylium a slitiny berylia	Dielektrické vrstvy (15)
Boridy
Berylium
Materiály okének čidel (9)	Dielektrické vrstvy (15)
Slitiny titanu (13)	Boridy
	Nitridy
B.2. Fyzikální nanášení v parní fázi s odporovým ohřevem za podpory iontů (PVD) (iontové pokovování)	Keramika (19) a skla s nízkou roztažností (14)	Dielektrické vrstvy (15)
---	---	---
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Dielektrické vrstvy (15)
Cementovaný karbid wolframu (16), karbid křemíku (18)	Dielektrické vrstvy (15)
Molybden a slitiny molybdenu	Dielektrické vrstvy (15)
Berylium a slitiny berylia	Dielektrické vrstvy (15)
Materiály okének čidel (9)	Dielektrické vrstvy (15)
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
B.3 Fyzikální nanášení v parní fázi (PVD): odpařování „laserem“	Keramika (19) a skla s nízkou roztažností (14)	Silicidy
Dielektrické vrstvy (15)
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Dielektrické vrstvy (15)
Cementovaný karbid wolframu (16), karbid křemíku (18)	Dielektrické vrstvy (15)
	Molybden a slitiny molybdenu	Dielektrické vrstvy (15)
---	---	---
Berylium a slitiny berylia	Dielektrické vrstvy (15)
Materiály okének čidel (9)	Dielektrické vrstvy (15)
Uhlík s vlastnostmi diamantu
B.4 Fyzikální nanášení v parní fázi (PVD): katodický obloukový výboj	„Vysoce legované slitiny“	Legované silicidy
Legované aluminidy (2)
MCrAlX (5)
„Kompozity“ s polymerovou (11) a organickou „matricí“	Boridy
Karbidy
Nitridy
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
C. Cementování v prášku (10) (viz A výše uvedené pro cementování neprováděné v prášku)	„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Silicidy
Karbidy
Jejich směsi (4)
Slitiny titanu (13)	Silicidy
Aluminidy
Legované aluminidy (2)
Žáruvzdorné kovy a slitiny (8)	Silicidy
Oxidy
D. Plazmové stříkání	„Vysoce legované slitiny“	MCrAlX (5)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Jejich směsi (4)
Obrusný nikl-grafit
Obrusné materiály obsahující Ni-Cr-Al
Obrusný Al-Si-polyester
Legované aluminidy (2)
	Slitiny hliníku (6)	MCrAlX (5)
---	---	---
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Silicidy
Jejich směsi (4)
Žáruvzdorné kovy a slitiny (8)	Aluminidy
Silicidy
Karbidy
Korozivzdorná ocel (7)	MCrAlX (5)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Jejich směsi (4)
Slitiny titanu (13)	Karbidy
Aluminidy
Silicidy
Legované aluminidy
Obrusný nikl-grafit
Obrusné materiály obsahující Ni-Cr-Al
Obrusný Al-Si-polyester
E. Nanášení řídké kaše	Žáruvzdorné kovy a slitiny (8)	Tavené silicidy
Tavené aluminidy, nikoli pro odporové topné prvky
„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Silicidy
Karbidy
Jejich směsi
F. Nanášení naprašováním	„Vysoce legované slitiny“	Legované silicidy
Legované aluminidy (2)
Aluminidy modifikované ušlechtilými kovy (3)
MCrAlX (5)
Modifikovaný oxid zirkoničitý (12)
Platina
Jejich směsi (4)
	Keramika a skla s nízkou roztažností (14)	Silicidy
---	---	---
Platina
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
Slitiny titanu (13)	Boridy
Nitridy
Oxidy
Silicidy
Aluminidy
Legované aluminidy (2)
Karbidy
„Kompozity“ s uhlík-uhlíkovou, keramickou a kovovou „matricí“	Silicidy
Karbidy
Žáruvzdorné kovy
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Nitrid boru
Cementovaný karbid wolframu (16)Karbid křemíku (18)	Karbidy
Wolfram
Jejich směsi (4)
Dielektrické vrstvy (15)
Nitrid boru
Molybden a slitiny molybdenu	Dielektrické vrstvy (15)
Berylium a slitiny berylia	Boridy
Dielektrické vrstvy (15)
Berylium
Materiály okének čidel (9)	Dielektrické vrstvy (15)
Uhlík s vlastnostmi diamantu (17)
Žáruvzdorné kovy a slitiny (8)	Aluminidy
Silicidy
Oxidy
Karbidy
G. Iontová implantace	Ocele pro vysokoteplotní ložiska	Přídavky chromu, tantalu nebo niobu (kolumbia)
---	---	---
Slitiny titanu (13)	Boridy
Nitridy
Berylium a slitiny berylia	Boridy
Cementovaný karbid wolframu (16)	Karbidy
Nitridy

POZNÁMKY K TABULCE TECHNIK NANÁŠENÍ

• 1. Výraz ’proces nanášení’ zahrnuje jak opravu a obnovu povlaků, tak i nové povlaky.

• 1. Výraz ’nanášení legovaných aluminidů’ zahrnuje povlaky vyrobené v jednom nebo více krocích, ve kterých se před nebo během nanášení aluminidového povlaku nanáší jeden nebo více prvků byť i nanášených jiným nanášecím procesem. Nezahrnuje ale vícenásobné použití procesů cementace v prášku v jediném kroku pro získání legovaných aluminidů.

• 1. Výraz ’aluminidy modifikované ušlechtilými kovy’ zahrnuje povlaky připravené v několika krocích, v nichž se ušlechtilý kov nebo ušlechtilé kovy ukládají nějakým jiným povlakovým procesem před nanesením aluminidového povlaku.

• 1. Výraz ’jejich směsi’ zahrnuje infiltrovaný materiál, odstupňované kompozice, současně nanášené povlaky a vícevrstvové povlaky, které se získávají jedním nebo více povlakovacími procesy specifikovanými v Tabulce.

• 1. ’MCrAlX’ se vztahuje na povlakovou slitinu, kde M je kobalt, železo, nikl nebo jejich kombinace a X představuje hafnium, ytrium, křemík, tantal v jakémkoli množství nebo v jiných úmyslných přísadách přes 0,01 % hmotnostních v různých podílech a kombinacích, kromě:

a. CoCrAlY povlaků, které obsahují méně než 22 % hmotnostních chromu, méně než 7 % hmotnostních hliníku a méně než 2 % hmotnostních ytria;

b. CoCrAlY povlaků, které obsahují 22 % až 24 % hmotnostních chromu, 10 % až 12 % hmotnostních hliníku a 0,5 % až 0,7 % hmotnostních ytria; nebo

c. NiCrAlY povlaků, které obsahují 21 % až 23 % hmotnostních chromu, 10 % až 12 % hmotnostních hliníku a 0,9 % až 1,1 % hmotnostních ytria.

• 1. Výrazem ’hliníkové slitiny’ se rozumí slitiny, které mají mez pevnosti v tahu 190 MPa nebo větší, měřenou při 293 K (20 °C).

• 1. Výraz ’korozivzdorná ocel’ znamená ocel podle AISI (American Iron and Steel Institute) řady 300 nebo ocel vyhovující ekvivalentním státním normám.

• 1. ’Žáruvzdorné materiály a slitiny’ zahrnují tyto kovy a jejich slitiny: niob, molybden, wolfram a tantal.

• 1. ’Materiály okének čidel’: syntetický korund, křemík, germanium, sulfid zinečnatý, selenid zinečnatý, arsenid galia, diamant, fosfid galia, safír, a tyto halogenidy kovů: materiály okének čidel s průměrem větším než 40 mm z fluoridu zirkonia a fluoridu hafnia.

• 1. „Technologie“ pro jednostupňovou cementaci v prášku pevných profilů křídel není kontrolována podle Kategorie 2.

• 1. ’Polymery’: polyimid, polyester, polysulfid, polykarbonáty a polyurethany.

• 1. ’Modifikovaný oxid zirkoničitý’ se vztahuje na přísady oxidů jiných kovů (např. vápníku, hořčíku, ytria, hafnia, oxidů vzácných zemin) k oxidu zirkoničitému pro stabilizaci určitých krystalografických fází a fázových skladeb. Povlaky používané pro tepelnou bariéru zhotovené z oxidu zirkoničitého modifikovaného vápníkem nebo hořčíkem mísením nebo tavením se nekontrolují.

• 1. ’Slitiny titanu’ se vztahují pouze na slitiny pro letectví a kosmonautiku, které mají mez pevnosti v tahu 900 MPa nebo větší měřenou při 293 K (20 °C).

• 1. ’Skla s nízkou roztažností’ znamenají skla, která mají koeficient tepelné roztažnosti 1 x 10^-7 K^-1 nebo menší měřený při 293 K (20 °C).

• 1. ’Dielektrické vrstvy’ jsou povlaky vytvořené z více vrstev izolačních materiálů v nichž se využívají interferenční vlastnosti systému složeného z materiálů o rozličném indexu lomu pro odrážení, prostup nebo absorpci různých vlnových pásem. Dielektrické vrstvy se zde vztahují na více než čtyři dielektrické vrstvy nebo vrstvy dielektrického/kovového „kompozitu“.

• 1. ’Cementovaný karbid wolframu’ nezahrnuje materiály pro řezné a tvářecí nástroje sestávající z karbidu wolframu/(kobaltu, niklu), karbidu titanu/(kobaltu, niklu), karbidu chromu/nikl-chromu a karbidu chromu/niklu.

• 1. Kontrolnímu režimu nepodléhá „technologie“ speciálně vyvinutá pro nanášení uhlíku s vlastnostmi diamantu na kterýkoli z dále uvedených předmětů: magnetické disky a hlavy, oční brýle z polykarbonátu, zařízení pro výrobu předmětů sloužících k jednorázovému použití, pekárenské zařízení, ventily pro kohoutky, akustické membrány pro reproduktory, součásti motorů pro automobily, řezné nástroje, nástroje pro lisování a děrování, vysoce kvalitní čočky pro fotoaparáty nebo teleskopy, kancelářské automatizované vybavení, mikrofony nebo lékařské přístroje.

• 1. ’Karbid křemíku’ nezahrnuje materiály řezných a tvarovacích nástrojů.

• 1. Keramické substráty v této položce nezahrnují keramické materiály obsahující 5 % hmotnostních nebo více jílu nebo cementu a to jako samostatnou složku nebo v kombinaci obou.

TECHNICKÁ POZNÁMKA K TABULCE TECHNIK NANÁŠENÍ POVLAKŮ

Procesy uvedené ve sloupci 1 tabulky jsou definovány takto:

a. Chemické nanášeni v parní fázi (CVD) je proces pro nanášení krycího povlaku nebo vytvoření povlaku modifikací povrchu, při kterém se na zahřátý substrát ukládá nějaký kov, slitina, „kompozit“, dielektrikum nebo keramika. Plynné reaktanty se rozkládají nebo slučují v blízkosti substrátu, čímž dochází k nanesení žádaného materiálu ve formě prvku, slitiny nebo sloučeniny na substrát. Energii pro tento proces rozkladu nebo chemické reakce lze získat teplem substrátu, plazmou doutnavého výboje nebo „laserovým“ ozářením.

POZN. 1.: Do CVD patří tyto procesy: nanášení směrovaným proudem plynu mimo obal, pulsační CVD, řízený nukleační tepelný rozklad (CNTD), procesy CVD prováděné plazmou nebo za podpory plazmy.

POZN.2.: Obal znamená substrát ponořený do práškové směsi.

POZN.3.: Plynné reaktanty využívané v procesu mimo obal se získávají za použití stejných základních reakcí a parametrů jako v procesu cementace v obalu, až na to, že potahovaný substrát není v kontaktu s práškovou směsí.

b. Fyzikální nanášení v parní fázi s tepelným odpařováním (TE-PVD) je procesem přípravy krycího povlaku prováděný ve vakuu při tlaku pod 0,1 Pa za použití zdroje tepelné energie k odpařování materiálu povlaku. Výsledkem tohoto procesu je kondenzace nebo ukládání odpařené látky na vhodně umístěných substrátech.

Přidávání plynu do vakuové komory během povlakovacího procesu za účelem syntézy sloučených vrstev je obvyklou variantou tohoto procesu.

Běžnou variantou této techniky je také použití svazku iontových nebo elektronových paprsků nebo plazmy za účelem vyvolání nebo podpory nanášení povlaku. Charakteristickým rysem těchto postupů může být použití monitorů k provoznímu měření optických charakteristik a tloušťky povlaků.

Specifické TE-PVD procesy jsou tyto:

• 1. PVD se svazkem elektronových paprsků používající elektronový paprsek k ohřevu a odpaření materiálu, který tvoří povlak;

• 1. PVD s odporovým ohřevem pomocí iontů používající elektrické odporové topné zdroje v kombinaci se zaměřenými iontovými paprsky k vytváření řízeného a jednotného toku odpařených povlakových materiálů;

• 1. „Laserové“ odpařování používající „laserové“ paprsky buď pulsované nebo ve spojité vlně k odpařování materiálu, který tvoří povlak;

• 1. Nanášení v katodickém oblouku používající spotřebovatelnou katodu z materiálu, který vytváří povlak a má obloukový výboj vytvořený na povrchu mžikovým sepnutím uzemněného spouštěče. Řízeným pohybem hoření oblouku se eroduje povrch katody, čímž vzniká vysoce ionizovaná plazma. Anodou může být buď kužel uchycený přes izolátor na obvodu katody nebo komora. Pro nanášení mimo osu přímé viditelnosti se používá předpětí substrátu.

POZN.: Tato definice nezahrnuje nanášení s neřízeným katodickým obloukem bez předpětí na substrátech.

• 1. Iontové pokovování je speciální modifikací obecného procesu TE-PVD, ve kterém se používá plazma nebo jiný zdroj iontů pro ionizaci nanášených látek a na substrát se přikládá záporné předpětí, aby se usnadnilo vyloučení látek z plazmy. Zavádění reaktivních látek, odpařování tuhých látek v provozní komoře a použití monitorů pro provozní měření optických vlastností a tlouštěk povlaků jsou obvyklými modifikacemi tohoto procesu.

c. Cementace v prášku je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo tvorby krycího povlaku, při kterém je substrát ponořován do práškové směsi (obal) skládající se z těchto složek:

• 1. Kovových prášků, které se mají nanést (obvykle hliník, chrom, křemík nebo jejich kombinace);

• 1. Aktivátoru (obvykle halogenidová sůl); a

• 1. Inertního prášku, nejčastěji hliníku.

Substrát a prášková směs jsou uloženy v retortě, která je vyhřívána na teplotu 1030 K (757 °C) a 1375 K (1102 °C) po dobu postačující k nanesení povlaku.

d. Plazmové stříkání je proces přípravy krycího povlaku, v němž plazmový hořák (stříkací pistole), který tvoří a reguluje plazmu, přijímá povlakový materiál ve formě prášku nebo drátu, taví a vrhá ho na substrát, na kterém se pak vytváří celistvě spojený povlak. Plazmovým stříkáním se rozumí buď nízkotlaké plazmové stříkání nebo vysokorychlostní plazmové stříkání.

POZN. 1.: Nízkotlaký znamená tlak nižší než je okolní atmosférický tlak.

POZN. 2.: Vysokorychlostní se vztahuje na rychlost plynu na výstupu trysky, která je vyšší než 750 m/s při 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.

e. Nanášením řídké kaše se rozumí vytvoření povlaku modifikací povrchu nebo tvorba krycího povlaku, při němž kovový nebo keramický prášek s organickým pojivem suspenduje v kapalině a nanese se na substrát buď stříkáním, ponořením nebo natíráním, pak se suší na vzduchu nebo v peci a tepelně zpracovává, aby byl získán žádaný povlak.

f. Naprašování je proces tvorby krycího povlaku založený na jevu přenosu pohybové energie, při němž se v elektrickém poli urychlují kladné ionty směrem k povrchu terče (povlakový materiál). Kinetická energie dopadajících iontů postačuje k tomu, že se z povrchu terče uvolňují atomy, které se ukládají na vhodně nastavený substrát.

POZN. 1.: Tabulka se vztahuje pouze na proces triodového, magnetronového nebo reaktivního naprašování, které se používá pro zvýšení přilnavosti povlaku a rychlosti nanášení a na vysokofrekvenční (RF) naprašování používané za účelem odpařování nekovových povlakových materiálů.

POZN.2.: Pro aktivaci nanášení lze používat iontové paprsky o nízké energii (pod 5 keV).

g. Iontová implantace je proces vytvoření povlaku modifikací povrchu, při němž se prvek, který se má legovat, ionizuje, urychluje gradientem napětí a implantuje se do povrchové vrstvy substrátu. Patří sem procesy, v nichž se iontová implantace provádí současně s naprašováním nebo fyzikálním nanášením v parní fázi pomocí elektronového paprsku.

KATEGORIE 3 - ELEKTRONIKA

3A Systémy, zařízení a součásti

Poznámka 1: Kontrolní režim zařízení a součástí popsaných ve 3A001 nebo 3A002, jiných než popsaných v 3A001.a. až 3A001.a.10. nebo 3A001.a.12., která jsou speciálně konstruovaná nebo které mají totožné funkční charakteristiky jako jiná zařízení, je určen kontrolním režimem těchto jiných zařízení.

Poznámka 2: Kontrolní režim integrovaných obvodů popsaných ve 3A001.a.3. až 3A001.a.9. nebo 3A001.a.12., které jsou pevně naprogramovány nebo vyvinuty pro specifickou funkci v jiných zařízeních, podléhají kontrolním režimům těchto jiných zařízení.

POZN.: Pokud výrobce nebo žadatel nemůže určit kontrolní režim jiného zařízení, řídí se kontrolní režim integrovaných obvodů podle 3A001.a. až 3A001.a.9. a 3A001.a.12.

Pokud integrovaný obvod na křemíkové podložce je „mikropočítačový mikroobvod“ nebo mikroregulátorový mikroobvod popsaný ve 3A001.a.3. a má délku slova operandů resp. dat 8 bitů nebo méně, je kontrolní režim integrovaného obvodu určen ve 3A001.a.3.

3A001 Elektronické součásti:

a. Integrované obvody pro všeobecné použití:

Poznámka 1: Kontrolní režim polovodičových destiček (dokončených nebo nedokončených) s určenou funkcí se řídí podle parametrů uvedených ve 3A001.a.

Poznámka 2: Do integrovaných obvodů patří tyto typy:

„Monolitické integrované obvody“;

„Hybridní integrované obvody“;

„ Vícečipové integrované obvody“;

„Integrované obvody vrstvového typu“, včetně křemíkových obvodů na safírové podložce;

„Optické integrované obvody“.

• 1. Integrované obvody navržené nebo klasifikované jako radiačně odolné, které vydrží:

a. Celkovou radiační dávku 5 x 10^3 Gy (Si) nebo vyšší; nebo

b. Rychlost dávky 5 x 10^6 Gy/s (Si) nebo vyšší;

• 1. „Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“, mikroregulátorové mikroobvody, paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů, analogově číslicové a číslicově analogové převodníky, elektro-optické nebo „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálu“, programovatelná logická pole, integrované obvody neuronových sítí, zákaznické integrované obvody, pro které buď není známa funkce nebo není znám kontrolní režim zařízení, ve kterém bude integrovaný obvod použit, procesory pro Fourierovu rychlou transformaci (FFT), elektricky vymazatelné programovatelné permanentní paměti (EEPROMs), vyrovnávací paměti flash nebo statické paměti s náhodným výběrem (SRAMs), které:

a. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě nad 398 K (125 °C);

b. Jsou určeny k provozu při okolní teplotě pod 218 K (-55 C); nebo

c. Jsou určeny k provozu v celém intervalu okolních teplot od 218 K (-55 °C) do 398 K (125 °C);

Poznámka: 3A001.a.2. neplatí pro integrované obvody pro civilní automobily nebo použití v železničních vlacích.

• 1. „Mikroprocesorové mikroobvody“, „mikropočítačové mikroobvody“ a mikroregulátorové mikroobvody, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

Poznámka: 3A001.a.3. zahrnuje číslicové signální procesory, číslicové maticové procesory a číslicové koprocesory.

a. „Složený teoretický výkon“ („CTP“) 6500 Mtops nebo více a aritmeticko-logickou jednotku s přístupovou šířkou 32 bitů nebo více;

b. Jsou vyrobeny ze složených polovodičů a pracují při hodinových frekvencích přesahujících 40 MHz; nebo

c. Více než jednu datovou nebo instrukční sběrnici nebo sériový komunikační vstupní kanál pro vnější propojení v rámci paralelního procesoru s přenosovou rychlostí přesahující 2,5 Mbyte/s;

• 1. Paměťové integrované obvody vyrobené ze složených polovodičů;

• 1. Integrované obvody analogově číslicových a číslicově analogových převodníků, a to:

a. Analogově číslicové převodníky, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

Viz také 3A101

• 1. Rozlišení 8 bitů nebo větší, ale menší než 12 bitů, s ’celkovou dobou převodu’ menší než 10 ns;

• 1. Rozlišení 12 bitů s ’celkovou dobou převodu’ menší než 200 ns; nebo

• 1. Rozlišení větší než 12 bitů s ’celkovou dobou převodu’ menší než 2μs;

b. Číslicově-analogové převodníky s rozlišením 12 bitů nebo větším a „dobou ustálení“ menší než 10 ns;

Technické poznámky:

• 1. Rozlišení n bitů odpovídá kvantizaci 2^n stavu.

• 1. ’Celková doba převodu’ je obrácená hodnota rychlosti snímání (sample rate).

• 1. Elektro-optické a „optické integrované obvody“ pro „zpracování signálu“, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Jednu nebo více vnitřních „laserových“ diod;

b. Jeden nebo více vnitřních prvků pro detekci světla; a

c. Optické vlnovody;

• 1. Uživatelem programovatelná logická zařízení, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Ekvivalentní počet využitelných hradel větší než 30000 (dvouvstupová hradla); nebo

b. Typickou „dobu zpoždění základního hradla“ menší než 0,4 ns; nebo

c. Překlápěcí frekvenci (toggle frequency) přesahující 133 MHz;

Poznámka:

3A001.a.7. zahrnuje:

• Jednoduchá programovatelná logická zařízení (SPLDs)

• Složitá programovatelná logická zařízení (CPLDs)

• Programovatelná hradlová pole (FPGAs)

• Programovatelná logická pole (FPLAs)

• Programovatelné vnitřní spoje (FPICs)

POZN.:

Uživatelem programovatelná logická zařízení (Field Programmable Logic Devices) jsou také známa jako uživatelem programovatelná hradla (Field programmable gates) nebo uživatelem programovatelná logická pole (Field programmable logic arrays).

• 1. Nevyužito;

• 1. Integrované obvody pro neuronové sítě;

• 1. Zákaznické integrované obvody jejichž funkce není známá nebo kontrolní režim zařízení, ve kterém budou integrované obvody použity není výrobci znám, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Více než 208 vývodů;

b. Typickou „dobu zpoždění základního hradla“ menší než 0,35 ns; nebo

c. Pracovní kmitočet větší než 3 GHz;

• 1. Číslicové integrované obvody jiné než popsané v 3A001.a.3. až 3A001.a.10. a 3A001.a.12., které jsou založeny na jakémkoli složeném polovodiči, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Ekvivalentní počet hradel větší než 3000 (dvouvstupová hradla); nebo

b. Překlápěcí frekvenci překračující 1,2 GHz;

• 1. Procesory pro rychlou Fourierovu transformaci (FFT), které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Provádějí 1024 bodovou komplexní FFT za méně než 1 ms;

b. Provádějí N bodovou komplexní FFT (pokud je N jiné než 1024 bodů) za méně než N log2 N/10240 ms, kde N je počet bodů;

c. Provádějí motýlkové operace (butterfly throughput) s frekvencí vyšší než 5,12 MHz;

b. Mikrovlnná zařízení nebo zařízení pracující s milimetrovými vlnami:

• 1. Vakuové elektronky a katody:

Poznámka: 3A001.b.l. nekontroluje elektronky konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

a. Elektronky s postupnou vlnou, impulsovou nebo trvalou vlnou s těmito charakteristikami:

• 1. Pracující při kmitočtech vyšších než 31 GHz;

• 1. Mající topný prvek katody s dobou náběhu na jmenovitý RF výkon menší než 3 s;

• 1. Elektronky s vázanou dutinou nebo jejich deriváty s „okamžitou šířkou pásma“ větší než 7 % nebo špičkovým výkonem převyšujícím 2,5 kW;

• 1. Elektronky s postupnou vlnou a elektrodou ve tvaru šroubovice nebo jejich deriváty, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. „Okamžitou šířku pásma“ větší než 1 oktáva při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 0,5;

b. „Okamžitou šířku pásma“ menší nebo rovnající se 1 oktávě při součinu jmenovitého průměrného výkonu (v kW) a kmitočtu (v GHz) větším než 1; nebo

c. Jsou „vhodné pro kosmické aplikace“;

b. Zesilovací elektronky se zkříženými poli o zisku větším než 17 dB;

c. Impregnované katody vyvinuté pro elektronky, k výrobě trvalé emisní proudové hustoty při jmenovitých pracovních podmínkách přesahujících 5 A/cm^2;

• 1. Mikrovlnné integrované obvody, které

a. Obsahují „monolitické integrované obvody“; a

b. Pracují při kmitočtech přesahujících 3 GHz;

Poznámka: 3A001.b.2. nekontroluje obvody nebo moduly pro zařízení konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU při kmitočtech nepřesahujících 31 GHz.

• 1. Mikrovlnné tranzistory dimenzované pro provoz na kmitočtech přesahujících 31 GHz;

• 1. Mikrovlnné zesilovače v pevné fázi mající některou z dále uvedených charakteristik:

a. Pracovní kmitočty vyšší než 10,5 GHz a „okamžitou šířkou pásma“ větší než je polovina oktávy; nebo

b. Pracovní kmitočty vyšší než 31 GHz;

• 1. Elektronicky nebo magneticky laditelné pásmové propustě nebo zdrže, které mají více než 5 laditelných resonátorů s možností ladění 1,5:1 přes kmitočtové pásmo (fmax/fmin) za méně než 10 μs a které mají jednu z dále uvedených vlastností:

a. Šířku pásma propustě více než 0,5 % středového kmitočtu; nebo

b. Šířku pásma zdrže méně než 0,5 % středového kmitočtu;

• 1. Mikrovlnné montážní celky schopné pracovat při kmitočtech větších než 31 GHz;

• 1. Směšovače a konvertory vyvinuté k rozšíření kmitočtového rozsahu zařízení popsaných ve 3A002.c, 3A002.e. nebo 3A002.f. nad tam uvedené mezní hodnoty;

• 1. Mikrovlnné zesilovače výkonu obsahující elektronky specifikované ve 3A001.b. a mající všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Pracovní kmitočet nad 3 GHz;

b. Průměrná výstupní hustota výkonu přesahující 80 W/kg; a

c. Objem menší než 400 cm^3;

Poznámka: 3A001.b.8. nekontroluje zařízení konstruované nebo určené pro činnost v civilních telekomunikačních pásmech přidělených podle ITU.

c. Zařízení s akustickou vlnou a speciálně pro ně konstruované, dále uvedené, součásti:

• 1. Zařízení s povrchovou akustickou vlnou a s podpovrchovou akustickou vlnou (tj. zařízení na „zpracování signálu“ používající akusticko-mechanických vibrací (elastických vln) v materiálech, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Nosný kmitočet větší než 2,5 GHz;

b. Nosný kmitočet přesahující 1 GHz, ale nepřesahující 2,5 GHz a mající některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB;

• 1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;

• 1. Šířka pásma větší než 250 MHz; nebo

• 1. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

c. Nosný kmitočet 1 GHz nebo nižší s některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Součin maximální doby zpoždění a šířky pásma (doba v mikrosekundách a šířka pásma v MHz) větší než 100;

• 1. Disperzní zpoždění větší než 10 μs; nebo

• 1. Potlačení postranních laloků kmitočtu větší než 55 dB a šířku pásma větší než 50 MHz;

• 1. Zařízení s prostorovou akustickou vlnou (tj. zařízení na „zpracování signálu“, která používají elastické vlny) jež dovolují přímé zpracování signálů při kmitočtech přesahujících 1 GHz;

• 1. Akusticko-optická zařízení na „zpracování signálu“, která používají interakci mezi akustickými vlnami (prostorovými nebo povrchovými) a světelnými vlnami, dovolující přímé zpracování signálů nebo obrazů, včetně spektrální analýzy, korelace nebo konvoluce;

d. Elektronická zařízení a obvody obsahující součástky vyrobené ze „supravodivých“ materiálů speciálně určených pro činnost při teplotách pod „kritickou teplotou“ alespoň jedné ze „supravodivých“ složek, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Spínání proudu pro číslicové obvody používající „supravodivá“ hradla se součinem doby zpoždění na jedno hradlo (v sekundách) a ztráty výkonu na jedno hradlo (ve wattech) menším než 10^-14 J; nebo

• 1. Frekvenční selekci při všech kmitočtech, kde jsou použity resonanční obvody s hodnotami jakosti Q přesahujícími 10000;

e. Vysokoenergetická zařízení dále uvedená:

• 1. Baterie a foto-voltaické generátory:

Poznámka: 3A001.e. nekontroluje baterie s objemy rovnajícími se nebo menšími než 27 cm^3 (např. standardní články nebo baterie R14).

a. Primární články a baterie, které mají hustotu energie přesahující 480 Wh/kg a dimenzované pro provoz v teplotním rozmezí od méně než 243 K (-30 °C) do více než 343 K (+70 °C);

b. Opakovatelně nabíjitelné články a baterie, které mají ’hustotu energie’ přesahující 150 Wh/kg po 75 cyklech nabití/vybití při vybíjecím proudu C/5 hodin (kde C je jmenovitá kapacita v ampérhodinách), když pracují v teplotním rozmezí od méně než 253 K (-20 °C) do více než 333 K (60 °C);

Technická poznámka:

’Hustota energie’ se získá násobením průměrného výkonu ve wattech (průměrné napětí ve voltech krát průměrný proud v ampérech) dobou vybíjení v hodinách na 75 % naprázdno a vydělením celkovou hmotností článku (nebo baterie) v kg.

c. „Vhodné pro kosmické aplikace“ a radiačně odolná pole fotočlánků s měrným výkonem přesahujícím 160 W/m^2 při pracovní teplotě 301 K (28 °C) při osvětlení wolframovou žárovkou o světelném toku 1 kW/m^2 a teplotě vlákna 2800 K (2527 °C);

• 1. Vysokoenergetické akumulační kondenzátory:

Viz také 3A201.a.

a. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem méně než 10 Hz (jednorázové akumulační kondenzátory), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

• 1. Hustotu energie rovnou nebo větší než 250 J/kg; a

• 1. Celkovou energii rovnou nebo větší 25 kJ;

b. Kondenzátory s opakovacím kmitočtem 10 Hz nebo větším (repetition rated capacitors), které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Jmenovité napětí rovné nebo větší než 5 kV;

• 1. Hustotu energie rovnou nebo větší než 50 J/kg;

• 1. Celkovou energii rovnou nebo větší než 100 J; a

• 1. Životnost rovnou nebo větší než 10000 cyklů nabití/vybití;

• 1. „Supravodivé“ elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované k plnému nabití nebo vybití za méně než jednu sekundu, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

Viz také 3A201.b.

Poznámka: 3A001.e.3. nekontroluje „supravodivé“ elektromagnety nebo solenoidy speciálně konstruované pro lékařské přístroje k zobrazování magnetické rezonance (MRI).

a. Energii dodanou během vybití překračující 10 kJ během první sekundy;

b. Vnitřní průměr vinutí vedoucích proud větší než 250 mm; a

c. Jsou dimenzovány pro magnetickou indukci větší než 8 T nebo „celkovou proudovou hustotu“ ve vinutí větší než 300 A/mm^2;

f. Snímače absolutní polohy se vstupem z otočného hřídele, které mají některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Rozlišení lepší než 1/265000 (rozlišení 18 bitů) z celého rozsahu stupnice; nebo

• 1. Přesnost lepší než ±2,5 úhlové vteřiny.

3A002 Univerzální elektronická zařízení:

a. Záznamová zařízení a pro ně speciálně konstruované zkušební pásky:

• 1. Analogové přístrojové magnetopáskové záznamníky, včetně takových, které dovolují záznam číslicových signálů (např. používající modul s vysokou hustotou číslicového záznamu (HDDR)), které mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Šířku pásma překračující 4 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu;

b. Šířku pásma překračující 2 MHz na jeden elektronický kanál nebo stopu a které mají více než 42 stop; nebo

c. Chybu (základní) časového posunu vůči časovému základu (time displacement (base) error), měřenou v souladu s příslušnými dokumenty IRIG (Inter Range Instrumentation Group) nebo EIA (Electronic Industries Association), menší než ± 0,1μs;

Poznámka: Analogové magnetopáskové záznamníky speciálně konstruované pro civilní video záznamy nejsou považovány za přístrojové magnetopáskové záznamníky.

• 1. Číslicové videorekordéry s magnetickou páskou, které mají maximální přenosovou rychlost na číslicovém rozhraní překračující 360 Mbit/s;

Poznámka: 3A002.a.2. nekontroluje číslicové videorekordéry s magnetickou páskou speciálně konstruované pro televizní záznam používající formát signálu, který může zahrnovat stlačený formát signálu podle normy nebo doporučení ITU, IEC, SMPTE, EBU nebo IEEE pro civilní televizní užití;

• 1. Číslicové přístrojové magnetopáskové přístroje, které používají techniku spirálového snímání nebo techniku pevných hlav a mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Přenosovou rychlost číslicového rozhraní přesahující 175 Mbit/s; nebo

b. Jsou „vhodné pro kosmické aplikace“;

Poznámka: 3A002.a.3. nekontroluje analogové magnetopáskové záznamníky vybavené převodní elektronikou typu HDDR v konfiguraci pro záznam pouze číslicových dat.

• 1. Zařízení s přenosovou rychlostí číslicového rozhraní překračující 175 Mbit/s, která jsou určena k tomu, aby umožnila použití číslicových videorekordérů s magnetickou páskou jako číslicových přístrojových záznamníků dat;

• 1. Digitizéry vlnových průběhů a záznamníky přechodových dějů, které mají obě dále uvedené charakteristiky:

a. Rychlost digitalizace rovnou nebo větší než 200 milionů vzorků za sekundu při rozlišení nejméně 10 bitů; a

b. Spojitý průběh dat 2 Gbit/s nebo více;

Technická poznámka:

Pro přístroje tohoto typu s architekturou paralelních sběrnic je rychlost spojitého přenosu definována jako součin nejvyšší rychlosti přenosu slov násobená počtem bitů ve slově.

Spojitý přenos je nejvyšší rychlost přenosu dat při níž je přístroj schopen dodávat data do velkokapacitní paměti bez ztráty jakékoli informace a při zachování vzorkovací rychlosti a analogově-číslicové převoditelnosti.

b. „Elektronické sestavy“ „kmitočtových syntetizátorů“, které mají „dobu přepínání kmitočtu“ z jednoho vybraného kmitočtu na druhý menší než 1 ms;

c. „Analyzátory signálu“:

• 1. „Analyzátory signálu“ schopné analyzovat kmitočty přesahující 31 GHz;

• 1. „Dynamické analyzátory signálu“, mající „šířku pásma v reálném čase“ přesahující 25,6 kHz;

Poznámka: 3A002.c.2. nekontroluje takové „dynamické analyzátory signálu“, které používají pouze pásmové filtry s konstantním procentem (známé také jako oktávové filtry nebo filtry se zlomky oktáv).

d. Generátory signálů na bázi syntetizátorů kmitočtu produkující výstupní kmitočty, jejichž přesnost a krátkodobá a dlouhodobá stabilita jsou řízeny vnitřním hlavním kmitočtem nebo jsou od něj odvozeny či upraveny, a které mají některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Maximální syntetizovaný kmitočet překračující 31 GHz;

• 1. „Dobu přepínání kmitočtu“ z jednoho vybraného kmitočtu na druhý menší než 1 ms; nebo

• 1. Fázový šum s jedním postranním pásmem (SSB) lepší než (126 + 20 log10F - 20 log10f) v dBc/Hz, kde F je posun od pracovního kmitočtu v Hz a f je pracovní kmitočet v MHz;

Poznámka: 3A002.d nekontroluje zařízení, v němž je výstupní kmitočet bud produkován sečtením nebo odečtením dvou nebo více krystalem řízených kmitočtů nebo jejich sečtením či odečtením, po kterém se výsledek násobí.

e. Síťové analyzátory s maximálním pracovním kmitočtem překračujícím 40 GHz;

f. Mikrovlnné zkušební přijímače, které mají obě dále uvedené charakteristiky:

• 1. Maximální pracovní kmitočet větší než 40 GHz; a

• 1. Schopnost měřit současně amplitudu a fázi;

g. Atomové kmitočtové normály mající některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Dlouhodobou stabilitu (stárnutí) menší (lepší) než 1 x 10^-11/měsíc; nebo

• 1. Jsou „vhodná pro kosmické aplikace“.

Poznámka: 3A002.g.1. nekontroluje rubidiové normály, které nejsou „vhodné pro kosmické aplikace“.

3A101 Elektronická zařízení, přístroje a součásti, jiné než uvedené ve 3A001:

a. Analogově digitální převodníky, použitelné v „raketách“ konstruované tak, aby splňovaly vojenské specifikace pro robustní zařízení;

b. Urychlovače schopné dodávat elektromagnetické záření produkované brzdným zářením z urychlených elektronů 2 MeV nebo větší a systémy obsahující tyto urychlovače.

Poznámka: 3A101.b. nespecifikuje zařízení speciálně konstruované pro lékařské účely.

3A201 Elektronické součásti, jiné než specifikované ve 3A001:

a. Kondenzátory mající jednu z dále uvedených kombinací charakteristik:

• 1. a. Pracovní napětí větší než 1,4 kV;

b. Uchovaná energie větší než 10 J;

c. Kapacita větší než 0,5 μF; a

d. Sériová induktance menší než 50 nH; nebo

• 1. a. Pracovní napětí větší než 750 V;

b. Kapacita větší než 0,25 μF; a

c. Sériová induktance menší než 10 nH;

b. Supravodivé solenoidní elektromagnety mající všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Schopné vytvořit magnetické pole větší než 2 T;

• 1. S poměrem L/D (délka dělená vnitřním poloměrem) větším než 2;

• 1. S vnitřním průměrem větším než 300 mm; a

• 1. S rovnoměrností magnetického pole lepší než 1 % na středových 50 % vnitřního objemu;

Poznámka: 3A201.b. nekontroluje magnety speciálně konstruované a exportované jako součásti’ lékařských snímkovacích systémů s nukleární magnetickou rezonancí (NMR). Výraz jako součásti’ nemusí nezbytně znamenat fyzickou součást v rámci stejné dodávky; oddělené dodávky z různých zdrojů jsou povoleny za předpokladu, že příslušná vývozní dokumentace jasně vymezuje vztah těchto dodávek jako součástí’ snímkovacího systému.

c. Zábleskové rentgenové generátory nebo pulsní elektronové urychlovače mající některou z dále uvedených kombinací charakteristik:

• 1. a. Urychlovače mající maximum energie elektronů 500 ke V nebo větší, avšak menší než 25 MeV; a

b. S ’účinností’ (K) 0,25 nebo vyšší; nebo

• 1. a. Urychlovač mající maximum energie elektronů 25 MeV nebo větší; a

b. ’Špičkový výkon’ větší než 50 MW.

Poznámka: 3A201.c. nekontroluje urychlovače, které jsou součástmi přístrojů, které byly vyvinuty pro jiné účely než je elektronové nebo rentgenové ozařování (např. elektronová mikroskopie) nebo přístrojů vyvinutých pro lékařské účely:

Technické poznámky:

• 1. ’Účinnost’ K je definována jako:

K=1,7×103V2,65Q

V je maximální energie elektronů v megaelektronvoltech.

Jestliže doba trvání pulsu paprsku urychlovače je menší nebo rovna 1 mikrosekundě, pak Q je celkový urychlený náboj v coulombech. Pokud doba trvání pulsu paprsku urychlovače je větší než 1 μs, pak Q je maximální urychlený náboj v jedné mikrosekundě.

Q je rovno integrálu i podle t pro dobu měně než 1 μs nebo dobu trvání pulsu (Q = ∫ idt), kde i je proud paprsku v ampérech a t je doba v sekundách.

• 1. ’Špičkový výkon’ = (špičkové napětí ve voltech) x (špičkový proud paprsku v ampérech).

• 1. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je doba trvání pulsu paprsku menší než 1 μs nebo doba trvání dávky svazku paprsků vyvolaných jedním pulsem mikrovlnného modulátoru.

• 1. Ve strojích založených na mikrovlnných urychlovacích dutinách je špičkový proud paprsku průměrný proud po dobu trvání dávky svazku paprsků.

3A225 Měniče kmitočtů nebo generátory, jiné než specifikované v 0B001.b.13., které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

a. Vícefázový výstup s výkonem 40 W nebo větším;

b. Schopné provozu při frekvenčním rozsahu 600 Hz až 2000 Hz;

c. Celkové harmonické zkreslení lepší (menší) než 10 %; a

d. Řízení kmitočtu lepší než 0,1 %.

Technická poznámka:

Měniče kmitočtů ve 3A225 jsou také známy jako konvertory nebo invertory.

3A226 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém výkonu, jiné než specifikované v 0B001.j.6. mající obě dále uvedené charakteristiky:

a. Schopné nepřetržitého provozu déle než 8 hodin při napětí 100 V nebo větším a výstupním proudu 500 A nebo větším; a

b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu 8 hodin.

3A227 Zdroje stejnosměrného proudu o vysokém napětí, jiné než specifikované ve 0B001.j.5., mající obě z dále uvedených charakteristik:

a. Schopnost nepřetržitého provozu déle než 8 hodin, při napětí 20 kV nebo větším a výstupním proudu 1 A nebo větším; a

b. Se stabilitou proudu nebo napětí lepší než 0,1 % po dobu 8 hodin.

3A228 Spínací zařízení, dále uvedená:

a. Elektronky se studenou katodou, buď plněné nebo neplněné plynem pracující podobně jako jiskřiště, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Obsahují tři nebo více elektrod;

• 1. Špičkové anodové napětí 2,5 kV nebo více;

• 1. Špičkový anodový proud 100 A nebo více; a

• 1. Anodové zpoždění 10 μs nebo méně;

Poznámka: 3A228 zahrnuje plynové krytronové elektronky a vakuové sprytronové elektronky.

b. Spouštěcí jiskřiště mající obě z dále uvedených charakteristik:

• 1. Anodové zpoždění 15 μs nebo menší; a

• 1. Špičkový proud 500 A nebo větší;

c. Moduly nebo montážní celky s rychlou spínací funkcí mající všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Špičkové anodové napětí větší než 2 kV;

• 1. Špičkový anodový proud 500 A nebo větší; a

• 1. Spínací čas 1 μs nebo menší.

3A229 Odpalovací zařízení a ekvivalentní vysokoproudé pulsní generátory:

Viz také Seznam vojenského materiálu.

a. Explosivní rozbuškové odpalovací systémy vyvinuté pro řízení vícenásobně řízených rozněcovačů specifikovaných v 3A232;

b. Modulární elektrické pulsní generátory (pulsovače) mající všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Konstruované pro přenosné a mobilní použití nebo použití ve ztížených podmínkách;

• 1. Uzavřené v prachotěsném obalu;

• 1. Schopnost předat svou energii v méně než 15 μs;

• 1. Mající výstup větší než 100 A;

• 1. Mající ’náběhový čas’ menší než 10 μs při zatížení menším než 40 Ω;

• 1. Žádný rozměr nepřesahuje 254 mm;

• 1. Hmotnost menší než 25 kg; a

• 1. Určeny pro použití v rozšířeném teplotním rozmezí 223 K (-50 °C) až 373 K (100 °C) nebo určeny jako vhodné pro letecké a kosmické použití.

Poznámka: 3A229 zahrnuje budiče pro xenonové výbojky.

Technická poznámka:

V 3A229.b.5. ’náběhový čas’ je definován jako časový interval od 10 % do 90 % proudové amplitudy při odporovém zatížení.

3A230 Vysokorychlostní pulsní generátory mající obě z dále uvedených charakteristik:

a. Výstupní napětí větší než 6 V při odporovém zatížení menším než 55 Ω; a

b. ’Pulsní přechodový čas’ menší než 500 ps.

Technická poznámka:

V 3A230 je ’pulsní přechodový čas’ definován jako časový interval mezi 10 % a 90 % napěťově amplitudy.

3A231 Systémy generující neutrony včetně trubic mající obě z dále uvedených charakteristik:

a. Konstruované pro provoz bez vnějšího vakuového systému; a

b. Využívající elektrostatické zrychlení k vyvolání tritium-deuteriové jaderné reakce.

3A232 Rozněcovače a vícebodové rozbuškové systémy:

Viz také Seznam vojenského materiálu.

a. Elektricky řízené rozněcovače:

• 1. Odpalovací můstek (EB);

• 1. Odpalovací můstkový odpor (EBW);

• 1. Nárazové rozbušky;

• 1. Odpalovací fóliové rozbušky (EFI);

b. Zařízení využívající jednoduché nebo násobné rozbušky, konstruované pro téměř současné odpálení výbušného povrchu (více než 5000 mm^2) jedním signálem k odpálení s rozšířením přes celý povrch za méně než 2,5 μs.

Poznámka: 3A232 nekontroluje rozbušky používající pouze primární výbušniny jako je azid olovnatý.

Technická poznámka:

Rozbušky kontrolované 3A232 používají drobné elektrické vodiče (můstky, můstkové dráty nebo fólie), které se explozivně odpařují, když jimi projde rychlý elektrický impuls o vysokém proudu. V nenárazových typech nastartuje výbušný vodič chemickou detonaci při dotyku s vysoce explozivní látkou jako je PETN (pentaerytritol-tetranitrát). V nárazových rozbuškách přirazí explozivní odpařování elektrického vodiče nárazník přes mezeru a dopad nárazu nastartuje chemickou detonaci. Nárazník je v některých typech spouštěn magnetickou silou. Výraz výbušná fólie může označovat jak odpalovací můstek (EB) tak i rozbušku nárazovou. Slovo iniciátor se někdy používá místo slova rozbuška.

3A233 Hmotnostní spektrometry, jiné než specifikované v 0B002.g., schopné měřit ionty atomové hmoty o 230 atomových hmotnostních jednotkách (amu) nebo větší a mající rozlišovací schopnost lepší než 2 částice při 230, jak jsou dále uvedeny, a iontové zdroje k tomu účelu:

a. Plazmové hmotnostní spektrometry s induktivní vazbou (ICP/MS);

b. Hmotnostní spektrometry s doutnavým výbojem (GDMS);

c. Hmotnostní spektrometry s tepelnou ionizací (TIMS);

d. Hmotnostní spektrometry s elektronovým ostřelováním, které mají komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou;

e. Hmotnostní spektrometry s molekulovým paprskem, které mají:

• 1. Komoru zdroje zhotovenou z nerezové oceli nebo molybdenu a mají vymrazovací kapsu schopnou chlazení na 193 K (-80 °C) nebo méně; nebo

• 1. Komoru zdroje zhotovenou z materiálu odolného proti působení UF6 nebo takovým materiálem pokrytou nebo vyloženou.

f. Hmotnostní spektrometry vybavené mikrofluorizačním iontovým zdrojem, konstruované pro aktinidy nebo fluoridy aktinidů.

3B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení

3B001 Zařízení pro výrobu polovodičových součástek nebo materiálů, jak jsou dále uvedeny a jejich speciálně konstruované součásti a příslušenství:

a. Zařízení pro epitaxiální růst krystalů „řízená uloženým programem“:

• 1. Schopná produkovat vrstvy s rovnoměrností tloušťky méně než ± 2,5 % v rozsahu vzdálenosti 75 mm nebo více;

• 1. Reaktory pro chemickou depozici par z organokovů (metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)) speciálně konstruované pro růst krystalů složených polovodičů chemickou reakcí mezi materiály specifikovanými v 3C003 nebo 3C004;

• 1. Zařízení pro epitaxiální růst s molekulárním svazkem při použití plynných nebo pevných zdrojů;

b. Zařízení „řízená uloženým programem“ konstruovaná pro iontovou implantaci, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Urychlují napětí větší než 1 MeV;

• 1. Jsou speciálně konstruovaná a optimalizovaná pro provoz při urychlujícím napětí menším než 2 ke V;

• 1. Schopnost přímého zápisu; nebo

• 1. Schopná implantace kyslíku při vysokých energiích do zahřáté podložky z polovodičového materiálu.

c. Plazmatická zařízení pro anizotropní leptání za sucha, „řízená uloženým programem“, jak jsou dále uvedena:

• 1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks), která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

• 1. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e., a mající některé z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

d. Zařízení pro chemické nanášení v parní fázi (CVD) za podpory plazmatu „řízené uloženým programem“:

• 1. Zařízení s provozem kazeta-kazeta a uzávěry náplně (load-locks) a mající některou z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b. Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

• 1. Zařízení speciálně konstruovaná pro zařízení specifikovaná v 3B001.e. a mající některé z dále uvedených charakteristik:

a. Magnetické vymezení plazmatu; nebo

b Elektronovou cyklotronovou rezonanci (ECR);

e. Vícekomorové centrální manipulační systémy pro destičky polovodičů s automatickým vkládáním „řízené uloženým programem“, které mají všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Prostředky pro vstup a výstup destiček, k nimž lze připojit více než dvě zařízení na zpracování polovodičů; a

• 1. Jsou konstruovány jako integrovaný systém ve vakuovém prostředí pro sekvenční zpracování mnoha destiček;

Poznámka: 3B001.e. nekontroluje automatické robotizované manipulační systémy pro destičky polovodičů, které nejsou konstruovány pro provoz ve vakuovém prostředí.

f. Litografická zařízení „řízená uloženým programem“, jak jsou dále uvedena:

• 1. Nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací (scanner) zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Vlnovou délku světelného zdroje kratší než 350 nm; nebo

b. Schopnost exponovat obrazce s velikostí ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ 0,5 μm nebo menší;

Technická poznámka:

Velikost ’nejmenšího rozlišitelného prvku’ se vypočítává podle následujícího vzorce:

MRF= lambda x Kna

kde K faktor = 0,7

MRF = velikost nejmenšího rozlišitelného prvku

• 1. Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek nebo zpracování polovodičových součástek za použití vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku, která mají některou z dále uvedených charakteristik:

a. Stopu paprsku menší než 0,2 μm;

b. Jsou schopna vytvořit obrazec o velikosti prvku menší než 1 μm; nebo

c. Mají přesnost překrytí lepší než ± 0,20 μm (3 σ);

g. Masky nebo optické mřížky konstruované pro integrované obvody specifikované ve 3A001;

h. Vícevrstvé masky s vrstvou fázového posunu.

3B002 Zkušební zařízení „řízená uloženým programem“, speciálně konstruovaná pro zkoušení zhotovených nebo rozpracovaných polovodičových součástek dále uvedených a speciálně konstruované součásti a příslušenství pro ně:

a. Pro zkoušení S-parametrů tranzistorových součástek při kmitočtech větších než 31 GHz;

b. Pro zkoušení integrovaných obvodů, která jsou schopna provádět funkční zkoušení podle pravdivostní tabulky při ’rychlosti testovacích vzorků’ větší než 333 MHz;

Poznámka: 3B002 nekontroluje zkušební zařízení speciálně konstruované pro zkoušení:

• 1. „Elektronických sestav“ nebo řad pro použití v domácnosti nebo zařízeních pro zábavu;

• 1. Nekontrolovaných elektronických součástek, „elektronických sestav“ nebo integrovaných obvodů.

Technická poznámka:

Pro účely této položky je ’rychlost vzorku’ definována jako maximální možná frekvence v číslicové operaci zkoušeče. Je proto ekvivalentem nejvýše možné rychlosti dat, kterou zkoušeč může poskytnout. Vztahuje se také na rychlost zkoušení, maximální číslicovou frekvenci nebo maximální číslicovou rychlost.

c. Pro zkoušení mikrovlnných integrovaných obvodů specifikovaných v 3A001.b.2.

3C Materiály

3C001 Heteroepitaxní materiály sestávající z „podložky“ mající více na sobě uspořádaných epitaxně narostlých vrstev z:

a. Křemíku;

b. Germania; nebo

c. Sloučenin galia nebo india typu III/V.

Technická poznámka:

Sloučeniny typu III/V jsou polykrystalické nebo binární nebo komplexní monokrystalické produkty sestávající z prvků skupin IIIA a VA Mendělejevovy periodické tabulky (arsenid galia, arsenid galito - hlinitý, fosfid india).

3C002 Rezistní materiály (rezisty) dále uvedené a „podložky“ potažené kontrolovanými rezisty:

a. Pozitivní rezisty vyvinuté pro polovodičovou litografii optimalizované pro použití expozičního světla s vlnovou délkou pod 350 nm;

b. Všechny rezisty vyvinuté pro použití s elektronovými paprsky nebo iontovými paprsky, o citlivosti 0,01 μC/mm^2 nebo lepší;

c. Všechny rezisty pro použití s rentgenovými paprsky, o citlivosti 2,5 mJ /mm^2 nebo lepší;

d. Všechny rezisty optimalizované pro technologie zobrazování povrchu, včetně ’silylátovaných’ rezistů.

Technická poznámka:

’Silylační’ techniky jsou definovány jako procesy používající oxidaci povrchu rezistu ke zlepšení vlastností jak při suchém, tak při mokrém vyvolávání.

3C003 Organoanorganické sloučeniny:

a. Organokovové sloučeniny hliníku, galia nebo india, které mají čistotu (vztaženo na kov) lepší než 99,999 %;

b. Organické sloučeniny arsenu, antimonu a fosforu a čistotě (vztaženo na anorganickou složku) lepší než 99,999 %.

Poznámka: 3C003 kontroluje jen ty sloučeniny, jejichž kovový, polokovový nebo nekovový prvek je přímo vázán na uhlík organické části molekuly.

3C004 Hydridy fosforu, arsenu nebo antimonu, které mají čistotu lepší než 99,999 %, případně zředěné v inertních plynech nebo vodíku.

Poznámka: 3C004 nekontroluje hydridy, které obsahují 20 molárních procent nebo více inertních plynů nebo vodíku.

3D Software

3D001 „Software“ speciálně určený pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení uvedených ve 3A001.b. až 3A002.g. nebo 3B.

3D002 „Software“ speciálně určený pro „užití“ v zařízeních „řízených uloženým programem“ uvedených ve 3B.

3D003 „Software“ pro počítačem zpracované konstrukce (CAD) určený pro topografii polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů, který má některou z dále uvedených charakteristik:

a. Zahrnuje pravidla pro navrhování nebo pravidla pro ověřování obvodů;

b. Simuluje fyzikální uspořádání obvodů; nebo

c. Obsahuje ’simulátory litografického zpracování’ ve fázi návrhu.

Technická poznámka: ’Simulátor litografického zpracování’ je sada programů používaná ve fázi návrhu pro definování sledu litografických, leptacích a depozičních kroků, které transformují obrazce masek do specifických topografických obrazců ve vodičích, dielektrickém nebo polovodičovém materiálu.

Poznámka 1: 3D003 nekontroluje „software“ speciálně určený pro vstup schémat, logickou simulaci, rozmísťování a propojování (elektrických spojení) ověřování návrhu nebo generaci pásky obrazců.

Poznámka 2: Knihovny, atributy návrhů nebo související data pro návrh polovodičových součástek nebo integrovaných obvodů se pokládají za „technologii“.

3D101 „Software“ speciálně určený nebo upravený pro „užití“ zařízení uvedených ve 3A101.b.

3E Technologie

3E001 „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii (General Technology Note) pro „vývoj“ nebo „výrobu“ zařízení nebo materiálů uvedených v 3A, 3B nebo 3C.

Poznámka: 3E001 nekontroluje „ technologii“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“

a. Mikrovlnných transistorů pracujících při kmitočtech pod 31 GHz;

b. Integrovaných obvodů uvedených v 3A001.a.3. až 3A001.a.12., mající všechny dále uvedené charakteristiky:

• 1. Používají „technologii“ s rozlišením 0,7 μm nebo větším; a

• 1. Nemají ’vícevrstvé struktury’.

Technická poznámka:

Výraz ’vícevrstvé struktury’ v poznámce b.2. k 3E001 nezahrnuje dílce s nejvýše dvěma kovovými vrstvami a dvěma vrstvami polykrystalického křemíku.

3E002 Jiné „technologie“ pro „vývoj“ nebo „výrobu“:

a. Vakuových mikroelektronických součástek;

b. Heterostrukturních polovodičových součástek jako jsou tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů (HEMT), hetero-bipolární tranzistory (HBT) součástky využívající kvantových jevů (quantum well) nebo součástky se supermřížkami;

c. Supravodivých elektronických součástek;

d. Podložek z diamantových vrstev pro elektronické součástky;

e. Křemíkových podložek s izolátorem pro integrované obvody, kde izolátorem je oxid křemičitý;

f. Podložek z karbidu křemíku pro elektronické součástky;

g. „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii jiné než ty, které jsou uvedeny v 3E001 pro „vývoj“ nebo „výrobu“ „mikroprocesorových mikroobvodů“, „mikropočítačových mikroobvodů“ a mikrokontrolových mikroobvodů majících „složený teoretický výkon“ („CTP“) 530 milionů teoretických operací za sekundu (Mtops) nebo více a aritmetickou logickou jednotku s šířkou přístupu 32 bitů nebo více.

Poznámka: Poznámka k 3E001 platí také pro 3E002.g.

3E101 „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení nebo „softwaru“ jak jsou uvedeny v 3A001.a.1. nebo 2., 3A101 nebo 3D101.

3E102 „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“ „softwaru“ uvedená v 3D101.

3E201 „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii pro „užití“ zařízení uvedených v 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 až 3A233.

KATEGORIE 4 - POČÍTAČE

Poznámka 1: Počítače, jejich příslušenství a „software“ vykonávající telekomunikační funkce nebo funkce „lokálních sítí“ se musí také hodnotit podle charakteristik výkonu v kategorii 5, Část 1 (Telekomunikace).

POZN.: Ke kontrolnímu režimu „softwaru“ speciálně navrženému pro přepojování paketů viz 5D001.

Poznámka 2: Řídicí jednotky, které přímo propojují sběrnice nebo kanály základních jednotek, řídicí jednotky „hlavní paměti“ nebo řídicí jednotky diskové paměti se nepovažují za telekomunikační zařízení popsané v kategorii 5, (Část 1 Telekomunikace).

Poznámka 3: Počítače, jejich příslušenství nebo „software“ vykonávající šifrovací funkce, kryptoanalytické funkce, funkce zajišťující víceúrovňové zabezpečení nebo funkce zabezpečující izolaci uživatele, nebo které omezují elektromagnetickou kompatibilitu (EMC), se musí rovněž vyhodnocovat podle charakteristik v Kategorii 5, Část 2 („Bezpečnost informací“).

4A Systémy, zařízení a součásti

4A001 Elektronické počítače a jejich příslušenství uvedené dále a „elektronické sestavy“ a speciálně konstruované součásti:

Viz také 4A101

a. Speciálně konstruované, aby měly některou z dále uvedených charakteristik:

• 1. Určené pro práci při okolní teplotě pod 228 K (-45 °C) nebo nad 358 K (85 °C);

Poznámka: 4A001.a.1. neplatí pro počítače speciálně konstruované pro aplikaci v civilních automobilech a vlacích.

• 1. Jsou radiačně odolné tak, že přesahují některý z těchto parametrů:

a. Celková radiační dávka 5 x 10^3 Gy (křemík);

b. Narušení při rychlosti dávky 5 x 10^6 Gy (křemík)/s; nebo

c. Narušení způsobené jednorázovým dějem 1 x 10^-7 chyb/bit/den;

b. Mají charakteristiky nebo vykonávají funkce, které přesahují meze uvedené v Kategorii 5, Část 2 („Bezpečnost informací“)

Poznámka: 4A001 nekontroluje elektronické počítače a jejich příslušenství, které má jejich uživatel pro osobní potřeby.

4A002 „Hybridní počítače“ uvedené dále a jejich „elektronické sestavy“ a speciálně konstruované součásti:

Viz také 4A102

a. Obsahující „číslicové počítače“ specifikované v 4A003;

b. Obsahující analogově číslicové nebo číslicově analogové převodníky, které mají obě dále uvedené charakteristiky:

• 1. 32 kanálů nebo více; a

• 1. Rozlišení 14 bitů (plus znaménkový bit) nebo větší, s převodní rychlostí 200000 převodů za sekundu nebo více.

4A003 „Číslicové počítače“, „elektronické sestavy“, jejich příslušenství uvedené dále a speciálně pro ně konstruované součásti:

Poznámka 1: 4A003 zahrnuje:

a. Vektorové procesory;

b. Procesorová pole;

c. Komunikační procesory;

d. Logické procesory;

e. Zařízení pro „zlepšení obrazu“;

f. Zařízení pro „zpracování signálů“.

Poznámka 2: Kontrolní status „ číslicových počítačů“ nebo jejich příslušenství popsaných v položce 4A003 je určen kontrolním statusem jiných zařízení nebo systémů za předpokladu, že:

a. „Číslicové počítače“ nebo jejich příslušenství jsou nezbytně nutné pro provoz těchto jiných zařízení nebo systémů;

b. „Číslicové počítače“ nebo jejich příslušenství nejsou „hlavním prvkem“ těchto jiných zařízení nebo systémů; a

POZN. 1: Kontrolní status „zpracování signálů“ nebo „zlepšení obrazu“ speciálně konstruovaných pro jiná zařízení s funkcemi omezenými na funkce vyžadované pro tato jiná zařízení je určen kontrolním statusem těchto jiných zařízení, i když se tak přestupuje kritérium „hlavního prvku“.

POZN. 2: Ke kontrolnímu statusu „číslicových počítačů“ nebo jejich příslušenství pro telekomunikační zařízení, viz Kategorii 5, (Část 1 Telekomunikace).

c. „Technologie“ pro „číslicové počítače“ a jejich příslušenství je uvedena ve 4E.

a. Konstruované nebo upravené pro „poruchovou odolnost“;

Poznámka: Pro účely 4A003.a. se „číslicové počítače“ nebo jejich příslušenství nepokládají za konstruované nebo upravené z hlediska „poruchové odolnosti“, pokud používají:

• 1. Algoritmy detekce nebo korekce chyby v „hlavní paměti“;

• 1. Propojení dvou „číslicových počítačů“ takové, že v případě selhání aktivní základní jednotky, může rezervní, ale zrcadlově pracující základní jednotka dále pokračovat v řízení funkcí systému;

• 1. Propojení dvou základních jednotek datovými kanály nebo použitím sdílené paměti, které dovoluje první základní jednotce provádět jinou práci po dobu, dokud druhá základní jednotka neselže, v kterémžto okamžiku první základní jednotka převezme řízení funkcí systému; nebo

• 1. Synchronizaci dvou základních jednotek pomocí „softwaru“ tak, aby první základní jednotka rozpoznala selhání druhé základní jednotky a převzala její úkoly.

b. „Číslicové počítače“, které mají „složený teoretický výkon“ („CTP“) přesahující 28000 Mtops;

c. „Elektronické sestavy“ speciálně konstruované nebo upravené pro zvýšení výkonu agregací „výpočetních prvků“ („CEs“) takové, že „složený teoretický výkon“ agregátu přesahuje mez uvedenou ve 4A003.b.;

Poznámka 1: 4A 003.c se použije jen na „elektronické sestavy“ a programovatelná propojení nepřesahující meze uvedené ve 4A 003.b., když se dodávají jako nezabudované „elektronické sestavy“. Nepoužije se na „elektronické sestavy“ vnitřně omezené svou konstrukcí pro užití jako příslušenství pro zařízení specifikovaná v 4A003.d. nebo 4A003.e.

Poznámka 2: 4A003.c. nekontroluje „elektronické sestavy“ speciálně konstruované pro nějaký výrobek nebo skupinu výrobků, jejichž maximální konfigurace nepřekračuje meze uvedené ve 4A003.b.

d. Grafické akcelerátory nebo grafické koprocesory překračující „rychlost třírozměrových vektorů“ 200000000;

e. Zařízení provádějící analogově číslicové převody překračující meze uvedené v 3A001.a.5.;

f. Nevyužito;

g. Zařízení speciálně konstruovaná tak, že umožňují externí propojení „číslicových počítačů“ nebo připojených zařízení, která dovolují komunikace s rychlostí dat překračující 1,25 Gbyte/s.

Poznámka: 4A003.g. nekontroluje vnitřní propojovací zařízení (např. propojovací desky, sběrnice), pasivní propojovací zařízení, „řadiče přístupu do sítě“ nebo „řadiče komunikačních kanálů“.

4A004 Počítače uvedené dále a jejich speciálně konstruované příslušenství, „elektronické sestavy“ a součásti:

a. „Systolické počítače“;

b. „Neuronové počítače“;

c. „Optické počítače“.

4A101 Analogové počítače, „číslicové počítače“ nebo číslicové diferenční analyzátory, jiné než specifikované ve 4A001.a.1., které jsou vybaveny pro práci ve ztížených podmínkách a konstruovány nebo upraveny k použití v kosmických nosných prostředcích uvedených v 9A004 nebo sondážních raketách uvedených v 9A104.

4A102 „Hybridní počítače“ speciálně konstruované pro modelování, simulaci nebo návrhovou integraci kosmických nosných prostředků uvedených v 9A004 nebo sondážních raket uvedených v 9A104.

Poznámka: Tato kontrola se provede pouze v případě, že zboží je dodáváno spolu se „softwarem“ specifikovaným ve 7D103 nebo 9D103.

4B Zkušební, kontrolní a výrobní zařízení

Žádné

4C Materiály

Žádné

4D Software

Poznámka: Kontrolní status „softwaru“ pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení popsaných v jiných kategoriích je uveden vždy v příslušné kategorii. Kontrolní status „softwaru“ pro zařízení popsaná v této kategorii je popsán v tomto odstavci.

4D001 „Software“ speciálně určený nebo upravený pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedený ve 4A001 až 4A004 nebo 4D.

4D002 „Software“ speciálně určený nebo upravený pro podporu „technologie“ uvedené ve 4E.

4D003 Specifický „software“:

a. „Software“ operačních systémů, nástroje pro vývoj „softwaru“ a překladače speciálně určené pro zařízení na „zpracování vícenásobného toku dat“ ve „zdrojovém kódu“;

b. „Expertní systémy“ nebo „software“ pro inferenční stroje „expertních systémů“ poskytující současně:

• 1. Časově závislá pravidla; a

• 1. Zákonitosti (primitives) pro manipulaci s časovými charakteristikami pravidel a faktů;

c. „Software“ mající charakteristiky nebo vykonávající funkce, které překračují meze v Kategorii 5, Část 2 („Bezpečnost informací“);

Poznámka: 4D003.c. nekontroluje „software“, který doprovází uživatele a je určen pro jeho osobní potřeby.

d. Operační systémy speciálně konstruované pro zařízení se „zpracováním v reálném čase“, které zaručují „celkovou čekací dobu přerušení“ menší než 20 us.

4E Technologie

4E001 „Technologie“ podle Všeobecné poznámky k technologii pro „vývoj“, „výrobu“ nebo „užití“ zařízení nebo „softwaru“ uvedeného ve 4A nebo 4D.

TECHNICKÁ POZNÁMKA KE „SLOŽENÉMU TEORETICKÉMU VÝKONU“ („CTP“)

Zkratky používané v této technické poznámce

„CE“ „výpočetní prvek“ (typicky aritmeticko-logická jednotka)

FP pohyblivá řadová čárka

XP pevná řadová čárka

t doba výpočtu (provádění operací)

XOR logická funkce nonekvivalence

CPU základní (centrální) jednotka

TP teoretický výkon (jednoho „CE“)

„CTP“ složený teoretický výkon (více „CE“)

R efektivní výpočetní rychlost

WL délka slova

L nastavení délky slova

• násobení

Doba výpočtu t se vyjadřuje v mikrosekundách, TP a „CTP“ se vyjadřuje v milionech teoretických operací za sekundu (Mtops) a WL se vyjadřuje v bitech.

Shrnutí metod výpočtu „CTP“

„CTP“ je mírou výpočetního výkonu udaného v Mtops. Při výpočtu „CTP“ konfigurace výpočetních prvků („CE“) se požadují následující tři kroky:

• 1. Vypočítejte efektivní výpočetní rychlost R pro každý výpočetní prvek „CE“;

• 1. Použijte nastavení délky slova (L) k výpočtu efektivní výpočetní rychlosti R a k získání teoretického výkonu (TP) pro každý výpočetní prvek („CE“);

• 1. Je-li těchto výpočetních prvků („CE“) více než jeden, teoretické výkony TP slučte a získáte složený teoretický výkon („CTP“) pro konfiguraci.

Podrobnosti těchto kroků jsou vysvětleny v následujících odstavcích.

Poznámka 1: Pokud je konfigurace více „CE“ taková, že některé z nich sdílejí paměťové subsystémy a další je nesdílejí, provádí se výpočet „CTP“ hierarchicky ve dvou krocích: za prvé se sdružují skupiny „CE“, které sdílejí paměť; za druhé se počítají „CTP“ skupin s použitím výpočetní metody pro násobné „CE“, které nesdílejí paměť.

Poznámka 2: Výpočetní prvky „CE“, jejichž funkce je omezena na funkce vstupu/výstupu a periferní funkce (např. řídicí jednotky disků, řadiče komunikačních a zobrazovacích jednotek) se nezahrnují do výpočtu „CTP“.

TECHNICKÁ POZNÁMKA K „CTP“

Pro výpočetní prvky („CE“) realizující: Poznámka: Každý „CE“ musí být vyhodnocován nezávisle	Efektivní výpočetní rychlost R
Jenom XP	13*txp add
(Rxp)	Když se nevykonává sčítání, použijte: 1txp mult Když se nevykonává ani sčítání ani násobení, použijte nejrychlejší dostupnou aritmetickou operaci, a to: 13*txp Viz poznámky X & Z
Jenom FP (Rfp)	max1tfpadd,1tfpmult Viz poznámky X & Y
Jak FP, tak XP (R)	Vypočítejte Rxp, Rfp
Pro jednoduché logické procesory nevykonávající žádnou ze specifikovaných aritmetických operací.	13*tlog Kde tlog je doba výpočtu pro XOR nebo nejrychlejší jednoduchá logická operace u logického obvodu nerealizujícího XOR. Viz poznámky X& Z
Pro speciální logické procesory nepoužívající žádnou ze specifikovaných aritmetických nebo logických operací	R = R'*WL/64 kde R' je počet výsledků za sekundu, WL je počet bitů, na kterých probíhá logická operace, a 64 je normalizační faktor na 64-bitové operace.

Poznámka W

Pro výpočetní prvky („CE“) s postupným zpracováním toku dat (pipeline), které jsou schopny zpracovávat více než jednu aritmetickou nebo logickou operaci v každém strojovém cyklu poté, co jsou naplněny daty, může být zavedena specifická rychlost v režimu pipeline. Efektivní výpočetní rychlost (R) pro takové „CE“ je pak maximum rychlosti v režimech využívajících i nevyužívajících pipeline.

Poznámka X

Pro výpočetní prvky, které vykonávají více aritmetických operací konkrétního typu v jednom cyklu (např. dvě sčítání v jednom cyklu) je doba výpočtu t dána vztahem:

t=doba cyklupočet identických operací ve strojovém cyklu

Výpočetní prvky („CE“), které vykonávají různé typy aritmetických nebo logických operací v jednom strojovém cyklu se pokládají za více samostatných výpočetních prvků, které pracují současně (např. výpočetní prvek provádějící sčítání a násobení v jednom cyklu se bere jako dva výpočetní prvky, z nichž první vykonává sčítání v jednom cyklu a druhý provádí násobení, rovněž v jednom cyklu).

Pokud jeden výpočetní prvek provádí skalární i vektorovou funkci, pak použijte hodnotu s kratší dobou výpočtu.

Poznámka Y

Jestliže „CE“ neprovádí žádné sčítání nebo násobení s pohyblivou řádovou čárkou (FP) ale provádí dělení s pohyblivou řádovou čárkou, pak:

Rfp=1tfpdivide

Jestliže „CE“ vykonává operaci převrácené hodnoty v pohyblivé řádové čárce, ale nevykonává FP sčítání, násobení nebo dělení, pak:

Rfp=1tfpreciprocal

Nerealizuje-li se žádná ze specifikovaných instrukcí, je efektivní FP rychlost rovna nule.

Poznámka Z

V jednoduchých logických operacích vykonává jedna instrukce jednu logickou manipulaci s ne více než dvěma operandy daných délek. Ve složitých logických operacích vykonává jedna instrukce více logických manipulací, aby vytvořila jeden nebo více výsledků ze dvou nebo více operandů.

TECHNICKÁ POZNÁMKA K „CTP“

Rychlosti je třeba počítat pro všechny podporované délky operandů uvažujíce jak standardní režim zpracování tak „pipeline“ (pokud přichází v úvahu) za použití nejrychlejší výkonné instrukce pro každou délku operandu v pořadí:

• 1. Pipelinové operace a operace registr - registr. Vypusťte extrémně krátké operační časy, které se mohou vyskytnout pro operace na předem určeném operandu nebo předem určených operandech (například násobení nulou nebo 1). Nerealizují-li se žádné operace registr - registr, pokračujte podle bodu (2).

• 1. Rychlejší z operací registr - paměť nebo paměť - registr; pokud tyto také neexistují, pokračujte podle bodu (3).

• 1. Paměť-paměť.

V každém výše uvedeném případě použijte nejkratší dobu operace zaručovanou výrobcem.

Krok 2: TP pro každou podporovanou délku operandu WL

Nastavte efektivní rychlost R (nebo R´) pomocí nastavení délky slova L takto:

TP = R * L

kde L = (1/3 + WL/96)

Poznámka

Délka slova WL použitá v těchto výpočtech je délka operandu v bitech. (Používají-li se operandy o různé délce, vyberte největší délku slova.)

Kombinace jednotek pro zpracování mantisy a exponentu u procesoru pracujícího v pohyblivé řádové čárce se považuje pro účely výpočtu „CTP“ za jeden „CE“ s délkou slova (WL) rovnou počtu bitů v datové reprezentaci (typicky 32 nebo 64).

Toto nastavení se neuplatňuje na specializované logické procesory, které nepoužívají instrukce XOR. V tomto případě TP = R.

Vyberte maximální výslednou hodnotu TP pro:

Každý „CE“ realizující operace pouze s pevnou řádovou čárkou (Rxp);

Každý „CE“ realizující operace pouze s pohyblivou řádovou čárkou (Rfp);

Každý „CE“ realizující kombinaci operací v pohyblivé a pevné řádové čárce (R);

Každý jednoduchý logický procesor nevykonávající žádnou ze specifikovaných aritmetických operací; a

Každý speciální logický procesor, nepoužívající žádnou ze specifikovaných aritmetických nebo logických operací.

TECHNICKÁ POZNÁMKA K „CTP“

Krok 3: „CTP“ pro kombinace „CE“ včetně CPUs