LegalizeVerordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten über die Bewilligungspflicht der Ausfuhr sowie die Überlassung oder die Vermittlung von Waren im Zollausland
ermöglichen würden, selbst
wenn sie diese zusätzlichen
Platinen nicht enthalten;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.a erfaßt keine
numerischen Steuerungen, die
```
für nicht von dieser Liste
```
erfaßte Maschinen abgeändert und
in solche eingebaut wurden; oder
```
speziell für nicht von dieser
```
Liste erfaßte Maschinen
konstruiert wurden.
```
```
```
Bewegungssteuerplatinen,
```
speziell konstruiert für
Werkzeugmaschinen und mit einem
der folgenden Merkmale:
```
Interpolation von mehr als
```
vier Achsen;
```
geeignet zur
```
Echtzeitverarbeitung, wie in
Nummer 2B01.a.2.a beschrieben;
oder
```
geeignet zum Empfang und zur
```
Verarbeitung von CAD-Daten,
wie in Nummer 2B01.a.2.b
beschrieben;
```
Werkzeugmaschinen für abtragende
```
oder spanende Bearbeitung von
Metallen, Keramiken oder
Verbundwerkstoffen, die gemäß
den technischen Spezifikationen
des Herstellers mit
elektronischen Vorrichtungen zur
simultanen Bahnsteuerung auf
zwei oder mehr Achsen
ausgerüstet werden können, wie
folgt:
```
Werkzeugmaschinen zum Drehen,
```
Schleifen, Fräsen oder jeder
Kombination hiervon, die:
```
zwei oder mehr Achsen haben,
```
die simultan zur
Bahnsteuerung koordiniert
werden können, und
```
eines der folgenden Merkmale
```
haben:
```
zwei oder mehr für eine
```
Bahnbewegung geeignete
Drehachsen;
```
```
ANMERKUNG:
Die c-Achse an
Koordinatenschleifmaschinen, die
verwendet wird, um die
Schleifscheiben normal zur
Arbeitsfläche zu halten, wird nicht
als Drehachse angesehen.
```
```
```
eine oder mehrere
```
bewegliche Spindeln;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.2. gilt nur für
Werkzeugmaschinen zum Schleifen und
Fräsen.
```
```
```
Planlaufabweichung in
```
einer Umdrehung der
Spindel weniger (besser)
als 0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag (TIR
- Total Indicator
Reading);
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.3 gilt nur für
Werkzeugmaschinen zum Drehen.
```
```
```
Rundlaufabweichung in
```
einer Umdrehung der
Spindel besser als
0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
```
Positioniergenauigkeit mit
```
allen verfügbaren
Kompensationen besser als:
```
0,001 Grad auf jeder
```
Rotationsachse; oder
```
0,004 mm entlang jeder
```
linearen Achse
(Gesamtpositionierung) bei
Schleifmaschinen;
```
0,006 mm entlang jeder
```
linearen Achse
(Gesamtpositionierung) bei
Dreh- und Fräsmaschinen;
oder
```
a) eine
```
Positioniergenauigkeit
besser als 0,007 mm; und
```
eine Schlittenbewegung
```
aus der Ruhelage für alle
Schlitten innerhalb 20%
einer
Bewegungsbefehleingabe von
weniger als 0,5 mym.
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.5 erfaßt keine
Fräs- oder Drehwerkzeugmaschinen
mit einer Positioniergenauigkeit
entlang einer Achse mit allen
verfügbaren Kompensationen gleich
oder größer (schlechter) als
0,005 mm.
Kleinstschritt der Bewegungsprüfung
(Schlittenbewegung aus Ruhelage):
Die Prüfung wird nur dann
durchgeführt, wenn die
Werkzeugmaschine mit einer
Steuerung ausgestattet ist, deren
kleinster Schritt weniger (besser)
als 0,5 mym ist.
Bereiten Sie die Maschine zur
Prüfung gemäß Norm ISO 230.2
Absätze 3.1, 3.2 und 3.3.
(DIN/ISO 230 Teil 2 E) vor.
Führen Sie die Prüfung auf jeder
Achse (jedem Schlitten) der
Werkzeugmaschine wie folgt durch:
```
Bewegen Sie die Achse über
```
mindestens 50% des Höchstweges
in die Plus- und Minusrichtungen
zweimal bei höchster
Vorschubgeschwindigkeit, im
Schnellgang oder im Langsamgang;
```
Warten Sie mindestens
```
10 Sekunden;
```
Geben Sie mittels manueller
```
Dateneingabe den kleinsten
programmierbaren Schritt der
Steuerung ein;
```
Messen Sie die Achsenbewegung;
```
```
Deaktivieren Sie die Steuerung
```
mit Hilfe der
Servo-Nullstellung, eines
Rücksetzens oder jeder anderen
Maßnahme, die jedes Signal
(Spannung) im Regelkreis löscht;
```
Wiederholen Sie die Schritte 2
```
bis 5 fünfmal, zweimal in der
Richtung des Achsweges und
dreimal in der entgegengesetzten
Richtung des Achsweges, und zwar
für insgesamt sechs Prüfpunkte;
```
Beträgt die Achsbewegung bei
```
vier der sechs Prüfpunkte
zwischen 80% und 120% der
kleinsten programmierbaren
Eingabe, ist die Maschine
ausfuhrbewilligungspflichtig.
Bei Drehachsen wird die Messung
200 mm vom Rotationsmittelpunkt
entfernt vorgenommen.
ANMERKUNGEN:
```
Nummer 2B01.c.1 erfaßt keine
```
Rundschleifmaschinen für Außen-,
Innen- sowie
Außen/Innen-Schleifen, die alle
folgenden Merkmale aufweisen:
```
nicht-spitzenlose
```
Schleifmaschinen (Schuhtyp);
```
beschränkt auf Rundsschleifen;
```
```
maximaler
```
Werkstück-Außendurchmesser
oder Werkstücklänge von
150 mm;
```
nur zwei Achsen, die simultan
```
zur Bahnsteuerung koordiniert
werden können; und
```
keine c-Bahnachse.
```
```
Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine
```
Maschinen, die speziell als
Koordinatenschleifmaschinen
konstruiert sind und beide der
folgenden Merkmale aufweisen:
```
Achsen beschränkt auf x, y, c
```
und a, wobei die c-Achse dazu
verwendet wird, die
Schleifscheibe normal auf die
Arbeitsfläche zu halten und
die a-Achse zum Schleifen von
Mantelkurven konfiguriert ist;
und
```
eine Rundlaufabweichung der
```
Spindel nicht kleiner (nicht
besser) als 0,0006 mm.
```
Nummer 2B01.c.1 erfaßt keine
```
Werkzeugschleifmaschinen, die
alle folgenden Merkmale
aufweisen:
```
geliefert als komplette Anlage
```
mit speziell konstruierter
Software zur Fertigung von
Werkzeugen;
```
nicht mehr als zwei simultan
```
für eine Bahnsteuerung
koordinierbare Drehachsen;
```
Rundlaufabweichung in einer
```
Umdrehung der Spindel nicht
kleiner (nicht besser) als
0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag; und
```
die Positioniergenauigkeit mit
```
allen verfügbaren
Kompensationen ist weniger
(nicht besser) als:
```
0,004 mm entlang jeder
```
linearer Achsen für
Gesamtpositionierung; oder
```
0,001 Grad für Drehachsen.
```
```
```
2B02 Nicht numerisch gesteuerte
Werkzeugmaschinen zur Erzeugung
optisch hochwertiger
Oberflächen:
```
Drehmaschinen mit einem
```
einschneidigen Werkzeug und mit
allen nachstehenden Merkmalen:
```
Positioniergenauigkeit des
```
Schlittens weniger (besser)
als 0,0005 mm je 300 mm Weg;
```
Schlittenpositionier-
```
Wiederholgenauigkeit in beiden
Richtungen weniger (besser)
als 0,00025 mm je 300 mm Weg;
```
Rundlaufabweichung und
```
Planlaufabweichung der Spindel
weniger (besser) als 0,0004 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
```
Winkelablenkung der
```
Schlittenbewegung (Scher-,
Rollkreis- und Rollwinkel)
weniger (besser) als
2 Bogensekunden
Gesamtmeßuhrausschlag über
vollen Weg; und
```
vertikale Geradlinigkeit
```
weniger (besser) als 0,001 mm
je 300 mm Weg;
```
```
ANMERKUNG:
Die Schlittenpositionier-
Wiederholgenauigkeit R in beide
Richtungen einer Achse ist der
Höchstwert aus der
Positionierwiederholgenauigkeit an
jedem Punkt entlang oder um die
Achse und wird gemäß den in
Teil 2.11 der Norm ISO 230-2: 1988
spezifizierten Verfahren und
Bedingungen bestimmt (DIN/ISO 230
Teil 2 E).
```
```
```
Schlagfräsmaschinen mit beiden
```
folgenden Merkmalen:
```
Rundlaufabweichung und
```
Planlaufabweichung der Spindel
weniger (besser) als 0,0004 mm
Gesamtmeßuhrausschlag, und
```
Winkelablenkung der
```
Schlittenbewegung (Scher-,
Rollkreis- und Rollwinkel)
weniger (besser) als
2 Bogensekunden
Gesamtmeßuhrausschlag;
2B03 Numerisch gesteuerte oder
manuell zu bedienende
Werkzeugmaschinen, speziell
konstruiert zum Fräsen,
Endbearbeiten, Schleifen oder
Honen der folgenden Klassen von
gehärteten (Rc = 40 oder mehr)
Kegelrad- oder
Parallelachsengetrieben, sowie
speziell hierfür konstruierte
Bauteile, Steuerungen und
Zubehöre:
```
gehärtete Kegelradgetriebe mit
```
einer Güte besser als
AGMA 13 (entsprechend ISO 1328
Klasse 4); oder
```
gehärtete Stirnrad-,
```
Schraubenrad- und
Doppelschraubenradgetriebe mit
einem Rollkreisdurchmesser von
mehr als 1250 mm und einer
Spurkranzbreite von 15% des
Rollkreisdurchmessers oder
größer mit einer Güte
entsprechend AGMA 14 oder besser
(entsprechend ISO 1328
Klasse 3);
2B04 Isostatische Warmpressen wie
folgt, sowie speziell hierfür
konstruierte Prägestempel,
Modelle, Bauteile, Zubehör und
Steuerungen:
2R01 „Isostatische Pressen'' für
einen maximalen Arbeitsdruck
von 69 MPa oder mehr und mit
einer Kammer mit einem
Innendurchmesser von mehr als
152 mm und speziell
konstruierte Formen und
Stempel, Steuerungen und
speziell entwickelte Software
hierfür.
```
```
ANMERKUNG:
Die Kammerinnenabmessung ist
jene, in der sowohl die
Arbeitstemperatur als auch der
Arbeitsdruck erreicht werden und
die keine
Befestigungsvorrichtungen
beinhaltet. Diese Abmessung ist
die kleinere von entweder dem
Innendurchmesser der Druckkammer
oder dem Innendurchmesser der
isolierten Brennkammer, je
nachdem welche der beiden Kammern
sich in der anderen befindet.
```
```
```
mit einer Temperaturregelung
```
innerhalb der Druckkammer und
mit einem Innendurchmesser von
406 mm oder mehr, und
```
mit:
```
```
einem maximalen Arbeitsdruck 2N04 siehe Nummer 2R01
```
von mehr als 207 MPa;
```
einer geregelten
```
Arbeitstemperatur von mehr
als 1 773 K (1 500 Grad C);
oder
```
einer Vorrichtung zur
```
Kohlenwasserstoff-
Imprägnierung und zum
Entfernen gasförmiger
Restrückstände.
2R02 Öfen zur chemischen
Abscheidung, die für die
Verdichtung von Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Verbundstoffen
konstruiert oder modifiziert
wurden.
2N05 Drück- und
Fließdrückmaschinen, die:
```
gemäß den technischen
```
Spezifikationen des
Herstellers mit
„numerischen Steuerungen''
oder einer Computersteuerung
ausrüstbar sind, und
```
zwei oder mehr Achsen haben,
```
die simultan zur
Bahnsteuerung koordiniert
werden können,
und Präzisionsdorne zur
Rotorformung, konstruiert zum
Formen zylindrischer Rotoren mit
einem Innendurchmesser zwischen 75
mm und 400 mm sowie speziell
entwickelte Software hierfür.
```
```
ANMERKUNG:
Diese Position erfaßt nur solche
Drückmaschinen, die durch
(mittels) Drücken und Fließdrücken
formen.
```
```
2N06 Vakuum- oder
„Schutzgas''-Induktionsöfen für
Betriebstemperaturen über 850 Grad
C und mit Induktionsspulen mit
einem Durchmesser kleiner oder
gleich 600 mm und
Stromversorgungseinheiten mit
einer Leistung von größer oder
gleich 5 kW, speziell konstruiert
für Induktionsöfen.
```
```
ANMERKUNG:
Diese Nummer erfaßt nicht Öfen,
konstruiert zur Bearbeitung von
Halbleiter-Wafern.
```
```
```
```
ANMERKUNG:
Die Kammerinnenabmessung ist
jene, in der sowohl die
Arbeitstemperatur als auch der
Arbeitsdruck erreicht werden und
die keine Befestigungsvorrichtungen
beinhaltet. Diese Abmessung ist die
kleinere von entweder dem
Innendurchmesser der Druckkammer
oder dem Innendurchmesser der
isolierten Brennkammer, je nachdem
welche der beiden Kammern sich in
der anderen befindet.
```
```
2B05 Ausrüstungen, speziell
konstruiert zum Auftragen,
Bearbeiten und zur
Bearbeitungssteuerung von
anorganischen Belägen,
Beschichtungen und
Oberflächenveränderungen wie
folgt, für nichtelektronische
Substrate, sowie speziell
hierfür konstruierte Bauteile
zur maschinellen Beförderung,
Positionierung, Bedienung und
Steuerung:
```
Speicherprogrammierbare (SPC)
```
Ausrüstung für die chemische
Beschichtung aus der Gasphase
(CVD) mit beiden folgenden
Merkmalen:
```
Verfahren abgeändert für:
```
```
pulsierendes CVD;
```
```
thermische Zersetzung
```
mittels Keimbildung (CNTD);
oder
```
plasmaverstärktes oder
```
plasmagestütztes
CVD-Verfahren; und
```
a) mit eingebauten
```
Hochvakuum-(gleich oder
weniger als 0,01 Pa)
Rotationsdichtungen; oder
```
mit im Gerät integrierter
```
In-situ-
Schichtdickenkontrolle;
```
Speicherprogrammierbare
```
Ionenimplantations-Anlagen mit
Strahlströmen von 5 mA oder
mehr;
```
Speicherprogrammierbare
```
EB-PVD-(Electron Beam Physical
Vapor Deposition)-Anlagen mit
folgenden Einbauten:
```
Stromversorgungen ausgelegt
```
für über 80 kW;
```
mit einem eingebauten
```
Laser-Regelsystem für den
Stand des Flüssigkeitsbads,
das die
Vorschubgeschwindigkeit des
Rohblocks genau regelt, und
```
computergesteuerte
```
Kontrollvorrichtung, die nach
dem Prinzip der
Photolumineszenz der im
Verdampfungsstrom ionisierten
Atome arbeitet, zur Steuerung
der Sedimentationsrate einer
Beschichtung, die zwei oder
mehr Elemente enthält;
```
Speicherprogrammierbare
```
Plasmaspritz-
Fertigungsausrüstung mit einem
der folgenden Merkmale:
```
betrieben in geregelter
```
Niederdruckumgebung (gleich
oder weniger als 10 kPa,
gemessen über und innerhalb
300 mm des
Spritzpistolenausgangs) in
einer Vakuumkammer, die bis zu
0,01 Pa vor dem Spritzprozeß
evakuiert werden kann; oder
```
mit im Gerät integrierter In-
```
situ-Schichtdickenregelung;
```
Speicherprogrammierbare
```
Fertigungsausrüstung zum
Sputtern, ausgelegt für
Stromdichten von 0,1 nA/mm2 oder
höher bei einer
Sedimentationsrate von
15 mym/Stunde oder mehr;
```
Speicherprogrammierbare
```
Fertigungsausrüstung zur
Lichtbogensedimentation mit
eingebautem Gitter aus
Elektromagneten zum Steuern des
Brennpunktes auf der Kathode;
```
Speicherprogrammierbare
```
Fertigungsausrüstung zum
Ionenbeschichten, die eine
In-situ-Messung folgender
Parameter ermöglichen:
```
Schichtdicke auf dem Substrat
```
und Wachstumsregelung; oder
```
optische Eigenschaften.
```
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B05.g erfaßt keine
Standard-
Ionenbeschichtungsausrüstungen für
Fräs- oder Schneidwerkzeuge.
```
```
2B06 Koordinaten-Meßmaschinen oder
Meßsysteme oder Ausrüstungen wie
folgt:
```
Computergesteuerte, numerisch
```
gesteuerte oder
speicherprogrammierbare
Koordinaten-Meßmaschinen, die
beide der folgenden Merkmale
aufweisen:
```
zwei oder mehr Achsen, und
```
```
eine eindimensionale
```
Längen-Messungenauigkeit
gleich oder weniger (besser)
als (1,25 + L/1 000) mym,
geprüft mit einem Prüfling mit
einer Genauigkeit von weniger
(besser) als 0,2 mym (L ist
die gemessene Länge in mm);
```
Linear- und
```
Winkel-Meßinstrumente wie folgt:
```
Linearmeßinstrumente mit einer
```
der folgenden Eigenschaften:
```
Berührungslose Meßsysteme
```
mit einer Auflösung gleich
oder weniger (besser) als
0,2 mym innerhalb eines
Meßbereiches bis zu 0,2 mm;
```
Linear-Spannungs-Differenz-
```
Transformatoren mit beiden
der folgenden Merkmale:
```
Linearität gleich oder
```
kleiner (besser) als 0,1%
innerhalb eines
Meßbereichs bis zu 5 mm,
und
```
Drift gleich oder kleiner
```
(besser) als 0,1%/Tag bei
einer Standard-Prüfraum-
Umgebungstemperatur +-1 K;
oder
```
Meßsysteme mit beiden der
```
folgenden Merkmale:
```
ausgestattet mit einem
```
Laser, und
```
die mindestens 12 Stunden
```
lang über einen
Temperaturbereich von
+-1 K um eine
Standardtemperatur und bei
einem Standarddruck
folgendes beibehalten:
```
eine Auflösung über
```
ihren gesamten Meßbereich
von 0,1 mym oder weniger
(besser), und
```
eine Meßungenauigkeit
```
gleich oder weniger
(besser) als (0,2 +
L/2 000) mym (L ist die
gemessene Länge in mm);
```
Winkelmeßinstrumente mit einer
```
Winkelpositionsabweichung
gleich oder weniger (besser)
als 0,00025 Grad;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 2B06.b.2 erfaßt nicht
optische Instrumente, wie zB
Autokollimatoren, die parallel
gerichtetes Licht zum Erkennen von
Winkelfehlern eines Spiegels
verwenden.
```
```
```
Systeme zur simultanen
```
Linear-Winkel-Kontrolle von
Halbschalen, die beide der
folgenden Merkmale aufweisen:
```
Meßungenauigkeit entlang einer
```
linearen Achse gleich oder
kleiner (besser) als 3,5 mym
je 5 mm; und
```
Winkelpositionsabweichung
```
gleich oder kleiner (besser)
als 0,02 Grad;
```
Ausrüstungen zur Messung von
```
Oberflächenfehlern, die die
optische Streuung als eine
Winkelfunktion mit einer
Empfindlichkeit von 0,5 nm oder
weniger (besser) messen.
```
```
ANMERKUNGEN:
```
Werkzeugmaschinen, die als
```
Meßmaschinen verwendet werden
können, sind dann erfaßt, wenn
sie den für die
Werkzeugmaschinenfunktion oder
die Meßmaschinenfunktion
spezifizierten Kriterien
entsprechen oder diese
überschreiten.
```
Eine in Nummer 2B06 beschriebene
```
Maschine ist dann erfaßt, wenn
die Grenzwerte an irgendeinem
Punkt innerhalb des
Betriebsbereiches überschritten
werden.
```
Der zur Bestimmung der
```
Meßungenauigkeit verwendete
Meßtaster einer
Koordinaten-Meßmaschine ist
definiert in VDI/VDE 2617,
Teile 2, 3 und 4 (teilweise
ÖNORM M 1384).
```
Alle Meßwerte in Nummer 2B06
```
stellen zulässige positive und
negative Abweichungen vom
Sollwert dar, dh. sind nicht das
Gesamtband.
```
```
2B07 Roboter wie folgt und
speziell konstruierte
Steuerungen und Endeffektoren:
```
geeignet, in Echtzeit eine
```
vollständige dreidimensionale
Bildverarbeitung oder
vollständige dreidimensionale
Szenenanalyse durchzuführen, um
damit Programme zu erzeugen oder
abzuändern oder um numerische
Programmdaten zu erzeugen oder
abzuändern;
```
```
ANMERKUNG:
Die Beschränkung bezüglich
Szenenanalyse beinhaltet nicht die
Annäherung an die dritte Dimension
durch Bearbeitung unter einem
gegebenen Winkel oder begrenzte
Grauskalainterpretation zur
Wahrnehmung von Tiefe oder Struktur
(2 1/2 D).
```
```
```
speziell konstruiert gemäß
```
nationaler Sicherheitsnormen,
für explosionsgefährdete
Umgebungen; oder
```
speziell konstruiert oder
```
zugelassen als strahlungsfest
über das Maß hinaus, das zum
Bestand gegen normale
industrielle ionisierende
Strahlung notwendig ist (dh.
nicht für die
Nuklear-Industrie).
2B08 Baugruppen oder Bestandteile,
speziell konstruiert für
Werkzeugmaschinen oder für in
Nummern 2B06 oder 2B07 erfaßte
Ausrüstungen:
```
Spindelbaugruppen, bestehend aus
```
Spindeln und Lagern als
Mindestbaugruppe, mit
Rundlaufabweichung oder
Planlaufabweichung in einer
Umdrehung der Spindel von
weniger (besser) als 0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
```
Linearpositions-
```
Rückmeldeeinheiten, zB induktive
Geber, Meßskalen,
Infrarotsysteme oder
Lasersysteme, die eine
Gesamtgenauigkeit von weniger
(besser) als (800 + (600 x L x
10 hoch -3)) nm aufweisen (L
entspricht der tatsächlichen
Länge in mm);
```
Winkelpositions-
```
Rückmeldeeinheiten, zB induktive
Geber, Meßskalen,
Infrarotsysteme oder
Lasersysteme, die eine
Genauigkeit von weniger (besser)
als 0,00025 Grad aufweisen;
```
Schlittenbaugruppen bestehend
```
aus mindestens Führung, Bett und
Schlitten, die alle der
folgenden Merkmale aufweisen:
```
Scher-, Rollkreis- und
```
Rollwinkel weniger (besser)
als 2 Bogensekunden TIR
(Ablesung über den gesamten
Meßbereich) über vollen Weg
(Referenz: ISO/DIS 230-1 = DIN
8601);
```
eine horizontale
```
Geradlinigkeit von weniger
(besser) als 2 mym je 300 mm
Länge, und
```
eine vertikale Geradlinigkeit
```
von weniger (besser) als 2 mym
je 300 mm Länge;
```
Einpunkt-
```
Diamantenschneidemaschinen-
Einsätze, die sämtliche folgende
Merkmale aufweisen:
```
makellose und spanfreie
```
Schneideenden, wenn 400fach in
jede beliebige Richtung
vergrößert;
```
Schneideradius von 0,1 bis
```
einschließlich 5 mm; und
```
Schneideradius-
```
Rundlaufabweichung weniger
(besser) als 0,002 mm
Gesamtmeßuhrausschlag.
2B09 Speziell konstruierte
bestückte Leiterplatten und
Software hierfür oder
Verbund-Drehtische, die gemäß
den Hersteller-Spezifikationen
geeignet sind, numerische
Steuerungen, Werkzeugmaschinen
oder Rückmeldeeinrichtungen auf
oder über die in Nummer 2B01,
2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06,
2B07 und 2B08 spezifizierten
Werte aufzurüsten.
2R03 Vibrationstestausrüstung mit
Verwendung von digitalen
Steuerungsverfahren und
Rückkopplungs- oder
Closed-Loop-Testausrüstung
hierfür, geeignet für die
Vibrationsbeanspruchung eines
Systems mit 10 g RMS oder mehr
zwischen 20 Hz und 2 000 Hz und
der Aufbringung von Kräften von
50 kN (11 250 Pfund) oder mehr;
2N07 Rotormontage- und
Rotorrichtausrüstung sowie
Dorne zur Sickenformung und
Matrizen hierfür, wie folgt:
```
Rotormontageausrüstung für
```
den Zusammenbau von
Gaszentrifugenteilrohren,
Scheiben und Enddeckeln.
Diese Ausrüstung schließt
Präzisionsdorne,
Haltevorrichtungen und
Einschrumpfvorrichtungen
ein;
```
Rotorrichtausrüstung zum
```
Richten von
Zentrifugenteilrohren auf
eine gemeinsame Achse;
```
```
ANMERKUNG:
Diese Ausrüstung besteht
üblicherweise aus
Präzisionsmeßsonden, die mit einem
Computer verbunden sind, der die
Funktion, zB der Backen zum
Richten der Rotorteile, steuert.
```
```
```
Dorne zur Sickenformung und
```
Matrizen zur Herstellung von
Einfachsicken (Sicken aus
hochfesten
Aluminiumlegierungen,
martensitaushärtendem Stahl
oder hochfesten
Fadenmaterialien).
Die Sicken haben folgende
Abmessungen:
```
Innendurchmesser
```
zwischen 75 mm und
400 mm,
```
Länge größer/gleich
```
12,7 mm und
```
Sickenhöhe größer als
```
2 mm.
2N08 Rotierende
Mehrebenenauswuchtmaschinen,
horizontal oder vertikal, wie
folgt:
```
konstruiert zum Auswuchten
```
von flexiblen Rotoren mit
einer Länge größer/gleich
600 mm, mit allen folgenden
Merkmalen:
```
Rotor- oder
```
Zapfen-Durchmesser
größer/gleich 75 mm,
```
Tragfähigkeit von 0,9 bis
```
23 kg und
```
nutzbare Auswuchtdrehzahl
```
größer als 5 000 U/min;
```
konstruiert zum Auswuchten
```
von hohlzylindrischen
Rotorbauteilen, mit allen
folgenden Merkmalen:
```
Aufnahme-Durchmesser
```
größer/gleich 75 mm,
```
Tragfähigkeit von 0,9 bis
```
23 kg,
```
Eignung zum Auswuchten
```
für eine Restunwucht
kleiner(besser)/gleich
0,01 kgmm/kg pro
Auswuchtebene und
```
Riemenantriebsausführung.
```
2N09 Druckmeßgeräte mit allen
folgenden Eigenschaften:
```
für Drücke bis zu 13 kPa,
```
```
Genauigkeit kleiner (besser)
```
als 1% vom Skalenendwert,
```
mit korrosionsfesten
```
Drucksensoren aus Nickel,
Nickellegierungen,
Phosphorbronze, rostfreiem
Stahl, Aluminium oder
Aluminiumlegierungen.
2N10 Vakuumpumpen mit einem
Ansaugdurchmesser größer/gleich
380 mm mit einer Fördermenge
größer/gleich 15 000 l/s und einem
Endvakuumdruck kleiner (besser)
als 10 hoch -4 Torr (0,76 x 10
hoch -4 mbar).
```
```
TECHNISCHE ANMERKUNG:
Der Endvakuumdruck wird bei
geschlossener Saugseite der Pumpe
bestimmt.
```
```
2N11 Mehrkammer-Leichtgaskanonen
oder andere
Hochgeschwindigkeitsbeschleuni-
gungssysteme (gewickelt,
elektromagnetisch,
elektrothermisch oder andere
fortgeschrittene Systeme) zur
Beschleunigung von Projektilen auf
Geschwindigkeiten größer/gleich 2
km/s.
2N12 siehe Nummer 2R03.
2N13 Vakuum- und
Schutzgasschmelz- und Gießöfen für
die Metallurgie wie folgt, und
speziell konfigurierte
Computerkontroll- und
Beobachtungssysteme und speziell
entwickelte Software hierfür:
```
Lichtbogenumschmelz- und
```
Gießereiöfen mit
Elektrodenkapazitäten
zwischen 1 000 cm3 und
20 000 cm3 und für
Schmelztemperaturen über
1 700 Grad C;
```
Elektronenstrahlschmelz- und
```
Plasmaatomisier- und
Schmelzöfen mit einer
Leistung von 50 kW und mehr
und für einen Betrieb bei
Schmelztemperaturen von mehr
als 1 200 Grad C.
D. SOFTWARE
2D01 Software, speziell
konstruiert oder abgeändert zur Entwicklung, Fertigung oder
Verwendung von in Nummern 2A01,
2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06,
2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05,
2B06, 2B07, 2B08 oder 2B09
erfaßten Geräten.
2D02 Spezielle Software:
Software zur adaptiven Steuerung
für flexible
geeignet, in Echtzeit
automatische Bilderfassung
Infrarotabbildung;
Schallabbildung (hörbarer Bereich);
Tastmessung;
Trägheitspositionierung;
Kraftmessung;
Drehmomentmessung;
ANMERKUNG:
Nummer 2D02.a erfaßt keine
Software, die nur eine Umstrukturierung von funktionell
gleicher Ausrüstung innerhalb der
flexiblen Fertigungseinheiten
bewirkt und vorgespeicherte
Teileprogramme sowie eine
vorgespeicherte Strategie für die Verteilung der Teileprogramme
verwendet.
Software, die anderen als in Nummer 2B01.a/b erfaßten
E. TECHNOLOGIE
2E01 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur Entwicklung von Ausrüstungen
oder Software, die in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04,
2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03,
2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08,
2B09, 2D01 oder 2D02 erfaßt
sind.
2E02 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur Fertigung von Ausrüstungen, die
in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03,
2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02,
2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07,
2B08, 2B09, 2D01 oder 2D02
erfaßt sind.
2E03 Andere Technologie:
Technologie:
Zur Entwicklung von
Zur Entwicklung von
Zur Entwicklung von
Technologie für
Technologie zur Konstruktion
Superplastische Verformung;
Diffusions-Schweißen;
Direktes hydraulisches
Technische Daten, bestehend
Superplastische Verformung
Oberflächenvorbereitung;
Umformungsgeschwindigkeit;
Temperatur;
Druck;
Diffusions-Schweißen von
Oberflächenvorbereitung;
Temperatur;
Druck;
direktwirkendes
Druck;
Zyklusdauer;
heißisostatische Verdichtung
Temperatur;
Druck;
Zyklusdauer;
Technologie zur Entwicklung oder
ANMERKUNGEN:
Der Ausdruck
Der Ausdruck „legierte
Der Ausdruck
Mischungen bestehen aus
MCrAlX bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, wobei
CoCrAlY-Beschichtungen, die
CoCrAlY-Beschichtungen, die 22
NiCrAlY-Beschichtungen, die 21
Der Ausdruck
Der Ausdruck „korrosionfester
Hochschmelzende Metalle bestehen
Sensorfenstermaterialien wie
Technologie zur Einschritt-Packungszementierung
Polymere wie folgt: Polyimide,
Modifizierte Zirkonerde bezieht
Titanlegierungen bezieht sich
Niedrigexpansionsgläser bezieht
Dielektrische Schichten sind
Zementiertes Wolframcarbid
CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) ist ein Belagsbeschichtungsverfahren
CVD beinhaltet folgende
Pack (Packung) bezeichnet ein in
Die Herstellung der gasförmigen
TE-PVD-Verfahren (Thermal
Elektronenstrahl-PVD verwendet
Resistive Erhitzungs-PVD setzt
Laser-Verdampfung verwendet
Kathodenbogen-Sedimentation
Ionplating ist eine spezielle
Packungszementierung ist ein oberflächenveränderndes
den metallischen Pulvern, die
einem Aktivator (normalerweise ein Halidsalz); und
einem inerten Pulver, meist
Plasmaspritzen ist ein Belagsbeschichtungsverfahren,
Niederdruck bedeutet einen Druck
Hochgeschwindigkeit bezieht sich
Schlammsedimentation ist ein oberflächenveränderndes
Sputtersedimentation ist ein Belagsbeschichtungsverfahren,
Die Tabelle bezieht sich nur auf
Langsame Ionenstrahlen (weniger als 5 keV) können zur Aktivierung der Sedimentation
Ionenimplantation ist ein
Sputtersedimentation erfolgt.
3 - ELEKTRONIK - KONSTRUKTION, ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG
```
```
A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND ---------------------------------
BAUELEMENTE ANMERKUNG:
Die Nummern 3R01 und 3R02 erfassen
Einrichtungen, die entwickelt sind
für den Gebrauch in
Raketensystemen der Nummer 9R01.
```
```
```
```
ANMERKUNGEN:
```
Der Erfassungsstatus der in 3A
```
beschriebenen Geräte, Baugruppen
und Bauelemente - außer jenen in
Nummer 3A01.a.3 bis 10 -, die
speziell entwickelt sind als
bzw. die gleichen funktionellen
Eigenschaften haben wie andere
Einrichtungen, richtet sich nach
dem Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen.
```
Der Erfassungsstatus von
```
integrierten Schaltungen (ICs),
beschrieben in Nummer 3A01.a.3
bis 9, die unabänderbar für eine
spezifische Funktion
programmiert oder entwickelt
sind, richtet sich nach dem
Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen.
ANMERKUNG:
Kann der Hersteller oder Anwender
den Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen nicht bestimmen, so
richtet sich der Erfassungstatus
der integrierten Schaltungen nach
Nummer 3A01.a.3 bis 9.
```
```
3A01 Elektronische Einheiten und
Bauelemente:
```
Integrierte Schaltungen für
```
Universalanwendungen, wie folgt:
```
```
ANMERKUNGEN:
```
Der Erfassungsstatus von
```
Halbleiterscheiben (fertig oder
unfertig), bei denen die
Funktion bereits festgelegt ist,
ist nach den Parametern der
Nummer 3A01.a zu bewerten.
```
Integrierte Schaltungen
```
beinhalten die folgenden Typen:
monolithisch integrierte
Schaltungen;
integrierte Hybridschaltungen;
integrierte
Multichip-Schaltungen;
integrierte Schichtschaltungen,
einschließlich integrierte
Silicium-Saphir-Schaltungen;
integrierte optische
Schaltungen.
```
```
```
integrierte Schaltungen,
```
strahlungsfest konstruiert
oder entwickelt, um eine
Gesamtdosis von 5 x 10 hoch
5 rad (Si) oder höher
auszuhalten;
```
integrierte Schaltungen, 3R01 Elektronische Baugruppen und
```
beschrieben in Nummer 3A01.a.3 Bauteile, speziell konstruiert
bis a.10, ausgelegt für einen für militärische Zwecke und den
Betrieb bei einer Einsatz bei Temperaturen über
Umgebungstemperatur unter 125 Grad C.
219 K (-54 Grad C) oder über
398 K (+125 Grad C);
```
```
ANMERKUNG:
Die Temperaturgrenzwerte in
Nummer 3A01.a.2 gelten nicht für
integrierte Schaltungen für zivile
Kraftfahrzeug- oder
Eisenbahntriebwagen.
```
```
```
Mikroprozessor-
```
Mikroschaltungen,
Mikrocomputer-Mikroschaltungen
und Mikrokontroller-
Mikroschaltungen mit einem der
folgenden Merkmale:
```
```
ANMERKUNGEN:
Nummer 3A01.a.3 erfaßt keine
Mikrocomputer-Mikroschaltungen auf
Siliciumbasis oder
Mikrokontroller-Mikroschaltungen,
die eine
Operanden-(Daten)Wortlänge von
8 Bit oder weniger besitzen und
nicht von Anmerkung 2 zu 3A erfaßt
sind.
```
```
```
einer externen
```
Datenbusbreite von mehr als
32 Bit oder eine Arithmetik-
Logik-Einheit (ALU) mit
einer Zugriffsbreite von
mehr als 32 Bit;
```
einer Taktfrequenz von mehr
```
als 40 MHz;
```
einer externen
```
Datenbusbreite von 32 Bit
oder mehr und fähig,
12,5 Millionen
Befehle/Sekunde (MIPS) oder
mehr auszuführen; oder
```
```
ANMERKUNG:
Ist der MIPS-Wert nicht
spezifiziert, ist der Umkehrwert
der durchschnittlichen
Befehlszykluszeit (in mys) zu
verwenden.
```
```
```
mit mehr als einem Daten-
```
oder Befehlsbus oder
seriellem Kommunikationsport
für eine externe Verknüpfung
mit einem Parallelprozessor
mit einer
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 2,4 Mbytes/s;
```
integrierte
```
Speicherschaltungen wie folgt:
```
elektronische löschbare
```
PROMs (EEPROMs) mit einer
Speicherkapazität von:
```
mehr als 1 Mbit/Paket;
```
oder
```
mehr als 256 kbit/Paket
```
und einer maximalen
Zugriffszeit von weniger
als 80 ns;
```
statische RAMs (SRAMs) mit
```
einer Speicherkapazität von:
```
mehr als 1 Mbit/Paket;
```
oder
```
mehr als 256 kbit/Paket
```
und einer maximalen
Zugriffszeit von weniger
als 25 ns;
```
integrierte
```
Speicherschaltungen, die aus
einem Verbindungshalbleiter
gefertigt sind;
```
integrierte
```
Wandler-Schaltungen wie folgt:
```
Analog/Digital-Wandler mit 3R02 Analog-Digital-Wandler,
```
einem der folgenden verwendbar in Systemen laut
Merkmale: Nummer 9R01, mit einer der
nachfolgenden Charakteristiken:
```
einer Auflösung von 8 Bit, a) konstruirt im Hinblick auf
```
oder mehr, jedoch weniger die Erfüllung militärischer
als 12 Bit, mit einer Spezifikationen für
Gesamtkonvertierungszeit gehärtete Ausrüstungen oder
bis maximale Auflösung b) konstruiert oder modifiziert
von weniger als 10 ns; für militärische Zwecke und
von einem der nachstehenden
```
einer Auflösung von 12 Bit Typen:
```
bei einer
Gesamtkonvertierungszeit
bis maximale Auflösung von
weniger als 200 ns; oder
```
einer Auflösung von mehr
```
als 12 Bit bei einer
Gesamtkonvertierungszeit
bis maximale Auflösung von
weniger als 2 mys;
```
Digital/Analog-Wandler mit 1. Analog-Digital-Wandler
```
einer Auflösung von 12 Bit „Mikroschaltkreise'', die
oder mehr und einer „strahlungsgehärtet'' sind
Einstellzeit von weniger oder alle nachstehenden
als 10 ns; Charakteristiken aufweisen:
```
ausgestattet mit einer
```
Auflösung von 8 Bits oder
mehr;
```
ausgelegt für den Betrieb
```
in Temperaturbereichen von
unter minus 54 Grad C bis
über plus 125 Grad C; und
```
hermetisch abgedichtet;
```
```
Elektrischer Eingang vom Typ
```
Analog-Digital-Wandler,
gedruckte Schaltkreise oder
Module, mit allen
nachstehend genannten
Charakteristiken:
```
ausgestattet mit einer
```
Auflösung von 8 Bits oder
mehr;
```
ausgelegt für den Betrieb
```
in Temperaturbereichen von
unter minus 54 Grad C bis
über plus 125 Grad C; und
```
ausgestattet mit den unter
```
```
genannten
```
„Mikroschaltkreisen''.
```
Elektro-optische oder optische
```
integrierte Schaltungen für
Signaldatenverarbeitung mit
allen folgenden Merkmalen:
```
einer oder mehreren internen
```
Laserdioden;
```
einem oder mehreren internen
```
Lichterkennungselementen;
und
```
Hohlleitern;
```
```
Programmierbare Gate-Arrays
```
mit einem der folgenden
Merkmale:
```
einer äquivalenten
```
Gatterzahl von mehr als
30 000 (zwei
Eingangsgatter); oder
```
einer typischen Grundgatter-
```
Verzögerungszeit von weniger
als 0,4 ns;
```
Programmierbare Logic-Arrays
```
mit einem der folgenden
Merkmale:
```
einer äquivalenten
```
Gatterzahl von mehr als
5 000 (zwei Eingangsgatter);
oder
```
einer Schalt-Frequenz von
```
mehr als 100 MHz;
```
integrierte Schaltungen für
```
Neurale Netze;
```
Kundenspezifische integrierte
```
Schaltungen, bei denen
entweder die Funktion oder der
Erfassungsstatus der
Endausrüstung dem Hersteller
nicht bekannt sind, einem der
folgenden Merkmale:
```
mehr als 144 Anschlüsse;
```
```
eine typische Grundgatter-
```
Verzögerungszeit von weniger
als 0,4 ns haben; oder
```
eine Betriebsfrequenz von
```
mehr als 3 GHz;
```
digitale integrierte
```
Schaltungen, außer jenen in
Nummer 3A01.a.3 bis a.10, auf
der Basis eines
Verbindungshalbleiters und mit
einem der folgenden Merkmale:
```
einer äquivalenten
```
Gatterzahl von mehr als 300
(2 Eingangsgatter); oder
```
einer Schalt-Frequenz von
```
mehr als 1,2 GHz;
```
Mikrowellen- oder
```
Millimeterwellen-Bauelemente:
```
Vakuum-Elektro-Röhren und
```
Kathoden wie folgt:
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.1 erfaßt keine
Röhren, die für einen Betrieb in
Standard-Bändern der zivilen
Telekommunikation bei Frequenzen
von nicht mehr als 31 GHz
entwickelt oder ausgelegt sind.
```
```
```
Wanderfeldröhren wie folgt:
```
```
mit einer Betriebsfrequenz
```
höher als 31 GHz;
```
mit einem
```
Kathodenheizelement mit
einer Einschaltzeit auf
RF-Nennleistung von
weniger als 3 Sekunden;
```
Gekoppelte Hohlraumröhren
```
oder Abwandlungen hiervon;
```
Helix-Röhren oder
```
Abwandlungen hiervon mit
einem der folgenden
Merkmale:
```
- einer Momentanbandbreite
```
von einer halben Oktave oder
mehr, und
```
dem Produkt aus
```
durchschnittlicher
Nennausgangsleistung (kW)
und der
Höchstbetriebsfrequenz (GHz)
von mehr als 0,2;
```
- einer Momentanbandbreite
```
von weniger als einer halben
Oktave; und
```
dem Produkt aus
```
durchschnittlicher
Nennausgangsleistung (kW)
und der
Höchstbetriebsfrequenz (GHz)
von mehr als 0,4; oder
```
raumfahrtqualifiziert;
```
```
Cross-Field-Verstärkerröhren
```
mit einer Verstärkung von
mehr als 17 dB;
```
Imprägnierte Kathoden für
```
Elektro-Röhren mit einem der
folgenden Merkmale:
```
Einschaltzeit auf
```
Nennemission von weniger
als 3 Sekunden; oder
```
die eine kontinuierliche
```
Emissionsstromdichte bei
Nennbetriebsbedingungen
von mehr als 5 A/cm2
erzeugen;
```
integrierte
```
Mikrowellenschaltungen oder
Mikrowellenmodule mit
integrierten monolithischen
Schaltungen mit
Betriebsfrequenzen von mehr
als 3 GHz;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.2 erfaßt keine
Schaltungen oder Module für Geräte,
die ausschließlich in
Standard-Bändern der zivilen
Telekommunikation bei Frequenzen
von nicht mehr als 31 GHz betrieben
werden.
```
```
```
Mikrowellentransistoren,
```
ausgelegt für einen Betrieb
bei Frequenzen von mehr als 31
GHz;
```
Mikrowellen-Verstärker auf
```
Halbleiterbasis:
```
mit einer Betriebsfrequenz
```
von mehr als 10,5 GHz und
mit einer Momentanbandbreite
von mehr als einer halben
Oktave; oder
```
mit einer Betriebsfrequenz
```
von mehr als 31 GHz;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.4 erfaßt keine
folgenden Verstärker:
```
speziell konstruiert für
```
medizinische Anwendungen;
```
speziell konstruiert zur
```
Verwendung in einfachen
Lehrbehelfen; oder
```
mit einer Ausgangsleistung von
```
nicht mehr als 10 W und speziell
konstruiert für:
```
industrielle oder zivile
```
Einbruchsicherungs-,
Erkennungs- und Alarmsysteme;
```
Bewegungsablaufsteuerungs- und
```
Zählsysteme in Verkehr und
Industrie; oder
```
Systeme zur Erkennung von
```
Luft- oder
Wasserverschmutzung.
```
```
```
Elektronisch oder magnetisch
```
abstimmbare Bandpässe oder
Sperrfilter mit mehr als
5 abstimmbaren Resonatoren,
zur Abstimmung in einem 1,5:1
Frequenzband (f(max)/f(min))
in weniger als 10 mys, mit:
```
einer Bandpaß-Bandbreite von
```
mehr als 0,5% der
Mittenfrequenz; oder
```
einer Sperrfilter-Bandbreite
```
von weniger als 0,5% der
Mittenfreqeunz;
```
Mikrowellen-Baugruppen, mit
```
einer Betriebsfrequenz von
mehr als 31 GHz;
```
Flexible Hohlleiter,
```
konstruiert für einen Einsatz
bei Frequenzen von über
40 GHz;
```
Akustische Einrichtungen wie
```
folgt und speziell konstruierte
Bauelemente hierfür:
```
Vorrichtungen mit akustischen
```
Oberflächenwellen und mit
akustischen oberflächennahen
Volumenwellen mit:
```
einer Trägerfrequenz von
```
mehr als 1 GHz; oder
```
einer Trägerfrequenz von
```
1 GHz oder weniger und:
```
eine Nebenkeulendämpfung
```
von mehr als 55 dB;
```
einem Produkt aus
```
Höchstverzögerungszeit und
Bandbreite (Zeit in mys
und Bandbreite in MHz
ausgedrückt) von mehr als
100; oder
```
einer dispergierenden
```
Verzögerung von mehr als
10 mys;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.c.1. erfaßt keine
speziell für Haushalts- und
Unterhaltungselektronik
konstruierte Bausteine.
```
```
```
Einrichtungen mit akustischen
```
Volumenwellen, die eine
direkte Verarbeitung von
Signalen bei Frequenzen von
mehr als 1 GHz erlauben;
```
akustisch-optische
```
Signalaufbereitungseinrich-
tungen, die die Wechselwirkung
zwischen akustischen Wellen
und Lichtwellen ausnutzen und
die eine unmittelbare
Aufbereitung von Signalen oder
Bildern ermöglichen,
einschließlich Spektroanalyse,
Korrelation und Konvolution;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.c.3 erfaßt keine
Bausteine, speziell konstruiert für
zivile Fernseh-, Video-AM- und
FM-Rundfunkeinrichtungen.
```
```
```
Elektronische Einrichtungen oder
```
Schaltungen mit Bauelementen,
gefertigt aus supraleitfähigen
Materialien, speziell
konstruiert für einen Betrieb
bei Temperaturen unter der
kritischen Temperatur von
mindestens einem der
supraleitfähigen Bestandteile,
und mit einem der folgenden
Merkmale:
```
elektromagnetische
```
Verstärkung:
```
bei Frequenzen gleich oder
```
kleiner als 31 GHz mit einem
Rauschwert von weniger als
0,5 dB; oder
```
bei Frequenzen von mehr als
```
31 GHz;
```
Stromschaltung für digitale
```
Schaltungen, die supraleitende
Gatter mit einem Produkt aus
Verzögerungszeit/Gatter (in
Sekunden) und der
Verlustleistung/Gatter (in
Watt) von weniger als 10 hoch
-14 J verwenden; oder
```
Frequenzwahl bei allen
```
Frequenzen mit Schwingkreisen
mit Q-Werten von mehr als
10 000;
```
hochenergetische Bausteine wie
```
folgt:
```
Batterien wie folgt:
```
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.e.1 erfaßt keine
Batterien mit Volumina gleich oder
kleiner 26 cm3 (zB herkömmliche
C-Zellen oder UM-2-Batterien):
```
```
```
Primärzellen und Batterien
```
mit einer Energiedichte von
mehr als 350 Wh/kg und
ausgelegt für einen Betrieb
innerhalb eines
Temperaturbereiches von
unter 243 K (-30 Grad C) bis
über 343 K (+70 Grad C);
```
Wiederaufladbare Zellen und
```
Batterien mit einer
Energiedichte von mehr als
150 Wh/kg nach
75 Lade-/Entladezyklen bei
einem Entladungsstrom gleich
C/5 Stunden (wobei C die
Nennkapazität in Ampere-
Stunden ist), wenn sie
innerhalb eines
Temperaturbereiches von
unter 253 K (-20 Grad C) bis
über 333 K (+60 Grad C)
arbeiten;
```
```
ANMERKUNG:
Die Energiedichte wird durch
Multiplikation der
durchschnittlichen Leistung in Watt
(durchschnittliche Spannung in Volt
mal durchschnittlicher Strom in
Ampere) mit der Entladungsdauer in
Stunden bis 75% der
Leerlaufspannung, dividiert durch
die Gesamtmasse der Zelle (oder
Batterie) in kg erhalten.
```
```
```
raumfahrtqualifizierte und
```
strahlungsfeste
Solargeneratoren mit einer
spezifischen Leistung von
mehr als 160 W/m2 bei einer
Betriebstemperatur von 301 K
(+28 Grad C) unter einer
Wolframbeleuchtung von 1
kW/m2 bei 2 800 K (2 527
Grad C);
```
Hochleistungs- 3N01 Elektronische Ausrüstung wie
```
Speicherkondensatoren wie folgt: folgt:
```
Kondensatoren mit einer a) Kondensatoren wie folgt:
```
Folgefrequenz der Entladepulse 1. Betriebsspannung größer
von weniger als 10 Hz als 1,4 kV, gespeicherte
(monostabile Kondensatoren) mit Energie größer als 10 J,
einem der folgenden Merkmale: Kapazität größer als
```
einer Nennspannung gleich oder 0,5 myF und
```
größer als 5 kV; Reiheninduktivität
```
einer Energiedichte gleich oder kleiner als 50 nH,
```
größer als 250 J/kg; und 2. Betriebsspannung größer
```
einer Gesamtenergie gleich oder als 750 V, Kapazität
```
größer als 25 kJ; größer als 0,25 myF und
```
Kondensatoren mit einer Reiheninduktivität
```
Folgefrequenz der Entladepulse kleiner als 10 nH;
von 10 Hz oder mehr (repetition b) Supraleitende
rated capacitors) mit einem der Solenoid-Elektromagnete mit
folgenden Merkmale: allen folgenden
```
einer Nennspannung gleich oder Eigenschaften:
```
größer als 5 kV; 1. geeignet zum Aufbau
```
einer Energiedichte gleich oder magnetischer Felder
```
größer als 50 J/kg; größer als 2 Tesla
```
einer Gesamtenergie gleich oder (20 kGauß),
```
größer als 100 J; und 2. L/D-Verhältnis größer
```
einer Lade/Entladezykluszahl als 2 (L/D-Verhältnis
```
gleich oder größer als 10 000; ist die Länge bezogen
```
Supraleitende Elektromagnete auf den inneren
```
oder Solenoide, speziell Durchmesser),
konstruiert zur völligen Ladung 3. Innendurchmesser größer
oder Entladung in weniger als als 300 mm,
einer Minute, mit allen 4. Gleichmäßigkeit des
folgenden Merkmalen: Magnetfeldes im Bereich
der innenliegenden 50%
des inneren Volumens
besser als 1%;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3N01.b erfaßt nicht
Magnete, besonders konstruiert für
medizinische NMR-Bildsysteme
(nuclear magnetic resonance
imaging systems).
```
```
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.e.3 erfaßt keine
supraleitenden Elektromagnete oder
Solenoide, die speziell für
medizinische Einrichtungen der
Kernspintomografie (MRI)
konstruiert sind.
```
```
```
die höchste während der c) Röntgenblitzgeneratoren oder
```
Entladung gelieferte Energie gepulste
dividiert durch die Elektronenbeschleuniger mit
Entladungsdauer beträgt mehr als einer Spitzenleistung
500 kJ/Minute; größer/gleich 500 keV wie
```
einem Innendurchmesser der folgt:
```
stromführenden Windungen von ---------------------------------
mehr als 250 mm; und ANMERKUNG:
```
ausgelegt für eine Nummer 3N01.c erfaßt
```
Magnetinduktion vom mehr als 8 T Beschleuniger als Bestandteile
oder einer Gesamtstromdichte in von Geräten, die für die
der Wicklung von mehr als Anwendungsgebiete außerhalb der
300 A/mm2; Elektronen- oder
```
Schaltungen oder Systeme zur Röntgenbestrahlung (zB
```
elektromagnetischen Elektronenmikroskopie) oder für
Energiespeicherung mit medizinische Zwecke entwickelt
Elementen, gefertigt aus wurden.
supraleitenden Materialien, ---------------------------------
speziell konstruiert für einen 1. Spitzenelektronenenergie des
Betrieb bei Temperaturen unter Beschleunigers größer/gleich
der kritischen Temperatur von 500 keV, aber nicht kleiner als
mindestens einem ihrer 25 MeV und ein Gütefaktor K
supraleitenden Bestandteile, mit größer/gleich 0,25,
allen folgenden Merkmalen: 2. Spitzenelektronenenergie des
```
Resonanzbetriebsfrequenzen von Beschleunigers größer/gleich 25
```
mehr als 1 MHz; MeV und Spitzenleistung größer
```
einer gespeicherten als 50 MW (Spitzenleistung =
```
Energiedichte von 1 MJ/m3 oder Produkt aus Spitzenpotential in
mehr; und Volt und Spitzenstrahlstrom in
```
einer Entladezeit von weniger Ampere).
```
als 1 ms;
```
Röntgensysteme des ---------------------------------
```
Blitzlichttypes einschließlich TECHNISCHE ANMERKUNG:
Röhren, mit allen folgenden
Merkmalen: 1. Im Sinne von Nummer 3N01.c ist
```
einer Spitzenleistung von mehr der Gütefaktor K definiert als:
```
als 500 MW; K = 1,7 x 10 hoch 3 x V hoch
```
einer Ausgangsspannung von mehr 2,65 x Q,
```
als 500 kV; und V = Spitzenelektronenenergie
```
einer Impulsbreite von weniger in MeV,
```
als 0,2 mys; Q = gesamte beschleunigte
```
Absolute Stellungsgeber für Ladung in Coloumb bei
```
drehende Bewegungen mit einem einer Dauer des
der folgenden Merkmale: Strahlpulses
```
einer Auflösung besser als kleiner/gleich 1 mys, ist
```
1 Teil auf 265 000 Q die beschleunigte Ladung
(18 Bit-Auflösung) in 1 mys (Q = Integral des
Skalenendwert; oder Strahlstromes i in Ampere
```
einer Genauigkeit besser als der Dauer t in Sekunden).
```
+-2,5 Bogensekunden. 2. Im Sinne von Nummer 3N01.c ist
bei Beschleunigern, die auf
Hohlraumstrukturen basieren
(microwave accelerating
cavities),
```
die Dauer des Strahlpulses
```
der kleinere Wert von 1 mys
oder der Dauer des
Strahlbündels, das durch
einen Modulatorimpuls
erzeugt wird,
```
der Spitzenstrahlstrom der
```
Durchschnittsstrom während
der Dauer eines
Strahlbündels.
```
```
3A02 Universal-Elektronikgeräte:
```
Aufnahmegeräte wie folgt und
```
speziell hierfür konstruierte
Test(Prüf)-Bänder:
```
analoge Meß-Magnetband-Geräte
```
einschließlich solcher, die
die Aufnahme von digitalen
Signalen erlauben (zB mit
Verwendung eines HDDR-Moduls
(High-Density-Digitalaufnahme-
Modul), mit einem der
folgenden Merkmale:
```
einer Bandbreite von mehr
```
als 4 MHz/elektronischem
Kanal oder Spur;
```
einer Bandbreite von mehr
```
als 2 MHz/elektronischem
Kanal oder Spur und mit mehr
als 42 Spuren; oder
```
einem Zeitfehler gegenüber
```
der Zeitbasis gemäß IRIG
oder EIA-Normen von weniger
als +-0,1 mys;
```
digitale Videomagnetband-
```
Geräte mit einer maximalen
digitalen Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 180 Mbit/s,
ausgenommen solchen, speziell
konstruiert für
Fernsehaufzeichungen gemäß
CCIR- oder IEC-Normen und
Empfehlungen für zivile
Fernsehanwendungen;
```
digitale Meß-Magnetband-
```
Datenaufzeichnungsgeräte mit
einem der folgenden Merkmale:
```
einer maximalen digitalen
```
Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 60 Mbit/s und
mit Schrägschrifttechnik;
```
einer maximalen digitalen
```
Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 120 Mbit/s und
mit Festkopftechnik; oder
```
raumfahrtqualifiziert;
```
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.a.3 erfaßt keine
analogen Magnetbandgeräte, die mit
HDDR-Umwandlungselektronik
ausgerüstet und nur für die
Aufnahme digitaler Daten
konfiguriert sind.
```
```
```
Geräte mit einer maximalen
```
digitalen Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 60 Mbit/s, so
konstruiert, daß damit
digitale
Videomagnetband-Geräte für
eine Verwendung als digitale
Meßaufzeichnungsgeräte
abgeändert werden können;
```
Frequenz-Synthesizer sowie
```
Baugruppen mit einer
Frequenzumschaltzeit von einer
gewählten Frequenz auf eine
andere von weniger als 1 ms;
```
Signalanalysatoren wie folgt:
```
```
zur Analyse von Frequenzen
```
über 31 GHz;
```
dynamische Signalanalysatoren
```
mit einer Echtzeit-Bandbreite
von mehr als 25,6 kHz,
ausgenommen solche, die nur
Relativfilter (auch bekannt
als Oktav- oder
Teiloktavfilter) verwenden;
```
Signalgeneratoren mit
```
Frequenzsynthese, die
Ausgangsfrequenzen erzeugen,
deren Genauigkeit und Kurz- und
Langzeit-Stabilität geregelt
sind, von der internen
geräteeigenen Normalfrequenz
abstammen oder von dieser
kontrolliert werden, und mit
einem der folgenden Merkmale:
```
einer maximalen
```
synthetisierten Frequenz von
mehr als 31 GHz;
```
einer Frequenzumschaltzeit von
```
einer gewählten Frequenz auf
eine andere von weniger als
1 ms; oder
```
einem Phasenrauschpegel im
```
Einseitenband besser als
(126 + 20 logF - 20logf) in
dBc/Hz, wobei F die Abweichung
von der Betriebsfrequenz in Hz
und f die Betriebsfrequenz in
MHz ist;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.d erfaßt keine
Geräte, bei denen die
Ausgangsfrequenz entweder durch die
Addition oder Subtraktion von zwei
oder mehreren
Kristalloszillatorfrequenzen, oder
durch die Addition oder
Subtraktion, gefolgt von einer
Multiplikation des Ergebnisses,
erzeugt wird.
```
```
```
Netzwerkanalysatoren mit einer
```
maximalen Betriebsfrequenz von
mehr als 31 GHz;
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.e erfaßt keine
Wobbelfrequenz-Netzanalysatoren mit
einer maximalen Betriebsfrequenz
von nicht mehr als 40 GHz und die
nicht fernsteuerbar sind (dh.
keinen Datenbus für Verbindung
enthalten).
```
```
```
Mikrowellenprüfempfänger mit
```
beiden folgenden Merkmalen:
```
einer maximalen
```
Betriebsfrequenz von mehr als
31 GHz; und
```
Amplitude und Phase ist
```
gleichzeitig meßbar;
```
Atomfrequenznominale mit einem
```
der folgenden Merkmale:
```
Langzeitstabilität (Altern)
```
weniger (besser) als 1 x 10
hoch -11/Monat; oder
```
raumfahrtqualifiziert;
```
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.g.1 erfaßt keine
nicht-raumfahrtqualifizierten
Rubidium-Standards.
```
```
h. Emulatoren für Mikroschaltungen,
die von Nummer 3A01.a.3 oder
3A01.a.9 erfaßt sind.
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.h erfaßt keine
Emulatoren, die für eine Baureihe
konstruiert sind, welche mindestens
einen nicht von Nummer 3A01.a.3
oder 3A01.a.9 erfaßten Baustein
enthalten.
```
```
3N02 Oszilloskope und
Transientenrekorder wie folgt
sowie besonders konstruierte
Bestandteile hierfür:
```
```
ANMERKUNG:
Nummer 3N02 erfaßt nur folgende
besonders konstruierte
Bestandteile:
```
Einschubmodule,
```
```
externe Verstärker,
```
```
Vorverstärker,
```
```
Sampling-Zusätze,
```
```
Kathodenstrahlröhren für
```
analoge Oszilloskope.
```
```
```
nichtmodulare analoge
```
Oszilloskope mit einer
Bandbreite größer/gleich
1 GHz;
```
modulare analoge
```
Oszilloskopsysteme mit einer
der folgenden Eigenschaften:
```
Grundgerät (mainframe) mit
```
einer Bandbreite
größer/gleich 4 GHz oder
```
Einschubmodule mit einer
```
Einzelbandbreite
größer/gleich 4 GHz;
```
analoge
```
Sampling-Oszilloskope für
die Analyse von periodischen
Ereignissen mit einer
effektiven Bandbreite größer
als 4 GHz;
```
digitale Oszilloskope und
```
Transientenrekorder mit A/D-
Wandler-Verfahren, die
geeignet sind zur
Speicherung transienter
Vorgänge durch sequentielle
Abtastung einmaliger
Eingangssignale in
aufeinanderfolgenden
Intervallen von weniger als
1 ns (mehr als 10 hoch 9
Abtastwerte (samples) pro
Sekunde), mit einer
digitalen Auflösung von
8 bit oder mehr und einer
Speichermöglichkeit von 256
oder mehr Abtastwerten.
```
```
TECHNISCHE ANMERKUNG:
Bandbreite im Sinne von
Nummer 3N02 ist der
Frequenzbereich, in dem die
Auslenkung in der
Kathodenstrahlröhre bei konstanter
Eingangsspannung nicht unter 70,7%
des Wertes abfällt, der bei
maximaler Auslenkung gemessen
wird.
```
```
3N03 Frequenzumwandler (Konverter
oder Inverter) oder Generatoren
mit allen folgenden Merkmalen:
```
Mehrphasenausgang mit einer
```
Leistung größer/gleich 40 W,
```
Frequenzbereich von 600 Hz
```
bis 2 000 Hz,
```
Klirrfaktor kleiner als 10%
```
und
```
Frequenzstabilisierung
```
besser als 0,1%.
3N04 Hochenergie-
Gleichstromversorgungsgeräte für
die Erzeugung von 100 V oder mehr
im Dauerbetrieb über einen
Zeitraum von 8 h mit einem
Ausgangsstrom größer/gleich 500 A
und einer Strom- oder
Spannungsregelung kleiner (besser)
als 0,1%.
3N05 Hochspannungs-
Gleichstromversorgungsgeräte für
die Erzeugung von 20 kV oder mehr
im Dauerbetrieb über einen
Zeitraum von 8 h mit einem
Ausgangsstrom größer/gleich 1 A
und mit einer Strom- oder
Spannungregelung kleiner (besser)
als 0,1%.
3N06 Schaltelemente wie folgt:
```
Kaltkathodenröhren mit oder
```
ohne Gasfüllung
(einschließlich gasgefüllter
Krytrons und Vakuum-
Sprytrons), die wie
Schaltfunkenstrecken
funktionieren, mit drei oder
mehr Elektroden und allen
folgenden Eigenschaften:
```
spezifizierte
```
Anodenspitzenspannung
größer/gleich 2,5 kV,
```
spezifizierter
```
Anodenspitzenstrom
größer/gleich 100 A,
```
Zündverzögerungszeit
```
kleiner/gleich 10 mys;
```
getriggerte
```
Schaltfunkenstrecken mit
einer Zündverzögerungszeit
kleiner/gleich 15 mys und
spezifiziert für
Spitzenströme größer/gleich
500 A;
```
Module oder Baugruppen zum
```
schnellen Schalten mit allen
folgenden Eigenschaften:
```
spezifizierte
```
Anodenspitzenspannung
größer als 2 kV,
```
spezifizierter
```
Anodenspitzenstrom
größer/gleich 500 A,
```
Einschaltzeit
```
kleiner/gleich 1 mys.
3N07 Vorrichtungen für gesteuerte
Detonatoren wie folgt:
```
Zündvorrichtungen für
```
Explosivstoffdetonatoren,
entwickelt zur
gleichzeitigen Zündung
mehrerer Detonatoren gemäß
Nummer 3N10;
```
modulare elektrische
```
Impulsgeneratoren
(einschließlich
Xenon-Blitzlampentreibern),
konstruiert für beweglichen
oder besonders robusten
(ruggedised) Einsatz, mit
allen folgenden
Eigenschaften:
```
Energieabgabe in weniger
```
als 15 mys,
```
Ausgangsstrom größer als
```
100 A,
```
Anstiegszeit kleiner als
```
10 mys bei Lasten
kleiner als 40 Ohm,
```
```
TECHNISCHE ANMERKUNG:
Die Anstiegszeit ist definiert
als das Zeitintervall von 10% bis
90% der Stromaplitude beim Treiben
einer ohmschen Last.
```
```
```
staubdichte Ausführung,
```
```
keine Abmessung größer
```
als 25,4 cm,
```
Gewicht kleiner als
```
25 kg,
```
spezifiziert für einen
```
Temperaturbereich
zwischen -50 Grad C und
100 Grad C oder
luftfahrttauglich.
3N08 Hochgeschwindigkeits-
Impulsgeneratoren mit einer
Ausgangsspannung größer als 6 V an
einer ohmschen Last kleiner als 55
Ohm und mit einer
Impulsanstiegszeit kleiner als 500
ps.
```
```
TECHNISCHE ANMERKUNG:
Impulsanstiegszeit im Sinne von
Nummer 3N08 ist das Zeitintervall,
in dem die Spannungsamplitude
zwischen 10% und 90% des
Maximalwertes beträgt.
```
```
3N09 Neutronengeneratorsysteme
einschließlich
Neutronengeneratorröhren,
konstruiert für den Betrieb ohne
äußeres Vakuumsystem und unter
Verwendung elektrostatischer
Beschleunigung zur Auslösung einer
Tritium-Deuterium-Kernreaktion.
3N10 Detonatoren und
Mehrfachzündersysteme wie folgt,
ausgenommen nur auf primären
Explosivstoffen basierende, zB
Bleiazid:
```
elektrisch betriebene
```
Detonatoren wie folgt:
```
Brückenzünder (EB),
```
```
Brückenzünderdraht
```
(EBW),
```
Slapperzünder,
```
```
Folienzünder (EFI);
```
```
Vorrichtungen mit einzelnen
```
oder mehreren Detonatoren
zum annähernd gleichzeitigen
Zünden großer explosiver
Oberflächen (größer als
5 000 mm2) mit nur einem
Zündsignal (maximale
zeitliche Abweichung vom
ursprünglichen Zündsignal
über der gesamten zu
zündenden Oberfläche kleiner
als 2,5 mys.
```
```
TECHNISCHE ANMERKUNG:
Die von Nummer 3N07 oder 3N10
erfaßten Detonatoren basieren auf
einem elektrischen Leiter (Brücke,
Drahtbrücke, Folien), der
explosionsartig verdampft, wenn
ein schneller Hochstromimpuls
angelegt wird. Außer bei den
Slapperzündern wird durch den
explodierenden Draht die chemische
Detonation in Gang gesetzt. Bei
den Slapperzündern wird durch den
explodierenden Draht ein
Zündhammer getrieben, der bei
Aufschlag auf eine Zündmasse die
chemische Detonation startet. Bei
einigen Ausführungen wird der
Zündhammer magnetisch angetrieben.
Der Begriff Folienzünder kann sich
sowohl auf Brückenzünder als auch
auf Slapperzünder beziehen. Der
Begriff Detonator wird auch
anstelle von Zünder verwendet.
```
```
3N11 Massenspektrometer für die
Messung von Ionen einer Masse
größer/gleich 230 (amu) mit einer
Auflösung besser als 2/230 und
Ionenquellen hierfür wie folgt:
```
induktiv gekoppelte
```
Plasma-Massenspektrometer
(ICP/MS);
```
Glühentladungs-
```
Massenspektrometer (GDMS);
```
Thermoionisations-
```
Massenspektrometer (TIMS);
```
Elektronenstoß-
```
Massenspektrometer mit einer
Quellenkammer, hergestellt
aus UF tief 6-resistenten
Materialien, damit
ausgekleidet oder plattiert;
```
Molekularstrahl-
```
Massenspektrometer wie
folgt:
```
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