Verordnung des Bundesministers für wirtschaftliche Angelegenheiten über die Bewilligungspflicht der Ausfuhr sowie die Überlassung oder die Vermittlung von Waren im Zollausland

in jede beliebige Richtung

vergrößert;

```

```

einschließlich 5 mm, und

```

```

Rundlaufabweichung weniger

(besser) als 0,002 mm

Gesamtmeßuhrausschlag.

2B09 Speziell konstruierte

bestückte Leiterplatten und

Software hierfür, oder

Verbund-Drehtische, die gemäß

den Hersteller-Spezifikationen

geeignet sind, numerische

Steuerungen, Werkzeugmaschinen

oder Rückmeldeeinrichtungen auf

oder über die in Nummer 2B01,

2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06,

2B07 und 2B08 spezifizierten

Werte aufzurüsten.

2R03 Vibrationstestausrüstung mit

Verwendung von digitalen

Steuerungsverfahren und

Rückkopplungs- oder

Closed-Loop-Testausrüstung

hierfür, geeignet für die

Vibrationsbeanspruchung eines

Systems mit 10 g RMS oder mehr

zwischen 20 Hz und 2000 Hz und

der Aufbringung von Kräften von

50 kN (11 250 Pfund) oder mehr;

D. SOFTWARE

2D01 Software, speziell

konstruiert oder abgeändert zur

Entwicklung, Fertigung oder

Verwendung von in Nummern 2A01,

2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06,

2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05,

2B06, 2B07, 2B08 oder 2B09

erfaßten Geräten.

2D02 Spezielle Software:

```

```

und mit beiden der nachfolgenden

Merkmale:

```

```

Fertigungseinheiten, die

mindestens aus Ausrüstungen

bestehen, wie in b.1 und b.2

der „Definition'' flexible

Fertigungseinheit beschrieben;

und

```

```

Programme oder Daten zu

erzeugen oder abzuändern,

indem sie die mit Hilfe von

mindestens zwei

Erkennungstechniken erhaltenen

Signale simultan verwerten;

diese Erkennungstechniken

sind:

```

```

(sichtbares Spektrum)

```

```

```

```

Bereich)

```

```

```

```

```

```

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 2D02.a erfaßt keine

Software, die nur eine

Umstrukturierung von funktionell

gleicher Ausrüstung innerhalb der

flexiblen Fertigungseinheiten

bewirkt und vorgespeicherte

Teileprogramme sowie eine

vorgespeicherte Strategie für die

Verteilung der Teileprogramme

verwendet.

```

```

```

```

Nummer 2B01.a/b erfaßten

elektronischen Einrichtungen,

Fähigkeiten zur numerischen

Steuerung gemäß Nummer 2B01

verleiht.

E. TECHNOLOGIE

2E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur

Entwicklung von Ausrüstungen

oder Software, die in den

Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04,

2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03,

2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08,

2B09, 2D01 oder 2D02 erfaßt

sind.

2E02 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur

Fertigung von Ausrüstungen, die

in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03,

2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02,

2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07,

2B08, 2B09, 2D01 oder 2D02

erfaßt sind.

2E03 Andere Technologie.

```

```

```

```

interaktiver Graphik als

integrierender Bestandteil von

numerischen Steuerungen zur

Aufbereitung oder Abänderung

von Teilprogrammen;

```

```

Generatoren für

Werkzeugmaschinen-Anweisungen

(zB Teileprogramme) aus

Konstruktionsdaten, die sich

in den numerischen Steuerungen

befinden;

```

```

Integrations-Software zur

Einbindung von

Expertensystemen für

fortgeschrittene

Entscheidungsunterstützung

(Advanced Decision Support)

für Erzeugungsebenen in

numerische Steuerungen;

```

```

metallbearbeitende

Fertigungsprozesse wie folgt:

```

```

von Werkzeugen, Prägestempeln

oder

Befestigungsvorrichtungen, die

für die folgenden Verfahren

konstruiert sind:

```

```

```

```

```

```

Pressen;

```

```

aus Verfahrensmethoden oder

-parametern wie nachstehend

aufgelistet und zur Steuerung

von:

```

```

von Aluminiumlegierungen,

Titanlegierungen oder

Superlegierungen:

```

```

```

```

```

```

```

```

```

```

Superlegierungen oder

Titanlegierungen:

```

```

```

```

```

```

```

```

hydraulisches Pressen von

Aluminiumlegierungen oder

Titanlegierungen:

```

```

```

```

```

```

von Titanlegierungen,

Aluminiumlegierungen oder

Superlegierungen:

```

```

```

```

```

```

```

```

Fertigung von hydraulischen

Streckformenmaschinen und

Stempel hierfür zur Fertigung

von Flugzeugzellen.

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

„Beschichtungsverfahren''

beinhaltet Reparatur,

Ausbesserung sowie

Neubeschichtung.

```

```

Aluminid-Beschichtung''

beinhaltet einfache oder

Mehrschritt-Legierungen, bei

denen ein Element oder Elemente

vor oder während der Aufbringung

der Aluminid-Beschichtung durch

ein anderes

Beschichtungsverfahren

sedimentiert werden. Der

Ausdruck beinhaltet jedoch nicht

die Mehrfachverwendung eines

Einschritt-

Packungszementierungsverfahrens

zur Herstellung von legierten

Aluminiden.

```

```

„edelmetall-modifizierte

Aluminid''-Beschichtungen

beinhaltet

Mehrschritt-Beschichtungen, bei

denen das Edelmetall oder

Edelmetalle vor der Aufbringung

der Aluminidbeschichtung durch

andere Beschichtungsverfahren

sedimentiert werden.

```

```

infiltriertem Material,

abgestuften Zusammensetzungen,

Co-Sedimenten und

Mehrschicht-Sedimenten und

werden unter Verwendung eines

oder mehrerer

Beschichtungsverfahren, wie sie

in der Tabelle spezifiziert

sind, erreicht.

```

```

Beschichtungslegierung, wobei

M Cobalt, Eisen, Nickel oder

Kombinationen hiervon bedeutet

und X Hafnium, Yttrium, Silicium

oder Tantal in jeder beliebigen

Menge oder andere absichtlich

beigemengte Zugaben über

0,01 Gewichtsprozent in

verschiedenen Proportionen und

Kombinationen, ausgenommen:

```

```

weniger als 22 Gewichtsprozent

Chrom, weniger als 7

Gewichtsprozent Aluminium und

weniger als 2 Gewichtsprozent

Yttrium enthalten;

```

```

bis 24 Gewichtsprozent Chrom,

10 bis 12 Gewichtsprozent

Aluminium und 0,5 bis

0,7 Gewichtsprozent Yttrium

enthalten; oder

```

```

bis 23 Gewichtsprozent Chrom,

10 bis 12 Gewichtsprozent

Aluminium und 0,9 bis

1,1 Gewichtsprozent Yttrium

enthalten.

```

```

„Aluminiumlegierungen'' bezieht

sich auf Legierungen, die eine

äußerste Zugfestigkeit von

190 MPa oder mehr, gemessen bei

293 K (20 Grad C), haben.

```

```

Stahl'' bezieht sich auf AISI

(American Iron and Steel

Institute) 300-Serien oder auf

entsprechende nationale

Normstähle.

```

```

aus den folgenden Metallen und

ihren Legierungen: Niobium

(Columbium), Molybdän, Wolfram

und Tantal.

```

```

folgt: Aluminiumoxid, Silicium,

Germanium, Zinksulfid,

Zinkselenid, Galliumarsenid und

die folgenden Metallhalogenide:

Kaliumiodid, Kaliumfluorid oder

Sensorfenstermaterialien mit

mehr als 40 mm Durchmesser bei

Thalliumbromid und

Thalliumbromidchlorid.

```

```

Einschritt-Packungszementierung

von festen Tragflächen werden

von dieser Gruppe nicht erfaßt.

```

```

Polyester, Polysulfide,

Polycarbonate und Polyethane.

```

```

sich auf Zugaben aus anderen

Metalloxiden, wie zB Calcium-,

Magnesium-, Yttrium-,

Hafniumoxide, seltene Erden,

usw., zu Zirkonerde zur

Stabilisierung bestimmter

kristallographischer Phasen und

Phasenanordnungen.

Wärmesperrebeschichtungen aus

Zirkonerde, mit Calcium- oder

Magnesiumoxid durch Mischen oder

Fusion modifiziert, sind nicht

erfaßt.

```

```

auf Legierungen für Luft- und

Raumfahrt mit einer äußersten

Zugfestigkeit von 900 MPa oder

mehr, gemessen bei 293 K

(20 Grad C).

```

```

sich auf Gläser mit einer

Wärmeausdehnungszahl von 1 x 10

hoch -7 K hoch -1 oder weniger,

gemessen bei 293 K (20 Grad C).

```

```

Beschichtungen, die aus

Mehrschicht-Isolationmaterialien

konstruiert sind, bei denen die

Interferenzeigenschaften einer

Struktur, welche sich aus

Materialien mit verschiedenen

Brechungskoeffizienten

zusammensetzt, dazu dienen,

verschiedene Wellenlängenbänder

zu reflektieren, zu übertragen

oder zu absorbieren.

Dielektrische Schichten bezieht

sich auf mehr als vier

dielektrische Schichten oder auf

dielektrisch/metallisch

zusammengesetzte Schichten.

```

```

beinhaltet keine Materialien für

Schneide- und Formungswerkzeuge,

die aus Wolframcarbid/(Cobalt,

Nickel), Titancarbid/(Cobalt,

Nickel), Chromcarbid/Nickel-

Chrom und Chromcarbid/Nickel

bestehen.

TECHNISCHE ANMERKUNG:

In Spalte 1 der Tabelle

spezifizierte Verfahren sind wie

folgt definiert:

```

```

Deposition) ist ein

Belagsbeschichtungsverfahren

oder ein

oberflächenveränderndes

Beschichtungsverfahren, in dem

ein Metall, eine Legierung,

ein Verbundwerkstoff, ein

Dielektrikum oder eine Keramik

auf einem erhitzten Substrat

abgelagert werden. Gasförmige

Reaktanden zersetzen sich in

der Nachbarschaft eines

Substrates oder gehen neue

Zusammensetzungen ein; daraus

ergibt sich eine Sedimentation

des gewünschten Elements, der

gewünschten Legierung oder des

gewünschten Mischungsmaterials

auf dem Substrat.

Die Energie für diese

Zersetzung oder diesen

chemischen Reaktionsprozeß

kann durch Erhitzen des

Substrats, ein

Glimmentladungsplasma oder

durch Laserbestrahlung

geliefert werden.

ANMERKUNGEN:

```

```

Verfahren: gerichtete Gasfluß-

Out-of-Pack-Sedimentation,

Pulsations-CVD, gesteuerte

Kernbildungsthermolyse (CNTD =

Controlled Nucleation Thermal

Decomposition), plasmaerweiterte

oder plasmaunterstützte

CVD-Verfahren.

```

```

eine Pulvermischung getauchtes

Substrat.

```

```

Reaktanden, die im Out-of-Pack-

Verfahren verwendet werden,

erfolgt unter Verwendung der

gleichen Basisreaktionen und

-parameter wie im

Packungszementierungsverfahren,

ausgenommen, daß das zu

beschichtende Substrat nicht mit

der Pulvermischung in Berührung

steht.

```

```

Evaporation-Physical Vapour

Deposition (Wärmeverdampfung-

Physikalisches

Sedimentationsverfahren)) ist

ein

Belagsbeschichtungsverfahren,

das in einem Vakuum bei einem

Druck von weniger als 0,1 Pa

durchgeführt wird und in dem

eine thermische Energiequelle

zur Verdampfung des

Beschichtungsmaterials

verwendet wird. Dieses

Verfahren führt zur

Kondensation oder

Sedimentation des verdampften

Stoffes auf die in

entsprechender Weise

positionierten Substrate. Die

Zuführung von Gasen in die

Vakuumkammer während des

Beschichtungsverfahrens zur

Synthese von

Mischbeschichtungen ist eine

gängige Abänderung des

Verfahrens. Die Verwendung von

Ionen, Elektronenstrahlen oder

Plasma, um die Sedimentation

der Beschichtung zu aktivieren

oder zu unterstützen, ist

ebenfalls eine übliche

Abänderung bei dieser Technik.

Die Verwendung von

Überwachungseinrichtungen, um

eine Messung von optischen

Eigenschaften und

Beschichtungsdicken während

des Prozesses vorzunehmen,

kann ein Leistungsmerkmal

dieser Verfahren sein.

Spezifische TE-PVD-Verfahren

sind wie folgt:

```

```

einen Elektronenstrahl zur

Erhitzung und Verdampfung des

die Beschichtung bildenden

Materials;

```

```

elektrisch widerstandsfähige

Wärmequellen ein, die einen

kontrollierten und einheitlichen

Fluß von verdampften

Beschichtungssorten herstellen

können;

```

```

entweder Laserstrahlen mit

gepulsten oder kontinuierlichen

Wellen, um das die Beschichtung

bildende Material zu verdampfen;

```

```

setzt eine selbstverzehrende

Kathode des Materials ein, das

die Beschichtung bildet, und hat

eine Entladung, die durch einen

vorübergehenden Kontakt eines

Triggers auf der Oberfläche

zustande kommt. Die gesteuerte

Bewegung des Lichtbogens

erodiert die Kathodenoberfläche

und schafft ein hochionisiertes

Plasma. Die Anode kann entweder

ein über einen Isolator an die

Peripherie der Kathode

angelegter Konus oder die Kammer

sein. Substratvorspannung wird

für

Nicht-Sichtlinien-Sedimentation

eingesetzt.

ANMERKUNG:

Diese Definition beinhaltet keine

ungeordnete

Kathodenbogen-Sedimentation mit

nicht-vorgespannten Substraten.

```

```

Abänderung eines gängigen

TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein

Plasma oder eine Ionenquelle zur

Ionisierung des zu

sedimentierenden Stoffes

verwendet und eine negative

Vorspannung an das Substrat

angelegt wird, um die Extraktion

des zu sedimentierenden Stoffes

aus dem Plasma zu ermöglichen.

Die Einbringung eines reaktiven

Stoffes, die Verdampfung von

festen Stoffen in der

Verfahrenskammer, sowie die

Verwendung von

Überwachungseinrichtungen zur

Messung von optischen

Eigenschaften und der

Beschichtungsdicken während des

Prozesses sind übliche

Abänderungen des Verfahrens.

```

```

oberflächenveränderndes

Beschichtungsverfahren oder

Belagsbeschichtungsverfahren,

bei dem ein Substrat in eine

Pulvermischung (eine Packung)

getaucht wird, die aus folgendem

besteht:

```

```

sedimentiert werden sollen

(normalerweise Aluminium,

Chrom, Silicium oder

Kombinationen hiervon);

```

```

ein Halidsalz); und

```

```

Aluminiumoxid.

Das Substrat und die

Pulvermischung befinden sich

in einer Retorte, die auf

1 030 K (757 Grad C) bis

1375 K (1 102 Grad C) so lange

erhitzt wird, bis eine

Sedimentation der Beschichtung

erfolgt.

```

```

Belagsbeschichtungsverfahren,

bei dem eine Spritzpistole

(Spritzfackel), die ein Plasma

erzeugt und steuert, Pulver oder

Drahtbeschichtungsmaterialien

aufnimmt, diese schmilzt und sie

gegen ein Substrat schleudert,

auf dem sich eine vollständig

gebundene Beschichtung bildet.

Beim Plasmaspritzen

unterscheidet man

Niederdruck-Plasmaspritzen oder

Hochgeschwindigkeits-

Plasmaspritzen, das unter Wasser

durchgeführt wird.

ANMERKUNGEN:

```

```

niedriger als den

Atmosphärendruck der Umgebung.

```

```

auf die Gasgeschwindigkeit am

Pistolenausgang und beträgt mehr

als 750 m/s, berechnet bei 293 K

(20 Grad C) bei 0,1 MPa.

```

```

oberflächenveränderndes

Beschichtungsverfahren oder

ein

Belagsbeschichtungsverfahren,

bei dem ein Metall- oder

Keramikpulver mit einem

organischen Binder in einer

Flüssigkeit suspendiert und

durch Spritzung, Eintauchen

oder Anstrich auf ein Substrat

aufgetragen wird; anschließend

erfolgt eine Luft- oder

Ofentrocknung oder

Wärmebehandlung, um die

gewünschte Beschichtung zu

erreichen.

```

```

Belagsbeschichtungsverfahren,

das auf einem

Impulsübertragungsphänomen

beruht. Bei diesem Verfahren

werden positive Ionen durch

ein elektrisches Feld auf die

Oberfläche eines Ziels

(Beschichtungsmaterial) hin

beschleunigt. Die kinetische

Energie der auftreffenden

Ionen ist hoch genug, um aus

der Zieloberfläche Atome

herauszulösen, die sich dann

auf einem entsprechend

positionierten Substrat

ablagern.

ANMERKUNGEN:

```

```

Trioden-, Magnetron- oder

Reaktiv-Sputtersedimentation,

die eingesetzt werden, um die

Haftung der Beschichtung und die

Sedimentationsrate zu erhöhen,

sowie auf Radiofrequenz (RF)

verstärkte Sputtersedimentation,

die zur Verdampfung von nicht-

metallischen

Beschichtungsmaterialien

eingesetzt wird.

```

```

als 5 keV) können zur

Aktivierung der Sedimentation

verwendet werden.

```

```

oberflächenveränderndes

Beschichtungsverfahren, bei

dem das zu legierende Element

ionisiert, durch einen

Spannungsgradienten

beschleunigt und in die

Oberfläche des Substrats

eingepflanzt wird. Dies

schließt Verfahren mit ein,

bei denen die

Ionenimplantation simultan zu

einer Elektronenstrahl-PVD-

Sedimentation oder

Sputtersedimentation erfolgt.

```

```

3 - ELEKTRONIK - KONSTRUKTION, ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG

```

```

A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND ---------------------------------

BAUELEMENTE ANMERKUNG:

Die Nummern 3R01 und 3R02 erfassen

Einrichtungen, die entwickelt sind

für den Gebrauch in

Raketensystemen der Nummer 9R01.

```

```

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

beschriebenen Geräte, Baugruppen

und Bauelemente - außer jenen in

Nummer 3A01.a.3 bis 10 -, die

speziell entwickelt sind als

bzw. die gleichen funktionellen

Eigenschaften haben wie andere

Einrichtungen, richtet sich nach

dem Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen.

```

```

integrierten Schaltungen (ICs),

beschrieben in Nummer 3A01.a.3

bis 9, die unabänderbar für eine

spezifische Funktion

programmiert oder entwickelt

sind, richtet sich nach dem

Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen.

ANMERKUNG:

Kann der Hersteller oder Anwender

den Erfassungsstatus der anderen

Einrichtungen nicht bestimmen, so

richtet sich der Erfassungstatus

der integrierten Schaltungen nach

Nummer 3A01.a.3 bis 9.

```

```

3A01 Elektronische Einheiten und

Bauelemente

```

```

Universalanwendungen wie folgt:

```

```

ANMERKUNGEN:

```

```

Halbleiterscheiben (fertig oder

unfertig), bei denen die

Funktion bereits festgelegt ist,

ist nach den Parametern der

Nummer 3A01.a zu bewerten.

```

```

beinhalten die folgenden Typen:

monolithisch integrierte

Schaltungen;

integrierte Hybridschaltungen;

integrierte

Multichip-Schaltungen;

integrierte Schichtschaltungen,

einschließlich integrierte

Silicium-Saphir-Schaltungen;

integrierte optische

Schaltungen.

```

```

```

```

strahlungsfest konstruiert

oder entwickelt, um eine

Gesamtdosis von 5 x 10 hoch 5

rad (Si) oder höher

auszuhalten;

```

```

beschrieben in Nummer 3A01.a.3 Bauteile, speziell konstruiert

bis a.10, ausgelegt für einen für militärische Zwecke und den

Betrieb bei einer Einsatz bei Temperaturen über

Umgebungstemperatur unter 219 125 Grad C.

K (-54 Grad C) oder über 398 K

(+125 Grad C);

```

```

ANMERKUNG:

Die Temperaturgrenzwerte in

Nummer 3A01.a.2. gelten nicht für

integrierte Schaltungen für zivile

Kraftfahrzeug- oder

Eisenbahntriebwagen.

```

```

```

```

Mikroschaltungen,

Mikrocomputer-Mikroschaltungen

und Mikrokontroller-

Mikroschaltungen mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

ANMERKUNGEN:

Nummer 3A01.a.3. erfaßt keine

Mikrocomputer-Mikroschaltungen auf

Siliciumbasis oder Mikrokontroller-

Mikroschaltungen, die eine

Operanden-(Daten)Wortlänge von

8 Bit oder weniger besitzen und

nicht von Anmerkung 2 zu 3A erfaßt

sind)

```

```

```

```

Datenbusbreite von mehr als

32 Bit oder eine Arithmetik-

Logik-Einheit (ALU) mit

einer Zugriffsbreite von

mehr als 32 Bit;

```

```

als 40 MHz;

```

```

Datenbusbreite von 32 Bit

oder mehr und fähig,

12,5 Millionen

Befehle/Sekunde (MIPS) oder

mehr auszuführen; oder

```

```

ANMERKUNG:

Ist der MIPS-Wert nicht

spezifiziert, ist der Umkehrwert

der durchschnittlichen

Befehlszykluszeit (in mys) zu

verwenden.

```

```

```

```

oder Befehlsbus oder

seriellem Kommunikationsport

für eine externe Verknüpfung

mit einem Parallelprozessor

mit einer

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 2,4 Mbytes/s;

```

```

Speicherschaltungen wie folgt:

```

```

PROMs (EEPROMs) mit einer

Speicherkapazität von:

```

```

oder

```

```

und einer maximalen

Zugriffszeit von weniger

als 80 ns;

```

```

einer Speicherkapazität von:

```

```

oder

```

```

und einer maximalen

Zugriffszeit von weniger

als 25 ns;

```

```

Speicherschaltungen, die aus

einem Verbindungshalbleiter

gefertigt sind;

```

```

Wandler-Schaltungen wie folgt:

```

```

einem der folgenden verwendbar in Systemen laut

Merkmale: Nummer 9R01, mit einer der

nachfolgenden Charakteristiken:

```

```

oder mehr, jedoch weniger Erfüllung militärischer

als 12 Bit, mit einer Spezifikationen für gehärtete

Gesamtkonvertierungszeit Ausrüstungen oder

bis maximale Auflösung b) konstruiert oder modifiziert

von weniger als 10 ns; für militärische Zwecke und von

einem der nachstehenden Typen:

```

```

bei einer

Gesamtkonvertierungszeit

bis maximale Auflösung von

weniger als 200 ns; oder

```

```

als 12 Bit bei einer

Gesamtkonvertierungszeit

bis maximale Auflösung von

weniger als 2 mys;

```

```

einer Auflösung von 12 Bit „Mikroschaltkreise'', die

oder mehr und einer „strahlungsgehärtet'' sind

Einstellzeit von weniger oder alle nachstehenden

als 10 ns; Charakteristiken aufweisen:

```

```

Auflösung von 8 Bits oder

mehr,

```

```

in Temperaturbereichen von

unter minus 54 Grad C bis

über plus 125 Grad C, und

```

```

```

```

Analog Digital-Wandler,

gedruckte Schaltkreise oder

Module, mit allen

nachstehend genannten

Charakteristiken:

```

```

Auflösung von 8 Bits oder

mehr,

```

```

in Temperaturbereichen von

unter minus 54 Grad C bis

über plus 125 Grad C, und

```

```

```

```

„Mikroschaltkreisen''.

```

```

integrierte Schaltungen für

Signaldatenverarbeitung mit

allen folgenden Merkmalen:

```

```

Laserdioden;

```

```

Lichterkennungselementen,

und

```

```

```

```

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als

30 000 (zwei

Eingangsgatter); oder

```

```

Verzögerungszeit von weniger

als 0,4 ns;

```

```

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als

5 000 (zwei Eingangsgatter);

oder

```

```

mehr als 100 MHz;

```

```

Neurale Netze;

```

```

Schaltungen, bei denen

entweder die Funktion oder der

Erfassungsstatus der

Endausrüstung dem Hersteller

nicht bekannt sind, mit einem

der folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Verzögerungszeit von weniger

als 0,4 ns haben; oder

```

```

mehr als 3 GHz;

```

```

Schaltungen, außer jenen in

Nummer 3A01.a.3 bis a.10, auf

der Basis eines

Verbindungshalbleiters und mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Gatterzahl von mehr als 300

(2 Eingangsgatter); oder

```

```

mehr als 1,2 GHz;

```

```

Millimeterwellen-Bauelemente:

```

```

Kathoden wie folgt:

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.1. erfaßt keine

Röhren, die für einen Betrieb in

Standard-Bändern der Zivilen

Telekommunikation bei Frequenzen

von nicht mehr als 31 GHz

entwickelt oder ausgelegt sind.

```

```

```

```

```

```

höher als 31 GHz;

```

```

Kathodenheizelement mit

einer Einschaltzeit auf

RF-Nennleistung von

weniger als 3 Sekunden;

```

```

oder Abwandlungen hiervon;

```

```

Abwandlungen hiervon mit

einem der folgenden

Merkmale:

```

```

von einer halben Oktave oder

mehr, und

```

```

durchschnittlicher

Nennausgangsleistung (kW)

und der

Höchstbetriebsfrequenz (GHz)

von mehr als 0,2;

```

```

von weniger als einer halben

Oktave, und

```

```

durchschnittlicher

Nennausgangsleistung (kW)

und der

Höchstbetriebsfrequenz (GHz)

von mehr als 0,4; oder

```

```

```

```

mit einer Verstärkung von

mehr als 17 dB;

```

```

Elektro-Röhren mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

Nennemission von weniger

als 3 Sekunden; oder

```

```

Emissionsstromdichte bei

Nennbetriebsbedingungen

von mehr als 5 A/cm2

erzeugen;

```

```

Mikrowellenschaltungen oder

Mikrowellenmodule mit

integrierten monolithischen

Schaltungen mit

Betriebsfrequenzen von mehr

als 3 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.2. erfaßt keine

Schaltungen oder Module für Geräte,

die ausschließlich in

Standard-Bändern der zivilen

Telekommunikation bei Frequenzen

von nicht mehr als 31 GHz betrieben

werden.

```

```

```

```

ausgelegt für einen Betrieb

bei Frequenzen von mehr als 31

GHz;

```

```

Halbleiterbasis:

```

```

von mehr als 10,5 GHz und

mit einer Momentanbandbreite

von mehr als einer halben

Oktave; oder

```

```

von mehr als 31 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.b.4. erfaßt keine

folgenden Verstärker:

```

```

medizinische Anwendungen;

```

```

Verwendung in einfachen

Lehrbehelfen; oder

```

```

nicht mehr als 10 W und speziell

konstruiert für:

```

```

Einbruchsicherungs-,

Erkennungs- und Alarmsysteme;

```

```

Zählsysteme in Verkehr und

Industrie; oder

```

```

Luft- oder

Wasserverschmutzung.

```

```

```

```

abstimmbare Bandpässe oder

Sperrfilter mit mehr als 5

abstimmbaren Resonatoren, zur

Abstimmung in einem

1,5:1 Frequenzband

(f(max)/f(min)) in weniger als

10 mys, mit:

```

```

mehr als 0,5% der

Mittenfrequenz; oder

```

```

von weniger als 0,5% der

Mittenfreqeunz;

```

```

einer Betriebsfrequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

konstruiert für einen Einsatz

bei Frequenzen von über

40 GHz;

```

```

folgt und speziell konstruierte

Bauelemente hierfür:

```

```

Oberflächenwellen und mit

akustischen oberflächennahen

Volumenwellen mit:

```

```

mehr als 1 GHz; oder

```

```

1 GHz oder weniger und:

```

```

von mehr als 55 dB;

```

```

Höchstverzögerungszeit und

Bandbreite (Zeit in mys

und Bandbreite in MHz

ausgedrückt) von mehr als

100; oder

```

```

Verzögerung von mehr als

10 mys;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.c.1. erfaßt keine

speziell für Haushalts- und

Unterhaltungselektronik

konstruierte Bausteine.

```

```

```

```

Volumenwellen, die eine

direkte Verarbeitung von

Signalen bei Frequenzen von

mehr als 1 GHz erlauben;

```

```

Signalaufbereitungseinrich-

tungen, die die Wechselwirkung

zwischen akustischen Wellen

und Lichtwellen ausnutzen und

die eine unmittelbare

Aufbereitung von Signalen oder

Bildern ermöglichen,

einschließlich Spektroanalyse,

Korrelation und Konvolution.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.c.3. erfaßt keine

Bausteine, speziell konstruiert für

zivile Fernseh-, Video-AM- und

FM-Rundfunkeinrichtungen.;

```

```

```

```

Schaltungen mit Bauelementen,

gefertigt aus supraleitfähigen

Materialien, speziell

konstruiert für einen Betrieb

bei Temperaturen unter der

kritischen Temperatur von

mindestens einem der

supraleitfähigen Bestandteile,

und mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

Verstärkung:

```

```

kleiner als 31 GHz mit einem

Rauschwert von weniger als

0,5 dB; oder

```

```

31 GHz;

```

```

Schaltungen, die supraleitende

Gatter mit einem Produkt aus

Verzögerungszeit/Gatter (in

Sekunden) und der

Verlustleistung/Gatter (in

Watt) von weniger als 10 hoch

-14 J verwenden; oder

```

```

Frequenzen mit Schwingkreisen

mit Q-Werten von mehr als

10 000;

```

```

folgt:

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.e.1. erfaßt keine

Batterien mit Volumina gleich oder

kleiner 26 cm3 (zB herkömmliche

C-Zellen oder UM-2-Batterien):

```

```

```

```

mit einer Energiedichte von

mehr als 350 Wh/kg und

ausgelegt für einen Betrieb

innerhalb eines

Temperaturbereiches von

unter 243 K (-30 Grad C) bis

über 343 K (+70 Grad C);

```

```

Batterien mit einer

Energiedichte von mehr als

150 Wh/kg nach

75 Lade-/Entladezyklen bei

einem Entladungsstrom gleich

C/5 Stunden (wobei C die

Nennkapazität in Ampere-

Stunden ist) wenn sie

innerhalb eines

Temperaturbereiches von

unter 253 K (-20 Grad C) bis

über 333 K (+60 Grad C)

arbeiten;

```

```

ANMERKUNG:

Die Energiedichte wird durch

Multiplikation der

durchschnittlichen Leistung in Watt

(durchschnittliche Spannung in Volt

mal durchschnittlicher Strom in

Ampere) mit der Entladungsdauer in

Stunden bis 75% der

Leerlaufspannung, dividiert durch

die Gesamtmasse der Zelle (oder

Batterie) in kg erhalten.

```

```

```

```

strahlungsfeste

Solargeneratoren mit einer

spezifischen Leistung von

mehr als 160 W/m2 bei einer

Betriebstemperatur von 301 K

(+28 Grad C) unter einer

Wolframbeleuchtung von 1

kW/m2 bei 2 800 K (2 527

Grad C);

```

```

Speicherkondensatoren wie

folgt:

```

```

Folgefrequenz der

Entladepulse von weniger als

10 Hz (monostabile

Kondensatoren) mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

oder größer als 5 kV;

```

```

oder größer als 250 J/kg,

und

```

```

oder größer als 25 kJ;

```

```

Folgefrequenz der

Entladepulse von 10 Hz oder

mehr (repetition rated

capacitors) mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

oder größer als 5 kV;

```

```

oder größer als 50 J/kg;

```

```

oder größer als 100 J, und

```

```

Lade/Entladezykluszahl

gleich oder größer als

10 000;

```

```

oder Solenoide, speziell

konstruiert zur völligen

Ladung oder Entladung in

weniger als einer Minute, mit

allen folgenden Merkmalen:

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A01.e.3. erfaßt keine

supraleitenden Elektromagnete oder

Solenoide, die speziell für

medizinische Einrichtungen der

Kernspintomografie (MRI)

konstruiert sind.

```

```

```

```

Entladung gelieferte Energie

dividiert durch die

Entladungsdauer beträgt mehr

als 500 kJ/Minute;

```

```

stromführenden Windungen von

mehr als 250 mm, und

```

```

Magnetinduktion vom mehr als

8 T oder einer

Gesamtstromdichte in der

Wicklung von mehr als

300 A/mm2;

```

```

elektromagnetischen

Energiespeicherung mit

Elementen, gefertigt aus

supraleitenden Materialien,

speziell konstruiert für einen

Betrieb bei Temperaturen unter

der kritischen Temperatur von

mindestens einem ihrer

supraleitenden Bestandteile,

mit allen folgenden Merkmalen:

```

```

von mehr als 1 MHz;

```

```

Energiedichte von 1 MJ/m3

oder mehr, und

```

```

weniger als 1 ms;

```

```

Blitzlichttypes einschließlich

Röhren, mit allen folgenden

Merkmalen:

```

```

mehr als 500 MW;

```

```

mehr als 500 kV, und

```

```

weniger als 0,2 mys;

```

```

drehende Bewegungen mit einem

der folgenden Merkmale:

```

```

1 Teil auf 265 000

(18 Bit-Auflösung)

Skalenendwert; oder

```

```

+-2,5 Bogensekunden.

3A02 Universal-Elektronikgeräte

```

```

speziell hierfür konstruierte

Test(Prüf)-Bänder:

```

```

einschließlich solcher, die

die Aufnahme von digitalen

Signalen erlauben (zB mit

Verwendung eines HDDR-Moduls

(High-Density-Digitalaufnahme-

Modul), mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

als 4 MHz/elektronischem

Kanal oder Spur;

```

```

als 2 MHz/elektronischem

Kanal oder Spur und mit mehr

als 42 Spuren; oder

```

```

der Zeitbasis gemäß IRIG

oder EIA-Normen von weniger

als +-0,1 mys;

```

```

Videomagnetband-Geräte mit

einer maximalen digitalen

Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 180 Mbit/s,

ausgenommen solchen, speziell

konstruiert für

Fernsehaufzeichungen gemäß

CCIR- oder IEC-Normen und

Empfehlungen für zivile

Fernsehanwendungen;

```

```

Datenaufzeichnungsgeräte mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 60 Mbit/s und

mit Schrägschrifttechnik;

```

```

Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 120 Mbit/s und

mit Festkopftechnik; oder

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.a.3. erfaßt keine

analogen Magnetbandgeräte, die mit

HDDR-Umwandlungselektronik

ausgerüstet und nur für die

Aufnahme digitaler Daten

konfiguriert sind.

```

```

```

```

digitalen Schnittstellen-

Übertragungsgeschwindigkeit

von mehr als 60 Mbit/s, so

konstruiert, daß damit

digitale Videomagnetband-

Geräte für eine Verwendung als

digitale

Meßaufzeichnungsgeräte

abgeändert werden können.

```

```

Baugruppen mit einer

Frequenzumschaltzeit von einer

gewählten Frequenz auf eine

andere von weniger als 1 ms;

```

```

```

```

über 31 GHz;

```

```

mit einer Echtzeit-Bandbreite

von mehr als 25,6 kHz,

ausgenommen solche, die nur

Relativfilter (auch bekannt

als Oktav- oder

Teiloktavfilter) verwenden;

```

```

Frequenzsynthese, die

Ausgangsfrequenzen erzeugen,

deren Genauigkeit und Kurz- und

Langzeit-Stabilität geregelt

sind, von der internen

geräteeigenen Normalfrequenz

abstammen oder von dieser

kontrolliert werden, und mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

synthetisierten Frequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

einer gewählten Frequenz auf

eine andere von weniger als

1 ms; oder

```

```

Einseitenband besser als

(126 + 20 logF - 20logf) in

dBc/Hz, wobei F die Abweichung

von der Betriebsfrequenz in Hz

und f die Betriebsfrequenz in

MHz ist;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.d erfaßt keine

Geräte, bei denen die

Ausgangsfrequenz entweder durch die

Addition oder Subtraktion von zwei

oder mehreren

Kristalloszillatorfrequenzen, oder

durch die Addition oder

Subtraktion, gefolgt von einer

Multiplikation des Ergebnisses,

erzeugt wird.

```

```

```

```

maximalen Betriebsfrequenz von

mehr als 31 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.e erfaßt keine

Wobbelfrequenz-Netzanalysatoren mit

einer maximalen Betriebsfrequenz

von nicht mehr als 40 GHz und die

nicht fernsteuerbar sind (dh.

keinen Datenbus für Verbindung

enthalten).

```

```

```

```

beiden folgenden Merkmalen:

```

```

Betriebsfrequenz von mehr als

31 GHz, und

```

```

gleichzeitig meßbar;

```

```

der folgenden Merkmale:

```

```

weniger (besser) als 1 x 10

hoch -11/Monat; oder

```

```

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.g.1. erfaßt keine

nicht-raumfahrtqualifizierten

Rubidium-Standards.

```

```

```

```

die von Nummer 3A01.a.3 oder

3A01.a.9 erfaßt sind.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3A02.h erfaßt keine

Emulatoren, die für eine Baureihe

konstruiert sind, welche mindestens

einen nicht von Nummer 3A01.a.3

oder 3A01.a.9 erfaßten Baustein

enthalten.

```

```

B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

3B01 Ausrüstungen zur Herstellung

oder Prüfung von Halbleiter-

Bausteinen oder -Materialien wie

folgt und speziell hierfür

konstruierte Bauelemente und

Zubehöre.

```

```

Ausrüstungen zum epitaktischen

Wachsen wie folgt:

```

```

einer Gleichmäßigkeit von

besser als +-2,5% entlang

einer Strecke von 75 mm oder

mehr zu erzeugen;

```

```

chemischen Beschichtung aus

der Gasphase (MOCVD), speziell

konstruiert zum Ziehen von

Verbindungshalbleiter-

Kristallen mittels chemischer

Reaktion zwischen Materialien,

die von Nummer 3C03 oder 3C04

erfaßt sind;

```

```

zum epitaktischen Wachsen mit

Zuführung;

```

```

Ausrüstungen zur

Ionenimplantation mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

von mehr als 200 keV;

```

```

optimiert für einen Betrieb

bei Beschleunigungsspannungen

von weniger als 10 keV;

```

```

```

```

Sauerstoffimplantation in ein

erwärmtes Halbleiter-Substrat;

```

```

Anisotrop-Plasma-Ätz-

Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Kassetten-Verfahren mit

Schleuse, sowie mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

plasmaverstärkte

CVD-Ausrüstungen wie folgt:

```

```

Verfahren mit Schleuse, sowie

mit einem der folgenden

Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

Nummer 3B01.f erfaßte

Ausrüstungen und mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

```

```

Resonanz (ECR);

```

```

multifunktionelle Systeme mit

gebündeltem Ionenstrahl,

speziell konstruiert zur

Fertigung, Reparatur, physischen

Layoutanalyse und Prüfung von

Masken oder

Halbleiter-Bauelementen, mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

mittels Rückmeldung vom Objekt

mit einer Genauigkeit von 0,25

mym oder kleiner; oder

```

```

einer Auflösung vom mehr als

12 Bit;

```

```

Mehrkammer-Wafer-Manipulatoren

mit Anschlüssen zum Beschichten,

an die mehr als zwei Halbleiter-

Bearbeitungsausrüstungen

angeschlossen werden können,

damit ein in einer

Vakuumumgebung integriertes

System zur sequentiellen

Mehrfach-Wafer-Bearbeitung

entsteht;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.f erfaßt keine

robotergesteuerten

Wafer-Manipulatoren, die nicht für

einen Betrieb in einer

Vakuumumgebung konstruiert sind.

```

```

```

```

Lithographieausrüstungen wie

folgt:

```

```

Ausrüstungen zur

Wafer-Bearbeitung mit

photo-optischen oder

Röntgenstrahl-Methoden mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

kürzer als 400 nm;

```

```

von mehr als 0,40; oder

```

```

+-0,20 mym (3 Sigma) oder

besser;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.g erfaßt keine

Justier- und Belichtungs-Step-and-

repeat-Ausrüstungen, die alle

folgenden Merkmale aufweisen:

```

```

436 nm oder mehr;

```

```

oder weniger, und

```

```

oder weniger;

```

```

```

```

Ausrüstungen, speziell

konstruiert zur

Maskenherstellung oder

Halbleiter-Baulelemente-

(Anm.: richtig: Bauelemente-)

Bearbeitung unter Verwendung

von gelenkten gebündelten

Elektronenstrahlen,

Ionenstrahlen oder

Laserstrahlen, mit einem der

folgenden Merkmale:

```

```

0,2 mym;

```

```

einer Auflösung von weniger

als 1 mym; oder

```

```

mehr als +/-0,20 mym

(3 Sigma);

h. Masken oder Strichplatten wie

folgt:

```

```

erfaßt in Nummer 3A01;

```

```

Phasenkompensationsschicht;

i. speicherprogrammierbare

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

Halbleiter-Bauelementen und

nicht-gekapselten Chips wie

folgt:

```

```

von Transistor-Bauelementen

bei Frequenzen von mehr als 31

GHz;

```

```

Funktions(Wahrheitstabelle)-

Prüfung integrierter

Schaltungen und Baugruppen

hiervon bei einer

Änderungsgeschwindigkeit des

Bit-Musters von mehr als

40 MHz durchzuführen;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.2. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert für das Prüfen von:

a. Baugruppen oder einer

Baugruppenklasse für Haushalts-

und Unterhaltungselektronik;

b. nichterfaßten elektronischen

Bauteilen, Baugruppen oder

integrierten Schaltungen.

```

```

```

```

Mikrowellenschaltungen auf

Frequenzen von mehr als 3 GHz;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.3. erfaßt keine

Prüfausrüstungen, speziell

konstruiert zur Prüfung von

integrierten

Mikrowellenschaltungen, die

ausschließlich in Standard-Bändern

der zivilen Telekommunikation auf

Frequenzen von nicht mehr als

31 GHz arbeiten.

```

```

```

```

konstruiert für einen Betrieb

auf oder unter 3 keV, oder

Laserstrahlsysteme zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen Halbleiter-

Bauelementen mit beiden

folgenden Merkmalen:

```

```

Strahlverdunkelung oder

Detektorstroben, und

```

```

Elektronen-Spektrometer zur

Spannungsmessung mit einer

Auflösung von weniger als

0,5 V;

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3B01.i.4. erfaßt keine

Raster-Elektronenmikroskope,

ausgenommen wenn diese zur

berührungslosen Prüfung von in

Betrieb genommenen Halbleiter-

Bauelementen speziell konstruiert

und instrumentiert sind.

```

```

C. MATERIALIEN

3C01 Heteroepitaxiale Materialien,

die aus einem Substrat mit

geschichteten epitaxial

gewachsenen Mehrfachschichten

bestehen.

```

```

```

```

```

```

oder Indium.

ANMERKUNG:

III/V-Verbindungen sind

polykristalline oder binäre bzw.

komplexmonokristalline Erzeugnisse,

bestehend aus Elementen der Gruppen

IIIA und VA des Periodensystems der

chemischen Elemente

(Gallium-Arsenid,

Gallium-Aluminium-Arsenid,

Indium-Phosphid, usw.).

```

```

3C02 Photoresists und Substrate,

die mit vom Embargo erfaßten

Photoresists beschichtet sind.

```

```

zur Verwendung unter 370 nm

optimierten

Spektralempfindlichkeit;

```

```

mit Elektronenstrahlen oder

Ionenstrahlen und mit einer

Empfindlichkeit von 0,01

mycoulomb/mm2 oder besser;

```

```

mit Röntgenstrahlen und mit

einer Empfindlichkeit von

2,5 mJ/mm2 oder besser;

```

```

Oberflächenabbildungs-

technologien, einschließlich

Silyat Photoresists.

```

```

ANMERKUNG:

Silyationstechniken sind als

Verfahren definiert, die eine

Oxidation der Photoresistoberfläche

beinhalten, um die Leistung sowohl

für Naß- als auch

Trockenentwicklung zu verbessern.

```

```

3C03 Metallorganische Verbindungen

aus Aluminium, Gallium oder

Indium mit einer Reinheit

(Metallbasis) von mehr als

99,999%.

3C04 Hydride aus Phosphor, Arsen

oder Antimon mit einer Reinheit

von mehr als 99,999%, auch bei

Lösung in Neutralgasen.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3C04 erfaßt keine Hydride,

die weniger als 20% Molarität an

Edelgasen oder Wasserstoff

enthalten.

```

```

D. SOFTWARE

3D01 Software, speziell

konstruiert zur Entwicklung oder

Herstellung von in Nummern

3A01.b bis 3A01.f, 3A02 und 3B01

erfaßten Ausrüstungen.

3D02 Software, speziell

konstruiert zur Verwendung von

in Nummer 3B01 erfaßten

speicherprogrammierbaren

Ausrüstungen.

3D03 Computer-Aided-Design-(CAD-)

Software für

Halbleiter-Bauelemente oder

integrierte Schaltungen mit

einem der folgenden Merkmale:

```

```

Schaltungsüberprüfungsvor-

schriften;

```

```

Layouts der Schaltungen; oder

```

```

Bearbeitungssimulatoren für den

Entwurf.

```

```

ANMERKUNG:

Ein lithographischer

Bearbeitungssimulator ist ein

Softwarepaket, das in der

Entwurfsphase zur Definierung der

Abfolge von Lithographie-, Ätzungs-

und Sedimentationsschritten zur

Übertragung von Maskenmustern in

spezifische topographische Muster

bei Leitern, Dielektrika oder

Halbleitermaterialien verwendet

wird.

ANMERKUNG:

Nummer 3D03 erfaßt keine

Software, speziell konstruiert zur

Schemaeintragung, logischen

Simulation, Plazierung und Routing,

Layout-Überprüfung oder

Prozeßgenerations-Bandaufnahme;

ANMERKUNG:

Bibliotheken, Entwurfshilfen oder

zugehörige Daten zum Entwurf von

Halbleiter-Bauelementen oder

integrierten Schaltungen werden als

Technologie angesehen.

```

```

E. TECHNOLOGIE

3E01 Technologie gemäß der

„General Technology Note''

(Allgemeine Technologienote) zur

Entwicklung oder Herstellung von

Geräten oder Materialien, die in

den Nummern 3A01, 3A02, 3B01,

3C01, 3C02, 3C03 oder 3C04

erfaßt sind.

```

```

ANMERKUNG:

Nummer 3E01 erfaßt keine

Technologie zur Entwicklung oder

Herstellung von:

a. Mikrowellen-Transistoren, die

bei Frequenzen von unter 31 GHz

arbeiten;

b. integrierten Schaltungen der

Nummer 3A01.a.3 bis a.11, die

beide folgenden Merkmale

aufweisen:

```

```

mehr verwenden, und

```

```

beinhalten.

ANMERKUNG:

Diese Anmerkung schließt den

Export von Mehrschicht-Technologie

für Bauelemente, die höchstens zwei

Metallschichten und zwei

Polysiliciumschichten beinhalten,

nicht aus.

```

```

3E02 Andere Technologie zur

Entwicklung oder Herstellung

von:

```

```

Bauelemente;

```

```

Halbleiter-Bauelemente wie zB

modulations-dotierte

Feldeffekttransistoren (HEMT),

hetero-bipolare Transistoren

(HBT), Potentialtopf- oder

Superkristallgitter-Bauelemente;

```

```

Supraleiter-Bauelemente;

4 - COMPUTER

```

```

```

```

ANMERKUNGEN: ---------------------------------

```

```

Software für Telekommunikations-

Die Nummer 4R01 erfaßt

oder Local Area Einrichtungen, die entwickelt sind

Network-Funktionen sind auch für den Gebrauch in

nach den Leistungsmerkmalen der Raketensystemen der Nummer 9R01.

Gruppe 5 - Telekommunikation - ---------------------------------

zu bewerten.

ANMERKUNGEN:

```

```

Kanäle von Zentraleinheiten,

Hauptspeichern oder

Plattensteuerungen direkt

verbinden, sind nicht als

Telekommunikationsgeräte nach

den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

zu bewerten.

```

```

Switching von datagram-Paketen

oder von fast select-Paketen

ermöglicht (dh. Richtungswahl je

Paket), oder Software, besonders

entwickelt für die

Paketvermittlung, ist in der

Gruppe 5 - Telekommunikation -

erfaßt.

```

```

Software mit kryptographischen

bzw. kryptoanalytischen

Funktionen, zur Gewährleistung

verfügter vielstufiger

Sicherheit oder verfügten

Teilnehmerausschlüssen oder

Funktionen zur Limitierung

elektromagnetischer

Verträglichkeit (EMV) sind auch

nach den Leistungsmerkmalen der

Gruppe 5 - Informationssicherung

- zu bewerten.

```

```

A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

4A01 Elektronenrechner und 4R01 Analogrechner,

verwandte Geräte wie folgt sowie Digitalrechner oder digitale

Baugruppen und besonders Differentialanalysatoren,

konstruierte Bauteile hierfür: konstruiert oder modifiziert

```

```

Betrieb unter einer der im Systemen laut Nummer 9R01, mit

folgenden aufgezählten einer der nachfolgenden

Bedingungen: Charakteristiken:

```

```

Umgebungstemperaturen unterhalb bei Temperaturen von unter

228 K (-45 Grad C) oder oberhalb -45 Grad C bis über 55 Grad C;

oder „strahlungsgehärtet''.

---

ANMERKUNG:

Die Ausrüstung kann als Teil

eines bemannten Fluggeräts oder

Satelliten exportiert werden oder

in entsprechenden Stückzahlen als

Ersatzteile für bemannte

Fluggeräte.

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 4A01.a.1. gilt nicht für

Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilen

Kraftfahrzeugen oder in der Eisenbahnbetriebs-Elektronik.

---

Bauteile hierfür:

---

ANMERKUNGEN:

---

Systeme mit Fehlertoleranz,

---

ANMERKUNG:

Digitalrechner und verwandte Geräte

gelten nicht als konstruiert oder

abgewandelt für Systeme mit

Fehlertoleranz im Sinne der Nummer

4A03.b, wenn sie eine der folgenden

Funktionen verwenden:

Zentraleinheit zu übernehmen.

---

Rechenelementen wie folgt:

---

ANMERKUNGEN:

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 4A03.h gilt nicht für

Arbeitsplätze, konstruiert für und

beschränkt auf

Vektoren.

---

i. Farbbildschirme oder Monitore

---

ANMERKUNGEN:

---

---

ANMERKUNG:

Der Begriff

„Endgeräte-Schnittstellen'' der Nummer 4A03.k schließt Local Area

Network-Schnittstellen, Modems und

sonstige

Kommunikations-Schnittstellen ein.

Local Area Network-Schnittstellen

sind als Netz-Zugangs-Steuerungen

zu behandeln.

---

4A04 Rechner wie folgt und

besonders konstruierte verwandte

Geräte, Baugruppen und Bauteile

hierfür:

B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN

4B01 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Aufbringung

von magnetischer Beschichtung

auf erfaßten starren (nicht flexiblen) magnetischen oder

magnetooptischen Datenträgern,

---

ANMERKUNG:

Nummer 4B01 erfaßt keine

Universal-Sputtereinrichtungen.

---

4B02 speicherprogrammierbare

Einrichtungen, besonders

konstruiert zur Überwachung,

Auswahl, Anwendungen oder

Prüfung von erfaßten starren

magnetischen Datenträgern,

4B03 Einrichtungen, besonders

konstruiert für die Herstellung

oder Justierung von

Schreib-/Leseköpfen oder von

Baugruppen (head/disk assemblies) für erfaßte starre

magnetische und magnetooptische

Speicher sowie

elektromagnetische oder optische

Bauteile hierfür.

C. WERKSTOFFE

Materialien, besonders geformt und

unverzichtbar für die Herstellung

von erfaßten Baugruppen für

magnetische und magnetooptische

Festplattenlaufwerke.

D. SOFTWARE

---

ANMERKUNG:

Der Erfassungsstatus von Software

für die Entwicklung, Herstellung

und Verwendung von in anderen

Gruppen beschriebenen Einrichtungen

wird in den betreffenden Gruppen

geregelt.

Der Erfassungsstatus von Software

für die in Gruppe 4 beschriebenen

Einrichtungen bestimmt sich nach

Nummer 4D.

---

4D01 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt für

die Entwicklung, Herstellung

oder Verwendung von

Einrichtungen, Werkstoffen oder

Software, die von Nummern 4A,

4B, 4C oder 4D erfaßt wird.

4D02 Software, besonders

entwickelt oder abgewandelt zur Unterstützung der Technologie,

die von Nummer 4E erfaßt wird.

4D03 Spezielle Software wie folgt:

E. TECHNOLOGIE

4E01 Technologie gemäß der

allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung,

Herstellung oder Verwendung von

Einrichtungen, Werkstoffen oder

Software, die von Nummern 4A,

4B, 4C oder 4D erfaßt werden.

4E02 sonstige Technologie wie

folgt:

5 - TELEKOMMUNIKATION UND INFORMATIONSSICHERHEIT

---

TELEKOMMUNIKATION

---

ANMERKUNGEN:

Engineering oder Verrechnung.

---

A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE

5A01 Jede Art von

Telekommunikationseinrichtungen

mit einem der folgenden

Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.c gilt nur für

elektronische Einrichtungen.

ANMERKUNG:

Nummer 5A01.b/c gilt nicht für

Einrichtungen an Bord von

Satelliten.

---

5A02 Telekommunikations-Übertragungseinrichtungen oder

-Anlagen und speziell

konstruierte Bauteile und Zubehöre hierfür, mit einem der

folgenden Merkmale:

---

ANMERKUNG:

Telekommunikationsübertragungseinrichtungen,

---

---

ANMERKUNG:

Nummer 5A02.a erfaßt keine

Einrichtungen, speziell

konstruiert für Einbau und Betrieb in einem Satellitensystem für zivile

Zwecke.

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ANMERKUNG:

Enthält eine nicht erfaßte

Einrichtung einen Netzwerk-Zugriffs-Kontroller, darf

sie keine

Telekommunikations-Schnittstelle

besitzen, außer solche, die in Nummer 5A02.c zwar beschrieben,

aber nicht erfaßt sind.

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Anwendungen;

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ANMERKUNG:

Nummer 5A02.e.2. erfaßt keine

Einrichtungen für zivile Zwecke,

die mit einem von der ITU

zugewiesenen Band zwischen 26,5 und 31 GHz arbeiten.